“郭紫微”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果35个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体元件、在其中增加表面掺杂浓度的方法及形成方法-CN201010602082.9无效
发明人：黄玉莲;叶茂荣;蔡俊雄;李宗鸿;林大文;郭紫微 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：此揭示提供高表面掺杂浓度的半导体元件、在半导体元件中增加表面掺杂浓度的方法及其形成方法，在一实施例中，形成半导体元件的方法包含提供基底，在基底内形成掺杂区，在掺杂区之上形成应力层，对应力层进行硼掺杂注入，对硼掺杂注入进行退火，以及在硼掺杂注入退火之后，在应力层之上形成硅化物层。本发明的方法可以很容易地与CMOS工艺的流程整合，并且不需要额外复杂的步骤去达到所需的结果。
半导体元件其中增加表面掺杂浓度方法形成

[发明专利]集成电路结构的形成方法-CN201010603967.0有效
发明人：苏建彰;郭紫微;林宪信;宋学昌;白易芳;陈冠宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路结构的形成方法，该方法包含提供晶片，其包含基底与基底的主要表面上的半导体鳍片，以及进行沉积步骤，在半导体鳍片的上表面与侧壁上外延生长外延层，其中外延层包含半导体材料。然后，进行蚀刻步骤，移除一部分的外延层，在半导体鳍片的上表面与侧壁上留下外延层的剩余部分。采用本发明提供的方法，能够经由外延层的融合所产生的空隙(如果真的形成)至少会减小，且可能会被消除。
集成电路结构形成方法

[发明专利]鳍式场效晶体管-CN201010206805.3有效
发明人：林宪信;郭紫微;苏建彰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种鳍式场效晶体管。该鳍式场效晶体管包含：基板、鳍式结构、栅极结构、外延层以及通道。基板包含晶状半导体物质，并包含具有第一晶面方向的顶层表面。鳍式结构包含晶状半导体物质，覆盖于基板上。栅极结构覆盖于该鳍式结构的一部份。外延层覆盖于鳍式结构的另一部份，外延层包含具有第二晶面方向的表面。外延层以及其下的鳍式结构包含通过栅极结构隔离的漏极区以及源极区。通道定义于鳍式结构中，自源极区延伸至漏极区，并与基板的顶层表面以及外延层的表面沿平行方向对齐。
鳍式场效晶体管

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN201010529486.X无效
发明人：苏建彰;林宪信;郭紫微;陈冠宇;宋学昌;白易芳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体装置及其制作方法，该方法包括提供一基底，形成多个鳍于基底上方，上述鳍借由一隔离结构彼此隔离，形成一栅极结构于每个鳍的部分上方，分别于栅极结构的侧壁形成间隙壁，于每个鳍的暴露部分外延成长硅，其中外延工艺加入一不纯物元素，不纯物元素择自锗、铟和碳组成的族群，及于外延硅掺杂n型掺杂物。本发明通过不纯物元素能偶外延硅的成长速率，可减少硅表面上的掺杂毒化，并使浅沟槽隔离具有良好的选择性，从而使得外延硅中的缺陷因而减少。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201010501836.1有效
发明人：赖理学;郭紫微;叶致锴;万幸仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，该鳍式场效应晶体管在一基底的上方具有一鳍式沟道本体。一栅极置于上述鳍式沟道本体的上方。至少一源/漏极区邻接于上述鳍式沟道本体。上述至少一源/漏极区实质上未包含任何鳍式结构。本发明可使存储单元的尺寸缩减。
场效应晶体管及其形成方法

首页
«上一页
1
2
3
共 35 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top