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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种T型栅的制备方法-CN201210046607.4无效
发明人：刘果果;魏珂;黄俊;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种T型栅的制备方法，属于微电子元器件技术领域。该方法包括在器件衬底外延层表面形成电子束光刻胶层，使电子束光刻胶层形成细栅线条，一体形成栅金属层，形成光学光刻胶层，光刻出栅帽，腐蚀栅金属层，将残留的电子束光刻胶和光学光刻胶剥离七个步骤，从而在外延层上形成T型栅。该方法不仅能够有效降低T型栅的尺寸、提高T型栅制作的效率，还能提高T型栅的成品率以及一致性。
一种制备方法

[发明专利]监控栅槽刻蚀的方法-CN201010574009.5有效
发明人：魏珂;郑英奎;刘新宇;刘果果;彭明曾 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种监控栅槽刻蚀的方法，包括：在制备实际凹栅槽器件的同时，制备至少两个源/漏区结构参数相同的参考凹栅槽器件，至少有两个参考凹栅槽器件的栅长尺寸位于实际凹栅槽器件栅长尺寸的两侧；测试获得至少两个参考凹栅槽器件的转移特性；通过至少两个参考凹栅槽器件的转移特性，判断实际凹栅槽器件的栅槽刻蚀情况。通过本发明提供的方法，能可靠地获得实际凹栅槽器件的是否进行了有效刻蚀，并且本次刻蚀的结果可以作为下次刻蚀的依据。
监控刻蚀方法

[发明专利]控制背孔剖面形状的方法-CN201010520274.5有效
发明人：魏珂;刘新宇;黄俊;刘果果;罗卫军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制背孔剖面形状的方法。该方法包括：在底层材料上沉积多层金属薄膜，多层金属薄膜中的各层对底层材料具有不同的刻蚀方向选择比；刻蚀去除底层材料背孔位置沉积的多层金属薄膜；以底层材料上剩余的多层金属薄膜为掩膜对底层材料进行刻蚀，利用多层金属薄膜对底层材料的不同刻蚀方向选择比来实现对背孔剖面形状的控制。利用本发明公开的方法，可以获得了倾斜的刻蚀剖面，便于背孔内壁起镀层金属的完整覆盖，从而实现了背孔内镀层金的完整填充。
控制剖面形状方法

[发明专利]控制背孔剖面形状的方法-CN201010520271.1有效
发明人：魏珂;黄俊;刘果果;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制背孔剖面形状的方法。该方法包括：在底层材料上沉积金属薄膜；刻蚀去除底层材料上背孔位置沉积的金属薄膜；以底层材料上剩余的金属薄膜为掩膜对底层材料进行等离子刻蚀，通过逐步降低等离子刻蚀过程中制冷介质的流量来实现对背孔剖面形状的控制。利用本发明公开的方法，可以获得倾斜的背孔剖面，便于背孔内壁起镀层金属的完整覆盖，从而实现了背孔内镀层金的完整填充。
控制剖面形状方法

[发明专利]一种T型栅HEMT器件及其制作方法-CN201110340553.8有效
发明人：魏珂;刘新宇;黄俊;刘果果 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开一种T型栅HEMT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括：本体层、外延层、源极、漏极和钝化层；在所述钝化层表面内形成细栅图形；在具有细栅图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形；在所述钝化层表面内和外延层表面内形成T型栅图形的栅脚图形；形成T型栅，所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内，且所述栅脚底部被分为呈阶梯状排列的两部分，靠近源极的部分比靠近漏极的部分长。T型栅产生的电场更加均匀，在实际应用的时候可以降低栅脚靠近漏极一侧的边缘电场，进而降低漏压，使得器件的击穿电压升高。
一种型栅 hemt 器件及其制作方法

