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[实用新型]半导体器件-CN201920904236.6有效
发明人：王英杰;饶晓俊 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底，在半导体衬底的第二表面引出第二电极端；外延层，位于半导体衬底的第一表面上；基区，自外延层表面延伸至外延层中；发射区，自基区表面延伸至基区中以引出第一电极端；第一掺杂区，自外延层表面延伸至外延层中，第一掺杂区与基区被外延层分隔；第二掺杂区，位于外延层中，分别与基区、第一掺杂区接触；以及电导通路径，用于将第一掺杂区与外延层电连接，其中，半导体衬底、外延层以及发射区的掺杂类型为第一掺杂类型，基区、第一掺杂区以及第二掺杂区的掺杂类型为第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型相反。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910520014.9在审
发明人：王英杰;饶晓俊 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底，在半导体衬底的第二表面引出第二电极端；外延层，位于半导体衬底的第一表面上；基区，自外延层表面延伸至外延层中；发射区，自基区表面延伸至基区中以引出第一电极端；第一掺杂区，自外延层表面延伸至外延层中，第一掺杂区与基区被外延层分隔；第二掺杂区，位于外延层中，分别与基区、第一掺杂区接触；以及电导通路径，用于将第一掺杂区与外延层电连接，其中，半导体衬底、外延层以及发射区的掺杂类型为第一掺杂类型，基区、第一掺杂区以及第二掺杂区的掺杂类型为第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型相反。
掺杂区外延层掺杂类型基区衬底半导体器件半导体外延层表面电极端发射区延伸电导通路径第二表面第一表面基区表面电连接分隔制造申请

[实用新型]电容式压力传感器和惯性传感器集成器件-CN201420006664.4有效
发明人：季锋;范伟宏;闻永祥;刘琛;饶晓俊 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电容式压力传感器和惯性传感器集成器件，该器件包括：半导体衬底；覆盖该半导体衬底的外延层，该外延层下方的压力传感器区域内的半导体衬底中具有空腔；位于外延层上的第一介质层；位于第一介质层上的第一导电层；位于第一导电层上的第二介质层；位于第二介质层上的第二导电层，空腔上方的第二导电层被图形化为多个并列的电容极板，惯性传感器区域的第二导电层被图形化为可动质量块；位于第二导电层上的电极层，压力传感器区域的电极层被图形化为压力传感器布线，惯性传感器区域的电极层被图形化为惯性传感器压点区。本实用新型将电容式压力传感器和惯性传感器集成在同一器件中，使得芯片面积更小，成本更低。
电容压力传感器惯性传感器集成器件

[实用新型]各向异性磁阻传感器垂直结构-CN201320863100.8有效
发明人：闻永祥;季锋;刘琛;饶晓俊 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种各向异性磁阻传感器垂直结构，该结构包括：半导体衬底；第一绝缘层，覆盖该半导体衬底；磁性电阻金属条，位于该第一绝缘层上；接触金属层，位于该磁性电阻金属条上；磁阻金属短路条，位于该接触金属层上；第二绝缘层，覆盖该磁阻金属短路条、磁性电阻金属条以及第一绝缘层，并且该第二绝缘层在该磁阻金属短路条的上方具有通孔；置位复位金属布线层，位于第二绝缘层上并通过该通孔与磁阻金属短路条接触；第三绝缘层，覆盖该置位复位金属布线层和第二绝缘层。本实用新型的各向异性磁阻传感器结构简单，并且其形成方法和微电子工艺的匹配性很好，适合大批量工业化生产，有利于提高产品的可靠性，具有广泛的应用性。
各向异性磁阻传感器垂直结构

