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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有阻变特性的电子器件-CN202211415310.0在审
发明人： 具元泰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本公开涉及具有阻变特性的电子器件。根据本公开的实施方式的电子器件包括衬底；基底电极层，其设置在衬底之上；第一操作电极层和第二操作电极层，第一操作电极层和第二操作电极层设置在基底电极层之上以彼此间隔开；沟道层，其在基底电极层之上设置在第一操作电极层和第二操作电极层之间；质子导电层，其设置在第一操作电极层和第二操作电极层以及沟道层之上；氢源层，其设置在质子导电层之上；以及控制电极层，其设置在氢源层之上。
具有特性电子器件

[发明专利]包括绝热层的半导体器件及其制造方法-CN202211406604.7在审
发明人：李雨哲;具元泰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。公开的半导体器件包括衬底、设置在衬底之上的器件图案结构以及设置在器件图案结构上的绝热层。器件图案结构包括金属有机框架。
包括绝热半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211389344.7在审
发明人：李雨哲;具元泰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本公开涉及包括电阻变化层和嵌入金属离子的金属有机框架层的半导体器件及其制造方法。根据本公开的实施方式的半导体器件包括第一电极、设置在第一电极上的第一电阻变化层、设置在第一电阻变化层上的导电控制层、设置在导电控制层上的第二电阻变化层以及设置在第二电阻变化层上的第二电极。导电控制层包括金属有机框架层和嵌设在金属有机框架层中金属粒子。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括电荷陷阱位点的半导体器件及其制造方法-CN202210858453.2在审
发明人： 具元泰;徐东益 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本申请公开了包括电荷陷阱位点的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一电极、设置在第一电极上的铁电层、设置在铁电层上的介电层、设置在介电层的内部区域中的电荷陷阱位点以及设置在介电层上的第二电极。介电层可以具有非铁电性质。介电层与铁电层设置于第一电极与第二电极之间且彼此串联连接。该半导体器件可以包括分布在具有非铁电性质的介电层的内部区域中的电荷陷阱位点。
包括电荷陷阱半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括包含MXene的互连结构的半导体器件及其制造方法-CN202210833246.1在审
发明人： 具元泰;韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。半导体器件包括：第一导电层，该第一导电层包含第一金属；第二导电层，该第二导电层电连接到第一导电层并且包含第二金属；以及互连结构，该互连结构对第一导电层与第二导电层的连接部分是共同的。互连结构包括：晶种层，该晶种层在第一导电层上，并且包含石墨烯；以及金属迁移阻挡层，该金属迁移阻挡层在晶种层上，并且包含MXene。
包括包含 mxene 互连结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210836293.1在审
发明人： 具元泰;徐东益 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：根据本发明实施例的半导体装置包括：衬底、设置在衬底上的第一外延电极层、设置在第一外延电极层上的铁电外延层、设置在铁电外延层上的电介质外延层以及设置在电介质外延层上的第二外延电极层。铁电外延层实现负电容。第一外延电极层和第二外延电极层中的每一个包括导电烧绿石氧化物。铁电外延层和电介质外延层串联电连接。包括铁电外延层和电介质外延层的电介质结构是非铁电的。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]包括铁电层和电介质结构的半导体器件及其制造方法-CN202210991048.8在审
发明人： 具元泰;徐东益;李世昊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一电极；铁电层，该铁电层设置在第一电极上并且实现负电容；电介质结构，该电介质结构设置在铁电层上并包括交替叠置的第一电介质层和第二电介质层；以及第二电极，该第二电极设置在电介质结构上。铁电层和电介质结构被配置为彼此串联电连接。铁电层和电介质结构共同具有非铁电特性。
包括铁电层电介质结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210843169.8在审
发明人： 具元泰;李在吉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、设置在衬底上的铁电层、设置在铁电层上的栅极绝缘层、设置在栅极绝缘层中的金属颗粒以及设置在栅极绝缘层上的栅电极层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括具有可变电阻的沟道层的电子器件及制造其的方法-CN202210844301.7在审
发明人： 具元泰;韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：公开了一种具有可变电阻的沟道层的电子器件及制造其的方法。电子器件包括：基础元件；彼此间隔开布置在基础元件上的源电极层以及漏电极层；沟道层，其在基础元件上布置于源电极层和漏电极层之间，并且容纳金属离子；金属离子导电层，其布置在沟道层上；以及栅电极层，其布置在金属离子导电层上。沟道层包括多个单元膜以及多个单元膜之间的沟道空间。多个单元膜被布置成与基本上垂直于基础元件的表面的方向平行。
包括具有可变电阻沟道电子器件制造方法

