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- [发明专利]封装结构的形成方法-CN202310802394.1在审
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刘在福;郭瑞亮;焦洁
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苏州通富超威半导体有限公司
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2023-07-03
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2023-10-10
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H01L21/50
- 一种封装结构的形成方法，提供干膜后，通过钻孔操作在所述干膜中形成若干贯穿所述干膜的上下表面的通孔；提供第一基板，第一基板的上下表面分别具有第一焊盘和第二焊盘，第一基板中具有将所述第一焊盘和第二焊盘电连接的第一线路；将具有通孔的干膜贴附到所述第一基板的上表面上，通孔暴露出相应的第一焊盘的表面；形成填充满所述通孔的金属柱；去除所述干膜；提供第一芯片，将第一芯片贴装在金属柱一侧的第一基板的上表面上，所述第一芯片与部分第一焊盘电连接；形成覆盖第一芯片的表面、金属柱的侧壁和顶部表面以及第一基板的上表面的第一塑封层。使得形成的金属柱高度较高以及具有较好的侧壁形貌，还可以具有较小的间距和尺寸。
- 封装结构形成方法
- [发明专利]扇出型芯片封装方法及封装结构-CN202310957667.X在审
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刘在福;郭瑞亮;焦洁
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苏州通富超威半导体有限公司
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2023-08-01
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2023-09-19
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H01L21/60
- 本公开实施例提供一种扇出型芯片封装方法及封装结构，该方法包括：将芯片的非功能面固定于基板，芯片在基板上的正投影落在基板的内侧；将第一键合线的第一端固定于芯片的功能面，以形成间隔分布的第一垂直互连结构；将第二键合线的第一端固定于基板朝向芯片的表面，以形成间隔分布的第二垂直互连结构；在基板朝向所述芯片的一侧形成塑封层；将塑封层背离基板的一侧进行减薄，以分别露出第一键合线的第二端和第二键合线的第二端；在减薄后的塑封层背离基板的一侧形成信号输出层，以形成封装体，信号输出层分别与第一键合线和第二键合线电连接。该方法形成的封装结构信号传输效率高，工艺过程简单，节约成本，可实现超细间距，提高信号传输精度。
- 扇出型芯片封装方法结构
- [实用新型]工件转移系统-CN202320300591.9有效
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周海燕;郭瑞亮;宁福英
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苏州通富超威半导体有限公司
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2023-02-23
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2023-09-15
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G01R31/00
- 本申请公开了一种工件转移系统，该工件转移系统包括：移动组件、第一连接件、接地线、监控线和监控器，其中，移动组件包括移动基座和移动件，移动基座上设有圆孔，移动件可移动设置于移动基座的圆孔内；第一连接件与移动件固定连接，且第一连接件设有第一磁极；接地线和监控线位于第一连接件的两侧并与第一连接件磁性连接，接地线和监控线靠近第一磁极的一端均设有第二磁极，第一磁极和第二磁极的磁性相反，接地线远离第二磁极的一端接地；监控器与监控线远离第二磁极的一端连接，用于监控接地线的接地状态。上述方案，能够降低设备ESD质量风险和人力成本。
- 工件转移系统
- [发明专利]扇出型芯片封装方法及封装器件-CN202310611071.4在审
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刘在福;郭瑞亮;焦洁
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苏州通富超威半导体有限公司
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2023-05-29
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2023-08-29
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H01L21/50
- 本公开实施例提供一种扇出型芯片封装方法及封装器件，该封装方法包括：分别提供载板、第一芯片和第二芯片，第一芯片设置有贯穿其厚度的导电连接结构；将第一芯片的第一表面固定于载板；在载板朝向第一芯片的表面形成钝化层，钝化层包裹第一芯片；在钝化层上形成贯穿其厚度的导电柱；将第二芯片互连于第一芯片的第二表面以及钝化层背离载板的一侧；去除载板并在第一芯片的第一表面以及钝化层背离第二芯片的表面形成信号输出层。本封装方法，简化了封装工艺流程，缩短了工艺周期，节约了工艺费用，提高了芯片封装的良率；改善第一芯片的翘曲问题，防止因芯片翘曲导致的第一芯片破裂，减少封装过程中衍生出的对第一芯片的损伤，提高芯片封装的品质。
- 扇出型芯片封装方法器件
- [实用新型]半导体压合治具及模压设备-CN202320140151.1有效
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陈程;何志丹;焦洁;郭瑞亮
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苏州通富超威半导体有限公司
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2023-02-01
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2023-08-01
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H01L23/31
- 本公开实施例提供一种半导体压合治具及模压设备，该模压设备用于将散热盖压合贴装于芯片，基板背离芯片的一侧设置有焊球，压合治具包括支撑座、承载组件、盖板和压合组件；压合组件可伸缩地设置于盖板朝向支撑座的一侧；承载组件设置于支撑座朝向盖板的一侧并与压合组件相对应；其中，承载组件包括设置于支撑座的承载件以及设置于承载件朝向压合组件一侧的焊球保护结构，承载件用于承载基板，焊球保护结构用于承载焊球。本半导体压合治具，通过在承载件朝向压合组件的一侧设置有焊球保护结构，可以保护焊球不因受外部压力变形，球高降低，可以避免在终端客户表面贴装上板过程中的假焊、虚焊等焊接不良引起的芯片失效。
- 半导体压合治具模压设备
- [发明专利]一种2.5D封装结构-CN202310209868.1在审
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刘在福;郭瑞亮;焦洁
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苏州通富超威半导体有限公司
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2023-03-07
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2023-06-09
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H01L23/31
- 本发明提供一种2.5D封装结构及制作方法，2.5D封装结构包括基板、第一重布线层、第一芯片、第二重布线层、中介层、第二芯片和第三芯片；所述基板的上表面设置有凹腔，所述基板的上表面设置有第一重布线层；所述第一重布线层与所述中介层电连接，所述第一芯片通过所述第二重布线层与所述中介层电连接；所述第二芯片设置于所述第一重布线层的远离所述基板的一侧；所述第二芯片靠近所述第一重布线层的一侧与所述第一重布线层电连接，所述第三芯片远离所述第二芯片的一侧通过导线与所述第一重布线层连接。本发明的一个技术效果在于，优化了2.5D封装结构的装配工艺，拓展了2.5D封装结构的功能，改善2.5D封装结构的电性和热效应。
- 一种2.5封装结构
- [发明专利]晶圆级芯片封装方法及封装结构-CN202310016592.5在审
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刘在福;郭瑞亮;焦洁
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苏州通富超威半导体有限公司
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2023-01-06
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2023-04-14
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H01L21/56
- 本公开实施例提供一种晶圆级芯片封装方法及封装结构，所述封装方法包括：分别提供载板、芯片和散热片；其中，芯片的第一表面设置有导电凸块；在载板的第一表面形成线路层；将芯片的第一表面固定于载板的第一表面，使得导电凸块与线路层电连接；在载板的第一表面和芯片的第二表面形成塑封层；将散热片固定于芯片的第二表面，以形成封装体；将封装体进行切割，形成多个独立的芯片封装结构。采用晶圆级封装工艺将散热片一次性地固定于芯片，贴装效率高，降低了贴装过程中产生的翘曲，增加了芯片封装的良率；将散热片固定于芯片，可使封装结构快速散热，散热效果好，解决了封装结构的散热问题，增加了封装结构的可靠性；不需要额外的散热器件，结构简单。
- 晶圆级芯片封装方法结构
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