[发明专利]一种T型栅HEMT器件及其制作方法-CN201110340571.6无效
发明人：魏珂;刘新宇;黄俊;刘果果 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开一种T型栅的HEMT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括：本体层、外延层、源极、漏极和钝化层；在所述钝化层表面内形成楔形栅脚图形；在具有楔形栅脚图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形；以具有T型栅图形的双层光刻胶层为掩膜，形成T型栅，所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内，且所述T型栅的栅脚底部呈楔形，该楔形的楔角位于所述T型栅靠近源极的一侧的栅脚底部。T型栅靠近源极的一侧在物理距离上更靠近沟道电子，增强了T型栅对沟道电子的控制能力，并且削弱了T型靠近漏极一侧的栅脚电场，使得器件的击穿电压升高。
一种型栅 hemt 器件及其制作方法

[发明专利]一种通过肖特基测试图形检测GaN基HEMT可靠性的方法-CN201010241994.8无效
发明人：赵妙;王鑫华;刘新宇;郑英奎;欧阳思华;魏珂;李艳奎 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过肖特基测试图形检测GaN基HEMT可靠性的方法，该方法通过制作不同直径的肖特基阵列图形，对其进行变频和变电压的电容电压曲线的测量，通过缺陷同电容电压曲线的变化关系，分别确定器件的缺陷密度和时间常数，实现对GaN基HEMT可靠性的检测。本发明采用的是一种简易可操作的方法实现了对器件缺陷密度的检测，利于对器件进行相应的可靠性分析。
一种通过肖特基测试图形检测 gan hemt 可靠性方法

[发明专利]降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法-CN201110340567.X有效
发明人：黄俊;魏珂;刘果果;樊捷;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法，包括：提供基底，基底包括缓冲层、位于所述缓冲层表面上的外延层、位于所述外延层表面上的帽层以及位于所述帽层表面上的钝化层；采用钝化层刻蚀粒子刻蚀掉栅槽上方预设厚度的钝化层材料，以在所述钝化层表面内形成栅槽图形，所述预设厚度小于钝化层的厚度；采用帽层刻蚀粒子刻蚀上方剩余厚度的钝化层材料以及栅槽区域的帽层材料，以在所述钝化层和所述帽层表面内形成HEMT器件的栅槽。本发明实施例剩余厚度的钝化层材料阻止了钝化层刻蚀粒子对帽层材料的刻蚀，降低的栅槽刻蚀损伤，提高了HEMT器件电性和良率。
降低 hemt 器件刻蚀损伤方法

[发明专利]一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法-CN201010233999.6有效
发明人：赵妙;王鑫华;刘新宇;郑英奎;李艳奎;欧阳思华;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-07-22 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法，属于半导体器件技术领域。所述方法：搭建用于测量GaN基HEMT器件低频噪声的测试平台；利用测试平台测量GaN基HEMT器件的低频噪声曲线；对低频噪声曲线进行分析，获得表征GaN基HEMT器件的低频噪声特性参数。本发明通过搭建用于GaN基HEMT器件低频噪声测试的测试平台，对器件的低频噪声特性进行相应的测量，结合已有的低频噪声模型，通过一系列的拟和分析，获得器件的低频噪声特征参数，实现对器件可靠性的评价。
一种 gan hemt 器件可靠性评估方法

[发明专利]一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法-CN201010227180.9有效
发明人：黄俊;魏珂;刘新宇;刘果果;樊捷 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，该方法包括：增大ICP托盘内径尺寸；提高ICP托盘高度；以及将待刻蚀的GaN外延片粘附于载片之上再进行栅槽刻蚀。本发明通过增大ICP等离子体刻蚀机反应腔体内的等离子体分布体积，降低等离子体密度，缩短等离子体加速距离，达到消除GaN外延片厚度对栅槽刻蚀的影响，降低GaNHEMT栅槽刻蚀过程中的等离子体轰击损伤，提高器件直流和高频特性。
一种提高 gan hemt 刻蚀重复性方法