[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN202210311915.9在审
发明人： 具元泰;李在吉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底，在垂直方向设置在衬底上的铁电层，设置在铁电层上的电荷俘获层，设置在电荷俘获层上的栅极绝缘层，以及设置在栅极绝缘层上的栅电极层。电荷俘获层包括金属有机骨架层和嵌入金属有机骨架层中的金属颗粒。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210312176.5在审
发明人： 具元泰;韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括衬底和设置在衬底之上的栅结构。栅结构包括彼此交替层叠的栅电极层和层间绝缘结构。该半导体器件包括设置在衬底之上以接触栅结构的侧壁表面的电介质结构，以及设置在衬底之上的电介质结构的侧壁表面上的沟道层。每个层间绝缘结构包括设置在同一平面上的绝缘层和金属‑有机框架层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]处理靶膜的方法和制造半导体器件的方法-CN202210347106.3在审
发明人： 具元泰;林米乐 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种处理靶膜的方法和制造半导体器件的方法。在处理靶膜的方法中，提供具有彼此面对的侧壁表面的多个图案结构。在多个图案结构的侧壁上形成靶膜。使多个纳米颗粒分布在靶膜上。通过使激光从多个图案结构的上侧照射到靶薄膜上来对靶薄膜进行热处理。所照射的激光经多个纳米颗粒散射。
处理方法制造半导体器件

[发明专利]包括具有可变电阻的有源层的半导体器件-CN202210347142.X在审
发明人： 具元泰;韩在贤;李在吉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请公开了包括具有可变电阻的有源层的半导体器件。根据实施例的半导体器件包括：衬底；源电极层和漏电极层，它们彼此间隔开地被设置在所述衬底上；有源层，其被设置在所述衬底上而接触所述源电极层和所述漏电极层；以及栅电极层，其被设置在所述有源层上。该有源层包括能够解析和再吸收金属颗粒的金属氧化物。该有源层中的电阻被配置为通过金属颗粒的解析和再吸收而可逆地改变。
包括具有可变电阻有源半导体器件

[发明专利]包括包含金属-有机框架的层间绝缘结构的半导体装置-CN202210186198.1在审
发明人： 具元泰;韩在贤;李世昊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请涉及包括包含金属‑有机框架的层间绝缘结构的半导体装置。根据本公开的实施方式的半导体装置包括：基板；栅极结构，其设置于基板上方；介电结构，其在基板上方设置为接触栅极结构的侧壁表面；以及沟道层，其在基板上方设置在介电结构的侧壁表面上。栅极结构包括交替层叠的栅电极层和层间绝缘结构。层间绝缘结构包括金属‑有机框架层。
包括包含金属有机框架绝缘结构半导体装置

[发明专利]半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法-CN202111588402.4在审
发明人：韩在贤;具元泰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请涉及半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法。一种半导体存储器装置包括：沟道层；栅电极，其与沟道层间隔开；阻挡绝缘层，其位于栅电极与沟道层之间；隧道绝缘层，其位于沟道层与阻挡绝缘层之间；以及纳米颗粒，其在隧道绝缘层和阻挡绝缘层之间彼此间隔开。
半导体存储器装置制造方法

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