[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410510986.7 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105449062B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/10 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括基板和成长在基板上的半导体结构，所述基板包括基体和形成在基体上的缓冲层，所述的基体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述基体的第一表面上形成有微结构，所述微结构为连续弯折的金属片体，所述微结构包括多个相连接的阻挡结构，每一阻挡结构之间形成凹槽，所述缓冲层形成在所述凹槽内并覆盖每一阻挡结构，所述阻挡结构的折射率小于缓冲层的折射率。本发明还提供一种该发光二极管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括基板和成长在基板上的半导体结构，所述基板包括基体，所述基体包括相对设置的第一表面和第二表面，其特征在于：所述发光二极管还包括形成在所述基体的第一表面上的微结构，所述微结构的厚度在80nm‑180nm之间，所述微结构为多个依次相连接的阻挡结构，每一所述阻挡结构具有平板状的顶壁，每一所述阻挡结构与所述第一表面形成空心腔体。
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