[发明专利]基座组件、包括其的MOCVD装置及用于从MOCVD装置引出上基座的控制方法在审

专利信息
申请号: 201980086410.3 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN113227451A 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 崔成哲;赵广一;朴兵益;金南绪;张钟珍;徐东湜 申请(专利权)人: TES股份有限公司
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458;C23C16/18;H01L21/683;H01L21/67;H01L21/02
代理公司: 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 代理人: 李英艳;玉昌峰
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及一种基座组件及包括其的MOCVD装置,所述基座组件通过上基座和下基座的双层结构来减少支承面上的温度偏差。根据本发明的一实施例的基座组件包括:基座,具有与基板接触的同时支承所述基板的支承面;以及下基座,支承所述上基座,所述上基座和所述下基座涂布有彼此不同种类的物质。根据本发明的基座组件以及包括其的MOCVD装置,通过减少支承基板的支承面上的温度不均匀性,能够在基板上生长具有更均匀特性的薄膜,并使用通过MOCVD工艺生长的基板,能够在制作元件时获得高产率。
搜索关键词: 基座 组件 包括 mocvd 装置 用于 引出 控制 方法
【主权项】:
暂无信息
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  • 一种晶圆承载装置,包含一晶圆承载盘,所述晶圆承载盘包括一主盘与多个子盘,其中,所述主盘具有一第一上表面、一第一下表面与多个容槽,各所述容槽于所述第一上表面形成有一上开口;各所述子盘具有一承载槽,所述承载槽供放置晶圆,各所述子盘自各所述上开口置入各所述容槽中。从而,所述多个子盘可自所述主盘上拆离。
  • 一种通用型合成晶圆级二维材料的化学气相沉积系统-202310681722.7
  • 贾志研;田森;赵梦凡;田雨心;张芳;柳丽轩;姜勇 - 天津工业大学
  • 2023-06-09 - 2023-09-22 - C23C16/458
  • 本申请公开了一种通用型合成晶圆级二维材料的化学气相沉积系统,其属于半导体这一技术领域,其技术要点在于,包括:多气路进气法兰组件、多温区宽间隔管式炉、抽真空法兰组件、衬底卡盘组件、石英管;所述石英管穿过所述多温区宽间隔管式炉;其中,所述真空泵与所述石英管连通;其中,多温区宽间隔管式炉用于为所述石英管加热;其中,所述衬底卡盘组件包括:配有轴柄的圆盘、夹持组件。采用本申请的设备,在整个生长过程中,衬底通过旋转马达带动旋转,载气将加热升华的前驱体(原料)输运至衬底表面进行反应,反应结束后炉体自然冷却,随后取出生长有一层二维材料的晶圆级衬底。
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