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[发明专利]垂直非易失性存储器件、半导体封装件和存储器件的散热方法-CN202111412771.8在审
发明人：边宰范;金钟三;朴世桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：提供了能够以芯片级稳定地维持工作温度的垂直非易失性存储器件、包括该存储器件的半导体封装件以及该存储器件的散热方法。该垂直非易失性存储器件包括：衬底，所述衬底上限定有单元阵列区域和扩展区域；垂直沟道结构，所述垂直沟道结构形成在所述衬底上；热电器件，所述热电器件包括形成在所述衬底上的至少两个半导体柱；以及堆叠结构，所述堆叠结构位于所述衬底上。所述堆叠结构包括沿着垂直沟道结构的侧壁和所述至少两个半导体柱的侧壁交替堆叠的栅电极层和层间绝缘层。所述至少两个半导体柱包括通过所述衬底上的导电层彼此电连接的n型半导体柱和p型半导体柱。
垂直非易失性存储器半导体封装存储器件散热方法

[发明专利]修复器件以及包括修复器件的半导体器件-CN201810144047.3有效
发明人： 金钟三 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：公开了一种修复器件和包括该修复器件的半导体器件，其涉及用于封装后修复(PPR)器件的技术。修复器件包括：时钟发生器，其被配置为产生与可用熔丝相对应的熔丝时钟信号；熔丝选择电路，其被配置为区分熔丝时钟信号中的第一时钟信号和第二时钟信号；熔丝信号发生器，其被配置为在封装后修复(PPR)模式期间输出与第一时钟信号相对应的第一修复信号和与第二时钟信号相对应的第二修复信号；以及输出电路，其被配置为响应于第一修复信号而通过检测剩余的未使用熔丝的地址信息来输出第一输出信号，或者被配置为通过检测剩余的未使用熔丝的地址信息来输出第二输出信号。
修复器件以及包括半导体器件

[发明专利]布线结构、形成布线结构的方法以及半导体器件-CN201610329900.X有效
发明人：金田中;金永培;金钟三;朴镇亨;安正勋;吴赫祥;李敬雨;李孝善;张淑禧 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供了布线结构、形成布线结构的方法以及半导体器件。一种布线结构包括：基板；下绝缘层，在基板上；下布线，在下绝缘层中；第一蚀刻停止层，覆盖下布线并包括含金属的电介质材料；以及第二蚀刻停止层，在第一蚀刻停止层和下绝缘层上；绝缘夹层，在第二蚀刻停止层上；以及导电图案，延伸穿过绝缘夹层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并电连接到下布线。
布线结构形成方法以及半导体器件

[发明专利]半导体装置及其修复方法-CN201510830668.3有效
发明人： 金钟三;赵真熙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：存储区；熔丝阵列，包括多个熔丝组，每个熔丝组被配置为储存存储区的故障地址；剩余熔丝信息储存单元，被配置为储存关于包括所述多个熔丝组之中与故障地址相对应的熔丝的熔丝组的剩余熔丝信息；以及控制单元，被配置为执行控制操作以用于更新包括所述多个熔丝组之中与故障地址相对应的熔丝的熔丝组的剩余熔丝信息以及用于在故障地址被检测到时储存该故障地址。
半导体装置及其修复方法

[发明专利]存储器件及包括其的系统-CN201710718091.6有效
发明人： 金钟三;梁钟烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：存储器件可以包括命令控制器，被配置为基于刷新使能信号和修复使能信号来缓冲地址。存储器件可以包括熔丝电路，被配置为根据刷新使能信号和修复使能信号来控制与地址相对应的刷新单元阵列和修复单元阵列的断裂操作，并且在启动操作期间输出刷新控制信号和修复控制信号。存储器件可以包括刷新控制器，被配置为根据刷新控制信号来控制存储体的刷新操作。存储器件可以包括修复控制器，被配置为根据冗余信号来控制存储体的修复操作。
存储器件包括系统

[发明专利]利用衬垫层制造半导体器件的方法-CN201510522886.0有效
发明人：李敬雨;李禹镇;金钟三;刘禹炅;李荣祥;许珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：在包括下图案的基板上顺序地形成层间绝缘层和包括第一开口的硬掩模图案；利用硬掩模图案在层间绝缘层中形成暴露下图案的沟槽；形成衬垫层，该衬垫层包括沿着沟槽的侧壁和底表面形成的第一部分以及沿着硬掩模图案的顶表面形成的第二部分；在沟槽中形成暴露衬垫层的第二部分的牺牲图案；利用牺牲图案去除衬垫层的第二部分和硬掩模图案；以及在去除硬掩模图案之后，去除牺牲图案以暴露衬垫层的第一部分。
利用衬垫制造半导体器件方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN201610179776.3有效
发明人： 金钟三;金载镒 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种存储器装置包括多个存储器单元；非易失性存储器单元；测试控制单元，其检测数据保持时间小于第一参考时间和大于或等于第二参考时间的多个存储器单元的弱存储器单元，其中第二参考时间小于第一参考时间；编程控制单元，其控制通过测试控制单元被检测的存储器单元的地址在非易失性存储器单元内被编程；以及刷新控制单元，其控制与在非易失性存储器单元内储存的地址对应的存储器单元以比其它存储器单元更高的频率被刷新。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]半导体器件-CN201510462939.4有效
发明人： 金钟三 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G05D23/30 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：控制块，其响应于使能信号和加热控制信号，产生第一控制信号、第二控制信号和加热使能信号；温度测量块，其响应于第一控制信号和第二控制信号，产生与温度相对应的温度码；加热器，其在加热使能信号正被使能时产生热量；编码锁存块，其响应于第一控制信号和第二控制信号储存温度码，并且输出第一编码和第二编码；控制码发生电路，其通过对第一编码和第二编码执行操作而产生信号，并且通过将所述信号与预设码相比较而产生控制码；以及参考电压发生电路，其被配置为响应于控制码而改变参考电压的电压电平。
半导体器件

