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[发明专利]僵尸主控机发现设备和方法-CN201780038407.5有效
发明人：胡博;井上昌幸;高桥健司 -专利权人：日本电信电话株式会社
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H04L12/70 文献下载
摘要：一种系统和方法生成多个已知恶意实体集群，已知恶意实体是一个或更多个已知恶意IP地址、一个或更多个已知恶意域以及已知恶意域和已知恶意IP地址；该系统和方法在多个源IP地址与多个目的地IP地址之间执行各个已知恶意实体集群中的各个IP地址的流匹配，以识别多个主机流，其中，各个主机流具有与已知恶意实体集群中的特定IP地址相匹配的源IP地址或目的地IP地址；该系统和方法通过分析僵尸与僵尸主控机之间的流特征差异来从与各个已知恶意实体集群相对应的所述多个主机流中检测出各个已知恶意实体集群的僵尸主控机。
僵尸主控发现设备方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体制造装置-CN201510098261.6有效
发明人：志摩真也;高桥健司 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种半导体装置的制造方法及半导体制造装置，能以容易且廉价的顺序从第一衬底粘接于第二衬底而成的衬底剥离所述第一衬底。根据实施方式，所述制造方法具有以下步骤：在第一衬底的背面侧贴附贴片，所述第一衬底于表面的外周部具有粘接层的一部分，隔着所述粘接层及剥离层而设置有第二衬底，且形成有半导体元件，所述贴片涂布有粘接强度会因紫外线照射而降低的粘接剂；从所述贴片的背面对设置于所述第一衬底的外周部的所述粘接剂部分照射紫外线而使粘接强度降低；以及在粘接强度降低的所述粘接剂部分及所述剥离层部分，将贴附于所述贴片的状态下的所述第一衬底剥离而使其与所述第二衬底分离。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置-CN201510848886.X有效
发明人：白河达彦;高桥健司;高野英治;志摩真也 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能提高支撑基板的材料选择自由度的半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置。本实施方式的半导体装置的制造方法是对具备半导体基板、支撑基板及接合层的积层体，从支撑基板侧照射具有0.11至0.14eV的能量的电磁波，所述支撑基板含有硅，所述接合层配置在半导体基板与支撑基板之间，且将半导体基板与支撑基板接合。而且，在半导体装置的制造方法中，将半导体基板从支撑基板分离。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210068481.0无效
发明人：本乡悟史;谷田一真;高桥健司 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开一种半导体装置及其制造方法。根据一个实施例，半导体装置包括：装置基板；和支持基板。支持基板，在上述装置基板上接合。上述装置基板，在与上述支持基板的接合面侧的外周部具有第1沟槽。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201210043827.1有效
发明人：本乡悟史;谷田一真;堀哲浩;高桥健司;沼田英夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。实施例的半导体制造方法具备：在第1基板的主表面上形成作为包含光电二极管的有源区域的光电二极管层的步骤；在所述光电二极管层上，形成包含布线以及覆盖该布线的绝缘层的布线层的步骤；在所述布线层上形成绝缘膜的步骤。实施例的半导体制造方法还具备：以使所述光电二极管层的晶体取向和第2基板的晶体取向一致的方式将所述第2基板接合到所述第1基板的所述绝缘膜的步骤。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体制造装置及半导体基板接合方法-CN201210018300.3无效
发明人：谷田一真;本乡悟史;山口直子;高桥健司;沼田英夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供半导体制造装置及半导体基板接合方法。根据实施例的半导体制造装置，具备：第1部件，保持第1半导体基板；第2部件，保持第2半导体基板，使接合面与第1半导体基板的接合面相对向；距离检测单元，检测第1半导体基板的接合面和第2半导体基板的接合面的距离；调节单元，调节第1半导体基板的接合面和第2半导体基板的接合面的距离；第3部件，在第1半导体基板和第2半导体基板之间形成接合开始点。
半导体制造装置接合方法

