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[发明专利]反应室及刻蚀装置-CN202111452284.4在审
发明人：刘浩;吴惧;阮文中;张兴华 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种反应室及刻蚀装置。反应室包括电极组件、缓冲板和第一调节件，其中，电极组件包括相对设置的第一电极和第二电极，第一电极与第二电极之间形成有反应腔，缓冲板与第二电极的边缘连接，缓冲板上开设有第一排气口，第一调节件与缓冲板活动连接，第一调节件用于调节第一排气口的面积。本申请通过在反应室上设置第一调节件，使第一调节件与缓冲板活动连接，并对缓冲板上第一排气口的面积进行调节，能够实现对从第一排气口流出的刻蚀气体的流通量进行调控，从而实现对反应室内刻蚀气体的分布的调控，提高反应室内的刻蚀均一性。
反应刻蚀装置

[发明专利]一种用于叠层绝缘薄膜的刻蚀方法-CN201310486173.4在审
发明人： 阮文中;陈建荣;任思雨;于春崎;胡君文;何基强 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于叠层绝缘薄膜的刻蚀方法，该刻蚀方法包括：在最外层绝缘层的表面形成具有刻蚀窗口的掩膜层；以等离子体物理轰击刻蚀为主、化学刻蚀为辅对所述刻蚀窗口进行刻蚀，形成过孔；去除所述掩膜层，并进行去静电处理。本发明所提供的刻蚀方法在进行叠层绝缘薄膜刻蚀时，以等离子体物理轰击刻蚀为主、化学刻蚀为辅，通过降低化学刻蚀作用，以减小各绝缘层横向刻蚀速率的差值，使得各绝缘层的横向刻蚀速率相近，从而避免了发生底切问题，保证了过孔的有效性。
一种用于绝缘薄膜刻蚀方法

[实用新型]一种液晶显示器-CN201320093604.6有效
发明人：陈建荣;任思雨;阮文中;洪胜宝;林建伟;柳发霖;胡君文;于春崎;何基强;李建华 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种液晶显示器，包括：彩膜基板和阵列基板以及二者之间的液晶层；位于所述阵列基板表面上的遮光层，且所述遮光层位于所述阵列基板的TFT结构有源区正上方，所述遮光层的面积不小于所述有源区的面积。本申请技术方案所提供的液晶显示器在有源区上方的钝化层的表面设置有遮光层，所述遮光层与所述TFT结构的栅极分别位于所述有源区的上下两侧，可以有效减少光线对有源区的照射，进而大大减少有源区光生载流子的产生，从而减小光生漏电流以及阈值电压漂移，保证了液晶显示器的显示效果。
一种液晶显示器

[发明专利]像素电极上钝化层的制作方法、液晶显示器及其制作方法-CN201310035128.7无效
发明人： 阮文中;陈建荣;任思雨;于春崎;胡君文;何基强 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种像素电极上钝化层的制作方法、液晶显示器及其制作方法。所述像素电极上钝化层的制作方法包括：在第一功率下，利用第一流量的工艺气体，在像素电极表面形成第一厚度的钝化层；在第二功率下，利用第二流量的工艺气体，在第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层；其中，第一功率小于第二功率；第一流量小于第二流量；第一厚度小于第二厚度，从而使得第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层均较为致密，进而使得在钝化层内形成过孔的过程中，不会出现底切，保证了顶层电极与像素电极之间的良好电接触，解决了由于顶层ITO与像素ITO薄膜之间接触跨断，导致该TFT产品显示异常或无法显示的问题，提高TFT产品的良率。
像素电极钝化制作方法液晶显示器及其

[发明专利]TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法-CN201210255899.2有效
发明人：任思雨;胡君文;郝付泼;阮文中;洪胜宝;于春崎;谢凡;何基强 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2012-07-23 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法，所述方法包括：在玻璃基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、像素电极、源漏电极以及保护绝缘层；其中，形成所述保护绝缘层包括：形成第一薄层氮化硅；在所述第一薄层氮化硅之上形成第二层氮化硅；其中，所述第一薄层氮化硅的厚度小于所述第二层氮化硅的厚度。本发明实施例提供的ARRAY板的制备方法能够在不更改掩膜版设计图案的情况下提高ARRAY板的透过率。
tft 液晶显示器 array 制备方法

[发明专利]烧烫灵的配方和制备方法-CN92101286.1无效
发明人：封全朝;廖仕正;阮文中 -专利权人：封全朝;廖仕正;阮文中
申请日： 1992-02-27 - 公布日： 1992-10-14 - 主分类号： A61K35/78 文献下载
摘要：一种医疗用治疗烧烫伤的烧烫灵的配方和制备方法。本方法简单，方便易行。配方为一些中药合成，用此配方及制备方法制出的烧烫灵，对各种原因造成的烧伤、烫伤、灼伤等均有明显镇痛、愈合疤痕不显及抗菌之作用。
烧烫灵配方制备方法