专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]硅衬底上的III-V鳍片FET-CN201410087002.9在审
  • A·巴苏;郑政玮;A·马宗达;R·M·马丁;U·拉纳;D·K·萨达那;徐崑庭;孙艳宁 - 国际商业机器公司
  • 2014-03-11 - 2014-09-17 - H01L29/78
  • 本发明涉及硅衬底上的III-V鳍片FET。一种用于形成鳍片场效应晶体管的方法,包括:在硅衬底上形成电介质层;在所述电介质层中向下至所述衬底形成高纵横比沟槽,所述高纵横比包括大于约1:1的高度对宽度比;以及使用纵横比捕获工艺在所述沟槽中外延生长不含硅半导体材料以形成鳍片。蚀刻所述一个或多个电介质层以暴露所述鳍片的一部分。在所述鳍片的所述部分上外延生长阻挡层,并且在所述鳍片上形成栅极叠层。在所述栅极叠层和所述鳍片的所述部分周围形成间隔物。将掺杂剂注入到所述鳍片的所述部分中。使用不含硅半导体材料在所述鳍片上生长源区和漏区。
  • 衬底iiifet
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201310625869.0无效
  • A·巴苏;J·B·常;M·A·古罗恩;A·马宗达 - 国际商业机器公司
  • 2013-11-28 - 2014-06-11 - H01L21/336
  • 本发明涉及半导体结构及其形成方法。在单晶掩埋绝缘体层上形成单晶半导体鳍片。在形成跨骑所述单晶半导体鳍片的栅极电极之后,可以用在单晶掩埋绝缘体层上生长的半导体材料进行选择性外延以形成连续半导体材料部分。所述连续半导体材料部分中的沉积的半导体材料的厚度可以被选择为使得,所述沉积的半导体材料部分的侧壁不合并,而是通过直接在所述单晶掩埋绝缘体层的水平表面上生长的沉积的半导体材料的水平部分导电地彼此连接。通过所述连续半导体材料部分和圆柱形接触过孔结构,可以提供鳍片场效应晶体管的接触电阻和寄生电容的同时减小。
  • 半导体结构及其形成方法

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