[发明专利]集群节点状态变更装置及方法-CN201410599245.0有效
发明人： 金钟三;孙镐永;金铉洙;安泽洙 -专利权人：三星SDS株式会社
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明所要解决的技术问题是提供一种各个集群节点通过自行诊断而无管理者介入地确定节点自身变更为活动状态还是变更为备用状态的节点并变更节点的状态的集群节点状态变更装置及方法。
集群节点状态变更装置方法

[发明专利]移动装置管理设备和方法以及管理服务器-CN201210359132.4有效
发明人：郑贤友;金钟三;孙镐永;吉志中;金镇龙 -专利权人：三星SDS株式会社
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G06F21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种移动装置管理设备和方法以及管理服务器。策略存储单元用于从远程管理移动装置的操作的管理服务器接收并存储多个安全策略，该安全策略分类为被赋予激活的优先级的多个配置文件，并定义关于移动装置的功能的操作状态。策略执行单元，根据所述移动装置中发生的事件或从所述管理服务器接收到的命令激活从所述多个配置文件中选择的配置文件，并执行包含于被激活的所述配置文件中的安全策略，以控制移动装置的功能。根据本发明，每当安全策略的内容被变更时，可节省用于将新的安全策略从管理服务器发送到移动装置的通信费用，可在移动装置中独立地执行自适应的功能控制。
移动装置管理设备方法以及服务器

[发明专利]用于二次电池包的保护电路及其操作方法-CN200510098439.3有效
发明人： 金钟三 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-09-06 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H02H7/18 文献下载
摘要：一种用于二次电池包的保护电路，所述保护电路的优点是在保持电路中的组的安全的同时具有简单的电路配置。每一个保护电路具有适应于充电或放电的组，每一组与控制器连接，所述控制器检测所述组的充电或放电电压，并且如果过充电或过放电被检测到，则输出预定值。电平转换器适应于将从所述控制器输出的电压转换成与从其它控制器之一输出的电压近似相等的调整的电压。开关装置控制停止所述组的充电或放电。
用于二次电池保护电路及其操作方法

[发明专利]智能电池包和使用其来识别电池类型的方法-CN200510093499.6有效
发明人： 金钟三;冈田清也 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：公开了一种智能电池包和使用该智能电池包来识别电池类型的方法。该智能电池包包括至少一个蓄电池组单体，通过正电极终端和负电极终端结合到外部装置。定时器电路，通过数据终端结合到外部装置，并且适于当从外部终端施加预定信号时在一段时间内施加预定定时器电路信号。第一开关由定时器电路控制，并且施加来自蓄电池组单体的电功率，寄存器输出预定的寄存器信号使智能电池控制器将电池类型信息输出到外部装置。智能电池包在智能电池包和外部装置(每个上一个数据终端)之间仅具有一条数据线，方便装置之间的传输同时维持了降低的制造成本。
智能电池使用识别类型方法

[发明专利]悬臂型PLC光衰减器及其制造方法-CN200410056517.9无效
发明人：李成俊;洪允植;李劳沄;金钟三 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：公开了一种悬臂型PLC光衰减器。光衰减器包括由硅制成的基础衬底、输入波导和输出波导。绕输出波导的上下硅衬底的前面部分薄于绕输出波导的上下硅衬底的后面部分。在下悬臂衬底部的底面上提供的第一电极，以及在基础衬底上提供的第二电极以便电磁对应于第一电极。当在第一和第二电极间施加电压时，通过电磁力上下移动悬臂部，从而控制输出光。
悬臂 plc 衰减器及其制造方法

[发明专利]用于便携式电子设备的电池组件-CN03110373.1有效
发明人： 金钟三 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2003-04-10 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01M10/46 文献下载
摘要：一种用于便携式电子设备的可再充电电池组件，包括连接到充电/放电电路的电池，包括用于安装在高电流路径上设置的部件的第一基底和用于安装控制电池充电/放电用外围电路的第二基底。因此，在低电流路径上的热敏感部件能够与在高电流路径上的部件产生的热量热隔离。
用于便携式电子设备电池组件

[发明专利]包含具有均衡电流特性的内部电池的电池组-CN02121616.9有效
发明人： 金钟三 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2002-05-29 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： H01M10/00 文献下载
摘要：在一种电池组中，第一到第n个蓄电池从电池组输出端子开始顺序叠放，n是至少为2的整数。第n+2和第n+1个蓄电池从电池组输出端子的位置开始沿着和所说的第一到第n个蓄电池排列的方向垂直的方向排成一行。第n+2个和第n+1个蓄电池的第一极性端子相互连接。具有与第一极性相反的第二极性的电池组输出端子和第n个、第n+1个、以及第n+2个蓄电池的第二极性端子通过一个导体连接。在上述电池组中，第n+2和第n+1个蓄电池的第二极性端子通过第一导体相互连接起来。第二导体连接在第一导体的第一分支节点和具有第二极性的输出端子之间。设置第一导体的第一分支节点用来使位于具有第一和第二极性的电池组输出端子之间的第n+2和第n+1个蓄电池的电流路径的电阻值之差最小化。
包含具有均衡电流特性内部电池电池组

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