[实用新型]一种高纯硅环减小直拉单晶炉液面波动的结构有效
申请号: | 202320219592.0 | 申请日: | 2023-02-15 |
公开(公告)号: | CN219689932U | 公开(公告)日: | 2023-09-15 |
发明(设计)人: | 任永生;王正省;马文会;雷云;魏奎先;吕国强;伍继君;李绍元;曾毅;祖钰博 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | C30B15/22 | 分类号: | C30B15/22;C30B29/06 |
代理公司: | 云南盛恒知识产权代理有限公司 53224 | 代理人: | 赵晓琴 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本实用新型设计公开了一种高纯硅环减小直拉单晶炉液面波动的结构,包括:水冷屏、高纯硅环,所述的水冷屏的下方安装有高纯硅环,高纯硅环与水冷屏下端通过钨丝绳连接;以减小液面晃动,同时起到隔离自由熔体表面杂质移向成晶界面的作用。本实用新型的功能是该结构目的在于利用拉单晶时较低的液面温度,在将具有一定纯度和结构的硅环置于液面上时,不会被熔化,在不进行提拉时,硅环也不会生长单晶,与硅熔体保持平衡状态;且高纯硅环可有效减小液面波动,阻隔连续加料时颗粒硅移向生长界面,与石英挡板相比,较大程度减小氧原子的输入,减小对硅熔体的污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 高纯 减小 直拉单晶炉 液面 波动 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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