[发明专利]挠性印制电路基板、使用了它的电子设备以及光盘记录装置-CN201010559890.1有效
发明人：北山晃;井原光一;高桥健司;井户立身 -专利权人：日立乐金资料储存公司;日立民用电子株式会社
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G11B33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种挠性印制电路基板、使用了它的电子设备以及光盘记录装置，挠性印制电路基板1包括：1个以上的差动线路、将1处以上固定在框体上的固定部(2)以及形状根据2个框体的相对位置的变化而变化的可动部(3)。与上述差动线路相邻的线路是接地面，上述挠性印制电路基板(1)的上述可动部(3)的线路间距离比上述固定部(2)的线路间距离形成得窄。根据本发明，在具有光盘记录装置等2个电路基板的相对位置发生变化的装置的电子设备中，通过使将2个电路基板间电连接在一起的挠性印制电路基板发生形状变化，从而抑制与框体等金属接触而引起的传输特性变动，提供稳定的信号传送。
印制路基使用电子设备以及光盘记录装置

[发明专利]注射成形用模具装置-CN200710128351.0无效
发明人： 高桥健司;林昭 -专利权人：富士能佐野株式会社
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： B29C45/33 文献下载
摘要：本发明提供一种注射成形用模具装置。螺纹芯(51)被芯组件(4)的第二部分(50)保持，在第一模具(2)和第二模具(3)的分离时，一边经由齿条(6)以及齿轮列(7)旋转一边从螺纹部(92)拔出。根切用芯(41)与芯组件(4)的第一部分(40)一体地形成，在可动侧靠模(31)和可动侧托板(32)的分离时，通过倾斜销(34)和倾斜销孔(57)滑接而从根切部(91)脱模。
注射成形模具装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710096315.0有效
发明人：关口正博;高桥健司;沼田英夫;白河达彦;佐藤二尚 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-04-10 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种半导体器件，具备：表面侧形成有电极焊盘的半导体基板；贯通电极，其具有：形成为从所述半导体基板的背面侧到达形成于所述电极焊盘上的金属凸块的贯通孔，以覆盖所述贯通孔的内壁的方式形成的绝缘树脂，以及在利用所述绝缘树脂与所述半导体基板绝缘的状态下形成于所述贯通孔内，并将所述电极焊盘与所述半导体基板的背面侧电连接的导体；半导体芯片，其以背面彼此相对的方式安装在所述半导体基板的背面侧；以及布线，其将所述贯通电极和形成于所述半导体芯片的电极电连接。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]电子部件、模块及模块的组装方法、识别方法及环境设定方法-CN200480014803.7无效
发明人：佐藤知稔;根本义彦;高桥健司;秋山雪治 -专利权人：夏普株式会社;株式会社东芝;株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-05-28 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种能够以相同结构层叠为多层以组装成模块的电子部件。以预定的设定次数的旋转对称或者以与包含所述旋转对称及对称轴线的面对称地形成各端子组(31～36)的各端子。公共连接端子组(32，36)的各端子(A0～A7，RFCG)在层叠方向两侧的表面部形成连接部。个别连接端子组(31，33)的各端子中，一个特定端子(CS；KEY)在层叠方向两侧的表面部的至少一方形成连接部，余下的相关端子(NC；DMY)在层叠方向两侧的表面部形成连接部。通过将这样的电子部件(20)分别相互错开规定角度或者进一步翻转以进行层叠，能够采用相同的电子部件(20)较佳地组装模块，其中，规定角度是指将360度除以所述设定次数得到的角度。
电子部件模块组装方法识别环境设定