[发明专利]电容式压力传感器和惯性传感器集成器件及其形成方法-CN201410005181.7有效
发明人：季锋;范伟宏;闻永祥;刘琛;饶晓俊 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种电容式压力传感器和惯性传感器集成器件及其形成方法，该器件包括：半导体衬底；覆盖该半导体衬底的外延层，该外延层下方的压力传感器区域内的半导体衬底中具有空腔；位于外延层上的第一介质层；位于第一介质层上的第一导电层；位于第一导电层上的第二介质层；位于第二介质层上的第二导电层，空腔上方的第二导电层被图形化为多个并列的电容极板，惯性传感器区域的第二导电层被图形化为可动质量块；位于第二导电层上的电极层，压力传感器区域的电极层被图形化为压力传感器布线，惯性传感器区域的电极层被图形化为惯性传感器压点区。本发明将电容式压力传感器和惯性传感器集成在同一器件中，使得芯片面积更小，成本更低。
电容压力传感器惯性传感器集成器件及其形成方法

[发明专利]各向异性磁阻传感器垂直结构及其制造方法-CN201310728928.7有效
发明人：闻永祥;季锋;刘琛;饶晓俊 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明提供的一种各向异性磁阻传感器垂直结构及其制造方法，该结构包括：半导体衬底；第一绝缘层，覆盖该半导体衬底；磁性电阻金属条，位于该第一绝缘层上；接触金属层，位于该磁性电阻金属条上；磁阻金属短路条，位于该接触金属层上；第二绝缘层，覆盖该磁阻金属短路条、磁性电阻金属条以及第一绝缘层，并且该第二绝缘层在该磁阻金属短路条的上方具有通孔；置位复位金属布线层，位于第二绝缘层上并通过该通孔与该磁阻金属短路条接触；第三绝缘层，覆盖该置位复位金属布线层和第二绝缘层。本发明的各向异性磁阻传感器结构简单，并且其形成方法和微电子工艺的匹配性很好，适合大批量工业化生产，有利于提高产品的可靠性，具有广泛的应用性。
各向异性磁阻传感器垂直结构及其制造方法

[发明专利]用于MEMS工艺中的深槽制造方法-CN201310464958.1有效
发明人：季锋;范伟宏;闻永祥;刘琛;饶晓俊 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供的用于MEMS工艺中的深槽制造方法，通过在一用于MEMS封帽的硅衬底的正面上依次形成一缓冲层和一掩蔽层，在硅衬底的背面形成一接触层；对掩蔽层进行刻蚀，形成暴露出缓冲层的腐蚀窗口；第一酸性溶液去除暴露出的缓冲层，利用电化学腐蚀在腐蚀窗口对应的硅衬底位置处形成多孔硅层后，停止电化学腐蚀，利用多孔硅层在碱性溶液中腐蚀速率快的特点形成深槽，或者多孔硅层易于氧化后，使用第二酸性溶液去除热氧化硅层以形成深槽。本发明的腐蚀方向与晶向无关，可形成类似的U型槽，实现的设备简单、成本低廉、能达到更高的深宽比。
用于 mems 工艺中的制造方法

[发明专利]MEMS玻璃浆料键合结构及其制造方法-CN201310346945.4有效
发明人：闻永祥;季锋;刘琛;饶晓俊 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种MEMS玻璃浆料键合结构及其制造方法，该结构包括：封帽硅片，其上设置有微机械保护腔和位于该微机械保护腔外围的第一玻璃浆料键合区；器件硅片，其上设置有微机械结构槽和位于该微机械结构槽外围的第二玻璃浆料键合区，该微机械结构槽与微机械保护腔的位置相对应；该封帽硅片上在该微机械保护腔和第一玻璃浆料键合区之间设置有玻璃浆料隔离槽，该器件硅片上在该微机械结构槽和第二玻璃浆料键合区之间设置有玻璃浆料保护槽，该玻璃浆料保护槽和所述封帽硅片上的玻璃浆料隔离槽的位置相对应，该第一玻璃浆料键合区和第二玻璃浆料键合区之间通过玻璃浆料键合。本发明能够减小玻璃浆料横向延展而扩大的玻璃浆料键合区域的面积。
mems 玻璃浆料结构及其制造方法

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