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- [发明专利]一种基于TFNet的晶圆工艺缺陷分类分割方法-CN202310889434.0在审
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陈一宁;罗悦宁;高大为
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浙江大学
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2023-07-18
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2023-10-20
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G06V20/69
- 本发明涉及一种基于TFNet的晶圆工艺缺陷分类分割方法,包括：将初始缺陷sem图输入至特征提取网络中，生成特征映射；将特征提取网络中其中一个编码器块输出的特征映射输入至形状流分支中，生成第一拼接特征；将特征提取网络中最后一个编码器块输出的分辨率最小的第五特征映射与第一拼接特征进行拼接，获取第二拼接特征；将第二拼接特征输入至卷积核中，生成拼接特征；将所述拼接特征与编码器块输出的特征映射共同输入至MCF交叉注意模块，获取融合特征；将融合特征输入至解码器中，生成mask图；将mask图输入至网络分类头，生成缺陷类别和混淆矩阵。本发明可以高速准确地分割缺陷图像，具有良好的泛化性和分割效果，有助于实现对相应缺陷工艺的修复改进。
- 一种基于tfnet工艺缺陷分类分割方法
- [发明专利]滨海盐沼碳库增量监测方法-CN202310729494.6在审
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陈一宁;冯旭文;薛成凤;蔡廷禄;夏小明
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自然资源部第二海洋研究所
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2023-06-20
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2023-09-08
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G01D21/02
- 滨海盐沼碳库增量监测方法，属于碳库监测方法领域。方法：1)确定滨海盐沼监测范围、分区和面积、站位布设；2)确定滨海盐沼生态系统碳库增量监测内容、监测指标、监测时间与频率后进行监测；3)计算滨海盐沼沉积物碳库增量，将每个样地内的碳埋藏速率平均后作为小区的碳埋藏速率值，乘小区的总面积，得到小区的沉积物碳库增量；4)计算滨海盐沼植被碳库增量，按多年生草本植被、一年生草本植被和灌丛植被分类开展；5)将单位面积内沉积物碳库增量和植被碳库增量相加，根据监测分区内各分区面积，获取总碳库增量。通过基于储量差值法原理，结合碳相关参数的测量，准确获取滨海盐沼碳库增量信息。该方法同样适用于滨海盐沼碳库减量监测。
- 滨海盐沼增量监测方法
- [发明专利]一种精确的芯片制造工艺缺陷检测方法-CN202310160561.7在审
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陈一宁;梅周洲舟;高大为
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浙江大学
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2023-02-22
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2023-07-25
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G06T7/00
- 本发明涉及一种精确的芯片制造工艺缺陷检测方法，通过分别构建针对芯片制造工艺缺陷的深度可分离卷积模块以及基于残差网络的特征提取模块，并利用深度可分离卷积模块对输入的芯片图片做特征提取处理，得到一级特征图，利用基于残差网络的特征提取模块对一级特征图做特征提取，得到二级特征图，再利用二级特征图搭建多层UNet++结构且由基于残差网络的特征提取模块对该多层UNet++结构做优化处理，并将经优化处理后的该多层UNet++结构的最后一层输出的特征图作为芯片制造工艺缺陷图，避免了人工参与到芯片制造工艺缺陷检测过程中，实现了自动化检测，提高了工艺缺陷的检测准确度。
- 一种精确芯片制造工艺缺陷检测方法
- [发明专利]集成电路沉积膜厚预测方法及系统-CN202310405795.3在审
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蔡宇;史雨萌;陈一宁;阚健豪;唐建
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中国科学技术大学
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2023-04-11
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2023-07-14
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G06F18/15
- 本发明公开一种基于RFE‑CV‑XGBoost的集成电路沉积膜厚的预测方法及系统，属半导体制造领域，方法包括：步骤S1，对数据库的沉积薄膜数据进行预处理；步骤S2，按预定的特征筛选规则对步骤S1预处理后的沉积薄膜数据包含的特征值筛选；步骤S3，对步骤S2的特征经交叉验证的特征递归消除方式处理；步骤S4，基于XGBoost建立回归预测模型，利用步骤S3的特征进行训练和测试；步骤S5，利用遗传算法对优化回归预测模型超参数，找出最佳超参数，利用最终回归预测模型对集成电路沉积膜厚进行预测。本发明通过数据建模，节省了薄膜沉积过程后的膜厚量测步骤，缩短了半导体产品的生产周期，节约了量测成本支出。
- 集成电路沉积预测方法系统
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