专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果35个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]HBC型晶体太阳能电池的制造方法-CN201710468365.0有效
  • 松崎淳介;高桥明久;齐藤一也;浅利伸;大園修司;铃木英夫;山口昇 - 株式会社爱发科
  • 2017-06-20 - 2022-04-26 - H01L31/0224
  • 本发明涉及HBC型晶体太阳能电池的制造方法以及HBC型晶体太阳能电池。该制造方法使用由第一导电型的晶体硅构成的基板,且依次包括:单独或者同时地形成i型的非晶Si层α和i型的非晶Si层β的工序;形成光致抗蚀剂的工序;通过利用掩模的离子注入法,将导电型与第一导电型相同的部位A以及导电型与第一导电型不同的部位B,以内部存在于非晶Si层β并且在该非晶Si层β的外表面侧暴露出一部分的方式,形成在通过光致抗蚀剂而相互分隔的位置的工序;对离子注入后的非晶Si层β进行退火处理的工序;以覆盖位于非晶Si层β的外表面侧的部位A、部位B以及光致抗蚀剂的方式来形成导电性部件的工序;以及去除被导电性部件覆盖的光致抗蚀剂的工序。
  • hbc晶体太阳能电池制造方法
  • [发明专利]背接触型太阳能电池单元的制造方法-CN202080020684.5在审
  • 铃木绍太;马尔万·达姆林;山口升;铃木英夫 - 东洋铝株式会社;株式会社爱发科
  • 2020-03-13 - 2021-12-10 - H01L31/18
  • 提供背接触型太阳能电池单元的制造方法,能够以比现有制造方法少的工序数实施。本发明是背接触型太阳能电池单元的制造方法,依次有:在结晶硅基板(10)背面形成氧化膜(20)的工序(A);在所述氧化膜(20)的暴露面形成硅薄膜层(30A)的工序(B);在所述硅薄膜层(30A)以用机械硬掩模的离子注入法及活化退火局部形成n+层(40)的工序(C);在经所述工序(C)所得具有所述氧化膜(20)、所述硅薄膜层(30B)及所述n+层(40)的所述结晶硅基板(10)两面形成钝化膜(50)的工序(D);将形成于所述结晶硅基板(10)背面侧的所述钝化膜(50)的未覆盖所述n+层(40)的区域局部去除,在暴露的所述硅薄膜层(30B)形成一或多个铝电极(60B)的工序(E)。
  • 接触太阳能电池单元制造方法
  • [发明专利]背接触型太阳能电池单元的制造方法-CN202080020891.0在审
  • 铃木绍太;马尔万·达姆林;山口升;铃木英夫 - 东洋铝株式会社
  • 2020-03-13 - 2021-11-02 - H01L31/18
  • 本发明提供一种背接触型太阳能电池单元的制造方法,该方法能够以比现有的制造方法更少的工序数进行实施。本发明涉及一种背接触型太阳能电池单元的制造方法,其依次具有以下工序:通过使用了机械硬掩模的离子注入法及活化退火,在结晶硅基板的背面,部分形成n+层(20)的工序(A);在所述工序(A)中得到的具有所述n+层(20)的所述结晶硅基板(10)的两面形成钝化膜(40)的工序(B);及,将形成在所述结晶硅基板(10)的背面侧的所述钝化膜(40)中直接覆盖了所述结晶硅基板(10)的区域的一部分或全部去除,在露出的所述结晶硅基板(50)上形成一个或多个铝电极(60B)的工序(C)。
  • 接触太阳能电池单元制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top