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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]抗电浆腐蚀薄膜结构与其制造方法-CN202210206337.2在审
发明人：吴宗丰;李文亮;林佳德;蔡宇砚;苏修贤;邱国扬;陈柏翰 -专利权人：翔名科技股份有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：一种抗电浆腐蚀薄膜结构，包括一基材、一第一抗腐蚀层、一第二抗腐蚀层与第三抗腐蚀层。第一抗腐蚀层设置于该基材上，并与该基材接触。第二抗腐蚀层设置于该第一抗腐蚀层上。第三抗腐蚀层设置于该第二抗腐蚀层上。其中，该第一抗腐蚀层与该第三抗腐蚀层是经由气相沉积方法形成。其中，该第二抗腐蚀层是经由电浆喷涂形成。本发明的有益效果是利用致密、松散、致密多层次的抗腐蚀层形成抗腐蚀结构，可用较少的时间与成本形成，并保持与习知完全致密抗腐蚀层相当的抗腐蚀特性。
抗电浆腐蚀薄膜结构与其制造方法

[发明专利]裂缝的修复方法及焊接结构-CN202210197102.1在审
发明人：吴宗丰;李文亮;蔡宇砚;苏修贤;林佳德;陈奕燊;陈进龙 -专利权人：翔名科技股份有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B23K31/02 文献下载
摘要：本发明之裂缝的修复方法及焊接结构，适用于超合金制成的一部件上，裂缝的修复方法是包括下列步骤。首先，提供一焊接材料。之后，将该焊接材料沿着一弯折型修复路径焊接于一裂缝上，以形成一焊接结构。其中，弯折型修复路径包括多个第一路径及多个第二路径。该第一路径是跨越该裂缝，且两个相邻的第一路径相互重迭形成一膜层重迭区域。此外，第二路径是链接于两个相邻的第一路径之间。此修复方法及焊接结构能降低超合金部件的制作成本及提高其整体产量。
裂缝修复方法焊接结构

[发明专利]膜层结构与其制造方法-CN202210197220.2在审
发明人：吴宗丰;李文亮;苏修贤;蔡宇砚;林佳德;陈奕燊;陈进龙 -专利权人：翔名科技股份有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：一种膜层结构，包括一基材、多个第一膜层及多个第二膜层。第一膜层设置于该基材上，上述第一膜层是沿着一第一方向设置。第二膜层设置于该基材上，上述第二膜层是沿着一第二方向设置。其中，上述第一膜层与上述第二膜层交迭设置，该第一方向与该第二方向具有一夹角。本发明的有益效果是可提供形成冶金接合、热影响区小、材料应用广泛、能以焊线或是粉末方式进行熔覆加工等优点，可克服热喷涂与氩焊的限制。
结构与其制造方法

[发明专利]耐电浆侵蚀的光学结构-CN202310095335.5在审
发明人：吴宗丰;廖俊智;林佳德;邱国扬;陈柏翰;曾涵芸 -专利权人：翔名科技股份有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明之耐电浆侵蚀的光学结构包括一透光基材及一耐电浆光学膜层，耐电浆光学膜层是设置于透光基材的一表面上。此外，耐电浆光学膜层包括至少一第一光学薄膜及至少一第二光学薄膜，第二光学薄膜是迭合在第一光学薄膜上。其中，第一光学薄膜的密度不小于4.5。耐电浆侵蚀的光学结构对于电浆具有较佳的抗侵蚀性。
耐电浆侵蚀光学结构

[实用新型]半导体封装-CN202320150241.9有效
发明人：欧宪勋;阎金明;刘娟娟;林佳德 -专利权人：日月光半导体（上海）有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体装置。本申请部分实施例提供了一种半导体封装，其包括：衬底，所述衬底包含第一表面与所述第一表面相对的第二表面，其特征在于，所述衬底包含自所述第一表面延伸至所述第二表面的通孔，其中所述通孔邻近所述第一表面的第一孔径与所述通孔的中间孔径相差小于或等于10μm，且所述通孔邻近所述第二表面的第二孔径与所述通孔的所述中间孔径相差小于或等于10μm。
半导体封装

[发明专利]集成电路板材、集成电路载板以及集成电路板材制造方法-CN202310397952.0在审
发明人：欧宪勋;阎金明;刘娟娟;林佳德 -专利权人：日月光半导体（上海）有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本申请提供一种集成电路板材，包括第一预处理导电层以及堆叠结构。所述第一预处理导电层包括，预留孔。所述堆叠结构紧邻所述第一预处理导电层，并包括依序堆叠的多个非导电层和多个导电层。所述多个非导电层的其中之一与所述第一预处理导电层紧邻设置。所述贯穿孔贯穿所述堆叠结构并与所述预留孔连通。所述预留孔的孔径大于所述贯穿孔的孔径。本申请提供还一种集成电路载板以及集成电路板材制造方法。
集成电路板材以及制造方法

[实用新型]集成电路基板-CN202222881906.1有效
发明人：刘娟娟;欧宪勋;林佳德 -专利权人：日月光半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种集成电路基板，包括：集成电路产品结构以及钻孔结构。所述集成电路产品结构设置在所述集成电路基板的第一区中。所述钻孔结构设置在所述集成电路基板的第二区。所述钻孔结构包括经配置以定位钻孔位置的定位件。
集成路基

[实用新型]集成电路基板-CN202222907720.9有效
发明人：赵祝宝;李莉;林佳德 -专利权人：日月光半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种集成电路基板，包括：第一图案化层板以及第二图案化层板。所述第二图案化层板设置在所述第一图案化层板下方。所述第二图案化层板包括经配置以辨识所述集成电路基板的序号的辨识结构。
集成路基