[发明专利]一种检测器件肖特基漏电模式的方法-CN201010217186.8有效
发明人：赵妙;王鑫华;刘新宇;郑英奎;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-06-23 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测器件肖特基漏电模式的方法，其特征在于，该方法首先制作不同半径的圆形肖特基测试图形，然后对不同半径下的肖特基测试图形进行直流的测量，通过数值的拟和，获得泄漏电流同半径之间的相关性，然后根据该相关性准确确定器件的肖特基漏电模式。本发明是一种有效获得器件肖特基漏电模式的方法，实现了对器件肖特基漏电方式的检测，利于对器件进行肖特基漏电的可靠性分析，无论对于器件的工艺过程还是对器件可靠性的分析都具有重要的指导意义。
一种检测器件肖特基漏电模式方法

[发明专利]一种提高AlGaN/GaN HEMT频率特性的方法-CN201010217196.1无效
发明人：刘果果;魏珂;黄俊;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-06-23 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高AlGaN/GaN HEMT频率特性的方法，该方法包括：对常规结构的毫米波GaN HEMT器件进行布线，然后通过光学光刻，在器件表面形成对布线金属保护的图形；采用湿法腐蚀工艺对器件进行一次介质的腐蚀；对腐蚀后的器件进行剥离去胶。利用本发明，减少了栅源、栅漏寄生电容，提高了器件截止频率(ft)和最高振荡频率(fmax)。
一种提高 algan gan hemt 频率特性方法

[发明专利]一种芯片背面金属起镀层结构及其制备方法-CN201010162251.1有效
发明人：庞磊;陈晓娟;罗卫军;魏珂;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓微波单片集成电路中的背面金属起镀层结构及其制备方法。所述金属起镀层结构淀积在芯片背面经过盲孔刻蚀后的SiC衬底层或Al2O3衬底层之上，与芯片正面需要接地的金属PAD(通常由钛/金金属构成)连通，或者与其他元件进行电气通路的连接，起镀层采用磁控溅射台溅射得到。本发明所采用的背面金属起镀层具有很好的稳定性和可靠性，与正面金属的连通性极高，可以极好地弥补盲孔刻蚀过程所引起的芯片背面的不平整性，为溅射背面起镀层的后续工艺——电镀软金传导层打下良好的基础，并且由此种背面金属起镀层所产生的附加串联电阻较小，对提高电路整体性能起到很大的作用。
一种芯片背面金属镀层结构及其制备方法

[发明专利]SiC衬底的减薄方法-CN201110146097.3无效
发明人：魏珂;黄俊;刘果果;李诚瞻;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC衬底的减薄方法，其包括匀光刻胶，保护表面制备完成的基于SiC衬底的AlGaN/GaNHEMT器件；将所述器件背面向上，将器件用蜡粘贴在托片上；将粘贴在所述托片上的器件放进ICP刻蚀机腔体进行刻蚀。根据本发明提供的SiC衬底的减薄方法，可以有效缩短SiC衬底的减薄时间，提高工作效率，减少减薄时间。另外，由于整个衬底减薄过程中没有机械剪切力，器件的性能不会有明显的降低。
sic 衬底方法

[发明专利]一种制作U型栅脚T型栅结构的方法-CN201110133545.6有效
发明人：孔欣;魏珂;刘新宇;黄俊;刘果果 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-05-23 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作U型栅脚T型栅结构的方法，该方法包括：在器件做完源漏和隔离后，在器件表面制备SiNx钝化层；使用ZEP520A电子束光刻胶对器件进行曝光显影得到刻蚀窗口；刻蚀SiNx钝化层形成U型栅脚结构；再刻蚀AlGaN势垒层，并通过双层胶二次曝光得到栅帽；以及经过蒸发、剥离形成U型栅脚T型栅结构。利用本发明，能够有效平滑T型栅栅脚近漏端的电场分布并降低峰值电场强度从而提高器件的击穿电压，同时对短沟道效应也能起到一定的抑制作用。
一种制作型栅脚结构方法

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