[实用新型]一种高纯硅环减小直拉单晶炉液面波动的结构有效

专利信息
申请号: 202320219592.0 申请日: 2023-02-15
公开(公告)号: CN219689932U 公开(公告)日: 2023-09-15
发明(设计)人: 任永生;王正省;马文会;雷云;魏奎先;吕国强;伍继君;李绍元;曾毅;祖钰博 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C30B15/22 分类号: C30B15/22;C30B29/06
代理公司: 云南盛恒知识产权代理有限公司 53224 代理人: 赵晓琴
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 实用新型设计公开了一种高纯硅环减小直拉单晶炉液面波动的结构,包括:水冷屏、高纯硅环,所述的水冷屏的下方安装有高纯硅环,高纯硅环与水冷屏下端通过钨丝绳连接;以减小液面晃动,同时起到隔离自由熔体表面杂质移向成晶界面的作用。本实用新型的功能是该结构目的在于利用拉单晶时较低的液面温度,在将具有一定纯度和结构的硅环置于液面上时,不会被熔化,在不进行提拉时,硅环也不会生长单晶,与硅熔体保持平衡状态;且高纯硅环可有效减小液面波动,阻隔连续加料时颗粒硅移向生长界面,与石英挡板相比,较大程度减小氧原子的输入,减小对硅熔体的污染。
搜索关键词: 一种 高纯 减小 直拉单晶炉 液面 波动 结构
【主权项】:
暂无信息
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