[实用新型]集成电路工艺系统-CN202222908300.2有效
发明人：陈君跃;甘明正;林佳德 -专利权人：日月光半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种集成电路工艺系统，包括：工艺板、集成电路基板以及挡板单元。所述工艺板经配置以作为所述集成电路工艺系统的第一极。所述集成电路基板经配置以作为所述集成电路工艺系统的第二极。所述挡板单元设置在所述工艺板和所述集成电路基板之间。所述挡板单元包括孔洞结构。
集成电路工艺系统

[实用新型]集成电路材料传输装置-CN202222776208.5有效
发明人：何小青;包胜;林佳德 -专利权人：日月光半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：一种集成电路材料传输装置，包括：主板、承载单元和移动单元。所述承载单元可拆卸式地与所述主板连接。所述承载单元经配置以承载集成电路材料。所述移动单元连接至所述主板。所述移动单元经配置以移动所述集成电路材料传输装置。
集成电路材料传输装置

[实用新型]抗电浆腐蚀薄膜结构-CN202220435547.4有效
发明人：吴宗丰;李文亮;林佳德;蔡宇砚;苏修贤;邱国扬;陈柏翰 -专利权人：翔名科技股份有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：一种抗电浆腐蚀薄膜结构，包括一基材、一第一抗腐蚀层、一第二抗腐蚀层与第三抗腐蚀层。第一抗腐蚀层设置于该基材上，并与该基材接触。第二抗腐蚀层设置于该第一抗腐蚀层上。第三抗腐蚀层设置于该第二抗腐蚀层上。其中，该第一抗腐蚀层与该第三抗腐蚀层是经由气相沉积方法形成。其中，该第二抗腐蚀层是经由电浆喷涂形成。本实用新型的有益效果是利用致密、松散、致密多层次的抗腐蚀层形成抗腐蚀结构，可用较少的时间与成本形成，并保持与习知完全致密抗腐蚀层相当的抗腐蚀特性。
抗电浆腐蚀薄膜结构

[实用新型]膜层结构-CN202220435338.X有效
发明人：吴宗丰;李文亮;苏修贤;蔡宇砚;林佳德;陈奕燊;陈进龙 -专利权人：翔名科技股份有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：一种膜层结构，包括一基材、多个第一膜层及多个第二膜层。第一膜层设置于该基材上，上述第一膜层是沿着一第一方向设置。第二膜层设置于该基材上，上述第二膜层是沿着一第二方向设置。其中，上述第一膜层与上述第二膜层交迭设置，该第一方向与该第二方向具有一夹角。本实用新型的有益效果是可提供形成冶金接合、热影响区小、材料应用广泛、能以焊线或是粉末方式进行熔覆加工等优点，可克服热喷涂与氩焊的限制。
结构

[实用新型]裂缝的焊接结构-CN202220435328.6有效
发明人：吴宗丰;李文亮;蔡宇砚;苏修贤;林佳德;陈奕燊;陈进龙 -专利权人：翔名科技股份有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B23K33/00 文献下载
摘要：本实用新型本之裂缝的焊接结构包括一焊接材料，焊接材料是沿着一弯折型修复路径焊接于一裂缝上。其中，弯折型修复路径包括多个第一路径及多个第二路径。第一路径是跨越裂缝，且两个相邻的第一路径相互重迭有一膜层重迭区域。此外，第二路径链接于两个相邻的该第一路径之间。此焊接结构能降低超合金部件的制作成本及提高其整体产量。
裂缝焊接结构

[发明专利]集成电路装置及其制造方法-CN202111409595.2在审
发明人： 林佳德;赖程义;郝合理;张瑾 -专利权人：日月光半导体（上海）有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种集成电路装置及其制造方法。根据本申请的一些实施例，一种用于制造集成电路装置的方法包括以下步骤：在基板上形成具有第一高度的第一金属层；移除第一金属层的部分以形成部分地暴露基板的狭槽；对第一金属层进行图案化以具有第一图案；在第一金属层及经暴露的基板上形成具有第二高度的阻焊层，以填充狭槽并覆盖经暴露的基板，并且部分地暴露第一金属层；在经暴露的第一金属层上以第二图案形成具有第三高度的第二金属层，从而形成集成电路区；在集成电路装置的上方形成保护层；移除集成电路区的一部分所对应的基板的部分、第一金属层的部分、第二金属层的部分以及保护层的部分以形成开槽；且移除剩余保护层。
集成电路装置及其制造方法

[实用新型]集成电路装置-CN202121159899.3有效
发明人：欧宪勋;林佳德;程晓玲 -专利权人：日月光半导体（上海）有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种集成电路装置。根据本申请的一些实施例，一种用于制造集成电路装置的方法，其包括以下步骤：在基板的第一表面上以第一图案形成第一阻焊层，并在该基板的第二表面上以不同于该第一图案的第二图案形成第二阻焊层，其中该第一表面与该第二表面相对；在该第一阻焊层的远离基板的表面上以该第一图案形成第三阻焊层；其中该第一阻焊层及第三阻焊层具有第一图案面积，且该第二阻焊层具有大于该第一图案面积的第二图案面积。该制造方法及其制成的集成电路装置的优势之一在于能够通过控制集成电路装置基板的正背两面的绿漆厚度，从而有效防止集成电路装置基板的翘曲，从而降低了后续的作业难度，并大大提高了产品产量。
集成电路装置

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