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN200510102531.2有效
发明人：沼田英夫;江泽弘和;田窪知章;高桥健司;青木秀夫;原田享;金子尚史;池上浩;松尾美惠;大村一郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-09-08 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明的半导体器件，具备：具有贯通孔的半导体基板；在上述贯通孔的内面上形成的第1绝缘树脂层；在上述半导体基板的表背面中的至少一方的面上形成的第2绝缘树脂层；以及在上述贯通孔内以至少把上述半导体基板的表背两面间连接起来的方式连续地形成，而且，已借助于上述第1绝缘树脂层与上述贯通孔的内面绝缘的第1导电体层。在第2绝缘树脂层上，可以具备已与贯通孔内的第1导电体层电连的第2导电体层(布线图形)。可以得到在贯通孔内形成、构成连接插塞等的导电体层的绝缘可靠性高，适合于多芯片封装体等的半导体器件。连接半导体基板的表背间的导电体层和绝缘层的形成性高，可以削减形成成本。
半导体器件制造方法

[发明专利]晶片支持板、薄膜晶片的保持方法和半导体器件的制造方法-CN200510102579.3有效
发明人：原田享;田窪知章;高桥健司;青木秀夫;沼田英夫;金子尚史;江泽弘和;松尾美惠;池上浩;大村一郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-09-12 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：晶片支持板由紫外线可透过的玻璃或树脂形成为大致圆板状，其外径比要支持的半导体晶片的外径大。在晶片支持板上，与在半导体晶片上形成的多个贯通孔相对应地形成有多个开口。这些开口的开口面积比贯通孔的开口面积更宽广，即，开口直径更大。
晶片支持薄膜保持方法半导体器件制造

[发明专利]半导体芯片及其制造方法、半导体装置及其制造方法-CN200510091409.X有效
发明人：谷田一真;根本义彦;高桥健司 -专利权人：罗姆股份有限公司;株式会社瑞萨科技;株式会社东芝
申请日： 2005-08-10 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体芯片的制造方法，包括：在具有表面及背面并在所述表面上形成了功能元件的半导体基板的所述表面上，形成比所述半导体基板的厚度更小的给定的深度的表面侧凹部的工序；向该表面侧凹部内供给非金属材料，将由该非金属材料制成的虚设塞子嵌入所述表面侧凹部中的虚设塞子形成工序；在该虚设塞子形成工序之后，将所述半导体基板的所述背面侧部分除去，将所述半导体基板薄型化为比所述表面侧凹部的深度更小的厚度，将所述表面侧凹部制成贯穿孔的薄型化工序；将所述贯穿孔内的所述虚设塞子除去的虚设塞子除去工序；在该虚设塞子除去工序之后，向所述贯穿孔供给金属材料，形成贯穿电极的工序。
半导体芯片及其制造方法装置

[发明专利]基于地址的验证系统及其装置和程序-CN200480001195.6有效
发明人：鹤冈行雄;菊地能直;水野伸太郎;高桥健司;唐泽圭 -专利权人：日本电信电话株式会社
申请日： 2004-07-12 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：由验证服务器分配给用户的地址被用作从用户终端发送的分组的IP地址，则防止了如果IP地址被窃取时的非法使用。验证服务器100根据从用户终端发送的用户验证信息来执行用户的验证，并且一旦成功验证，将地址分配给用户终端，并发出将返回到用户终端的包含地址的票。用户终端将票中包含的地址设定为源地址，并且在请求建立会话时，向应用服务器300发送票。在检验到该票真实之后，服务器300存储该票并且建立与用户终端的会话。用户终端利用会话向服务器300发送包含源地址的服务请求分组。如果源地址与所存储的票中包含的地址一致，则服务器300向用户提供服务。
基于地址验证系统及其装置程序

[发明专利]新的二氢吲哚化合物和其医药用途-CN03822088.1无效
发明人：神谷尚治;井贝美穗;高桥健司;樽见忠亚;笠井正恭;吉见彰久;白波瀬弘明 -专利权人：京都药品工业株式会社
申请日： 2003-07-16 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： C07D209/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种由式(I)所代表的二氢吲哚化合物：(I)(其中符号具有与说明书中所描述的相同的含义)或该化合物的可药用盐；以及包含该二氢吲哚化合物或可药用盐的药物组合物。该化合物显示出优良的ACAT抑制活性和脂过氧化物抑制活性，并其作为ACAT抑制剂或脂过氧化物抑制剂十分有用。
吲哚化合物医药用途

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