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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201811571109.5有效
发明人：志摩真也;久米一平;秦栄一;高野英治;白野贵士;藤井美香 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够抑制贯通电极的不良的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包含如下步骤：经由接着剂而将在第1面形成着元件的元件衬底的第1面贴合在支撑衬底；将元件衬底贴合在所述支撑衬底后，基于通过RIE形成半导体衬底时的面内加工速率，对元件衬底的第1面的相反面的第2面侧进行研磨使其薄化；将元件衬底薄化后，通过RIE而形成从第2面侧朝向第1面侧贯通元件衬底的孔；及在孔中填入金属而形成贯通电极。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201811568837.0有效
发明人：白野贵士;高野英治;丰田现;秦荣一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：实施方式提供一种提高了衬底接合的可靠性的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包括如下步骤：将支撑衬底与半导体衬底的第一面经由粘接层而粘接；对半导体衬底的第一面及相反侧的第二面进行加工，而将半导体衬底薄膜化；第一研磨步骤，在半导体衬底的薄膜化之后，将形成在支撑衬底或半导体衬底的斜面部的粘接层的一部分利用第一研磨面进行研磨而去除；及第二研磨步骤，在第一研磨步骤之后，将残存于支撑衬底或半导体衬底的斜面部的粘接层利用与第一研磨面不同的第二研磨面进行研磨而去除。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210166688.5在审
发明人： 高野英治 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本实施方式涉及的半导体装置的制造方法包括：在具有第1面和与第1面相反侧的第2面的支承体的第1面上设置半导体芯片。在第1面上形成将半导体芯片覆盖的第1树脂层，并且在第2面上形成第2树脂层。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201710660942.6有效
发明人：志摩真也;高野英治;久米一平;野田有辉 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置。所述制造方法是将第1、第2半导体衬底积层，该第1半导体衬底具有包含半导体元件的第1面及位于该第1面的相反侧的第2面，该第2半导体衬底具有包含半导体元件的第3面及位于该第3面的相反侧的第4面。从第2面起进行蚀刻而形成从该第2面到达至第1面的第1接触孔，并且在第2面中的第1区域形成第1槽。形成被覆第1槽的第1掩模材料。将第1掩模材料用作掩模，在第1接触孔内形成第1金属电极。在去除第1掩模材料之后，将第1区域切断。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置-CN201510848886.X有效
发明人：白河达彦;高桥健司;高野英治;志摩真也 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能提高支撑基板的材料选择自由度的半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置。本实施方式的半导体装置的制造方法是对具备半导体基板、支撑基板及接合层的积层体，从支撑基板侧照射具有0.11至0.14eV的能量的电磁波，所述支撑基板含有硅，所述接合层配置在半导体基板与支撑基板之间，且将半导体基板与支撑基板接合。而且，在半导体装置的制造方法中，将半导体基板从支撑基板分离。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及积层体-CN201510977715.7有效
发明人： 高野英治 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供能够确保生产性且以低成本进行半导体基板的薄化的半导体装置的制造方法及积层体。本实施方式的半导体装置的制造方法，在半导体基板中的与应研削的第1面为相反侧的第2面形成含有树脂的支撑体，在所述支撑体上形成导电膜，通过对第1面进行研削而使半导体基板的厚度变薄，去除支撑体及导电膜。
半导体装置制造方法积层体

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201310364759.3有效
发明人： 高野英治 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置的制造方法。在半导体装置的制造方法中，在第1基板的一方的主面上设置第1粘接剂层。经由第2粘接剂层贴合第1基板和第2基板，对于第2粘接剂层，具有热硬化性，与贴合在第1基板的第2基板及第1基板之间的粘附力比与第1粘接剂层间的粘附力大，以及覆盖第1粘接剂层的表面。研磨第1基板的另一方的主面，薄化第1基板。向第2粘接剂层的周边部施加物理的力，形成沿着第2粘接剂层的外周的环状的切口部。在第1粘接剂和第2粘接剂的界面分离第1基板和第2基板。切口部形成为，外周位于比第2粘接剂层的外周更靠内侧，内周比第1粘接剂层的外周更靠内侧，并且，在与第2基板间留下第2粘接剂层。
半导体装置制造方法

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