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- [发明专利]一种制备二氧化铈与金纳米粒子复合纳米带的方法-CN200910217729.3无效
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董相廷;王进贤;聂麒峰;刘濂;刘桂霞;于文生
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长春理工大学
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2009-10-14
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2010-04-14
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B82B3/00
- 本发明涉及二氧化铈与金纳米粒子复合纳米带的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明包括三个步骤:(1)配制纺丝液。采用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为高分子模板剂,溶剂采用去离子水和乙醇的混和溶液(质量比为1∶1),Ce(NO3)3与HAuCl4的含量6~10%,PVP含量10~15%,其余为混合溶剂,Ce(NO3)3与HAuCl4的摩尔比为1∶5到1∶10。(2)制备PVP/[Ce(NO3)3+HAuCl4]复合纳米带。采用静电纺丝技术,参数为:电压15~25kV,喷嘴口径为1mm,喷嘴与水平面的夹角为30°,固化距离10~20cm,相对湿度40%~55%。(3)制备CeO2/Au纳米粒子复合纳米带。采用热处理方式,参数为:升温速率1~2℃/min,在600~800℃温度范围内保温10~15h。所制备的CeO2/Au纳米粒子复合纳米带的宽度为200~400nm,厚度为50~100nm,长度大于300μm,Au纳米粒子的直径为10~30nm,均匀地分散在CeO2纳米带基体中,CeO2基体和Au纳米粒子都具有良好的晶型。
- 一种制备氧化纳米粒子复合方法
- [发明专利]掺铕氧化钇@二氧化硅豆角状纳米电缆的制备方法-CN200910217730.6无效
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王进贤;董相廷;张贺;刘桂霞;于文生
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长春理工大学
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2009-10-14
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2010-04-14
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D01D5/34
- 本发明涉及掺铕氧化钇@二氧化硅豆角状纳米电缆的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明包括三个步骤:(1)配制纺丝液。稀土硝酸盐中加入一定量的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和甘油的混合溶液(体积比5∶1),室温下磁力搅拌4~6h,并静置2~3h,即形成芯层纺丝液,其中质量百分比为:PVP 9%,稀土硝酸盐8%,DMF65%,甘油18%。将一定量的PVP、无水乙醇和正硅酸乙酯混合液(体积比4∶1)混合,磁力搅拌3~6h,并静置2~3h,即形成壳层纺丝液,其中质量百分比为:PVP 12%,正硅酸乙酯20%,乙醇68%。(2)制备(PVP+稀土硝酸盐)@(PVP+正硅酸乙酯)复合纳米电缆。采用同轴静电纺丝技术,参数为:同轴喷嘴的构成采用内喷针为截平后的10#不锈钢注射针(外径=1.0mm,内径=0.7mm),外喷针为12#不锈钢针头(外径=1.4mm,内径=1.2mm)。将两个喷针套好后固定,将配制好的壳层纺丝液置于同轴纺丝装置的外管中,内管中加入芯层纺丝液,调节内外喷嘴的间隙以保证外液顺利地流出。电压12~15kV,喷嘴到接收屏的固化距离12~15cm,室温18~22℃,相对湿度50%~65%。(3)制备Y2O3@SiO2或Y2O3:Eu3+@SiO2豆角状纳米电缆。对所获得的(PVP+稀土硝酸盐)@(PVP+正硅酸乙酯)复合纳米电缆进行热处理,技术参数为:升温速率为1~2℃/min,在800℃保温10~15h,之后随炉体自然冷却至室温,得到Y2O3@SiO2或Y2O3:Eu3+@SiO2豆角状纳米电缆。
- 氧化钇二氧化硅豆角纳米电缆制备方法
- [发明专利]一种制备稀土配合物/聚甲基丙烯酸甲酯复合发光纳米带的方法-CN200910217728.9无效
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董相廷;王进贤;李欣;刘桂霞;于文生
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长春理工大学
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2009-10-14
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2010-04-14
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C09K11/06
- 一种制备稀土配合物/聚甲基丙烯酸甲酯复合发光纳米带的方法属于纳米材料制备技术领域。本发明包括两个步骤:(1)配制纺丝溶液。纺丝溶液中稀土配合物采用两种配体配合物,通式为:RE(BA)3Phen,RE=Eu、Tb、Sm、Nd,BA:苯甲酸,Phen:邻菲罗啉。高分子模板剂和基质采用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。溶剂采用氯仿(CHCl3)和N,N-二甲基甲酰胺(DMF)的混合物。称取一定量的PMMA,溶于CHCl3和DMF混合液中(体积比15∶1),在60℃水浴中磁力搅拌4h,之后静置3h,即可得到均一、透明的、质量百分比浓度为5%的PMMA溶液。将一定量的稀土配合物溶于PMMA溶液中,室温下搅拌5h,之后静置2h,得到稀土配合物的PMMA溶液,此即为纺丝溶液,其中稀土配合物的质量百分比浓度为5%-20%。(2)制备稀土配合物/PMMA复合发光纳米带。采用静电纺丝技术,使用上述配制的纺丝溶液制备稀土配合物/PMMA复合发光纳米带。技术参数为:直流电压为6kV~10kV,喷嘴的内径为0.6mm,喷嘴与水平面的夹角为30°,喷嘴到接收屏的固化距离为12~20cm;室内温度18~25℃,相对湿度为45%~65%。所制备的稀土配合物/PMMA复合发光纳米带表面比较光滑平整,带宽达10~20μm,纳米带厚度约200nm~500nm,长度大于5cm,具有良好的发光性能。
- 一种制备稀土配合甲基丙烯酸复合发光纳米方法
- [发明专利]畸变误差无模型校正方法-CN200910205630.1无效
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苏成志;王恩国;徐洪吉
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长春理工大学
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2009-09-30
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2010-03-10
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G01B11/03
- 畸变误差无模型校正方法属于计算机图像识别技术领域。现有技术建立数学模型使得校正方法繁琐,测量精度依赖所建立的数学模型,并且,所建立的数学模型均带有近似性,与实际情况存在差异,导致测量精度的提高受到限制。本发明首先确定待测物体任意两点成像后在成像后发生畸变的网格板中所处的网格,从而得到该两点在网格板坐标系中的坐标,求出该两点间的图像尺寸;其次分别在所述两点所处的网格中建立坐标系,求出该两点与各自坐标系原点间的图像尺寸;第三将前两个步骤所得到的三个图像尺寸相加得到待测物体任意两点间的图像尺寸。本发明直接使用发生畸变的网格板测量待测物体上两点在网格板坐标系中的距离。当使用的网格板的尺寸精度为0.2μm时,测量精度高于3μm。
- 畸变误差模型校正方法
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