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[发明专利]具有高各向异性合金和氧化物化合物的组合物的磁介质和溅射靶-CN200610159899.7无效
发明人：阿纳尔班·达斯;迈克尔·吉恩·拉辛;史蒂文·罗格·肯尼迪 -专利权人：黑罗伊斯公司
申请日： 2006-11-06 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：磁数据存储层包括高K_u合金以及氧与单一元素或合金的氧化物化合物。因为它们的高K_u，该磁数据存储层的磁畴可制成显著更小，同时保持约50～70的可接受的热稳定性比，以提供大于200Gb/in²的面密度。也提供用于溅射这种磁数据存储层的溅射靶。该溅射靶包括高K_u合金和期望的氧化物化合物或将在反应性溅射过程中被氧化的元素。高K_u合金具有至少0.5×10⁷ergs/cm³的各向异性常数。
具有各向异性合金氧化物化合物组合介质溅射

[发明专利]磁介质中的软磁衬层和基于软磁合金的溅射靶-CN200610115011.X无效
发明人： 迈克尔·吉恩·拉辛;阿尼尔班·达斯;史蒂文·罗杰·肯尼迪 -专利权人：黑罗伊斯公司
申请日： 2006-08-18 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁记录介质，其包括基片、沉积在基片上的衬层和沉积在衬层上的磁数据记录层，该衬层由包含至少一种软铁磁元素和至少一种阻蚀剂元素的软磁合金组成，该阻蚀剂元素选自由铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、碳(C)、铜(Cu)、镍(Ni)、锰(Mn)、氮(N)、钛(Ti)、铌(Nb)、硅(Si)、钽(Ta)和铝(Al)组成的组。还提供了一种由软磁合金组成的溅射靶，并且该软磁合金也用于磁记录头上的软磁层。
介质中的软磁衬层基于合金溅射

[发明专利]使用基于钽合金的溅射靶的增强晶种层的淀积-CN200610071716.6无效
发明人：阿纳尔班·达斯;迈克尔·吉恩·拉辛 -专利权人：黑罗伊斯公司
申请日： 2006-03-16 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：用于磁性记录介质的晶种层，通过含钽(Ta)和成合金元素的溅射靶在衬底上形成该晶种层。体心立方钽(Ta)相中成合金元素的室温溶解度不超过10原子百分数，且成合金元素的质磁率小于或等于1.5×10^－7m³/kg。或者，成合金元素在室温或高温下溶于钽(Ta)，成合金元素的质磁率小于或等于1.5×10^－7m³/kg，且成合金元素的原子半径小于1.47。再或者，体心立方钽(Ta)相中成合金元素的室温溶解度不超过10原子百分数，成合金元素的质磁率小于或等于1.5×10^－7m³/kg，成合金元素在高于室温的温度下溶于钽(Ta)，且成合金元素的原子半径小于1.47。
使用基于合金溅射增强晶种层

[发明专利]含多组分氧化物的增强的溅射靶合金组合物-CN200510114066.4无效
发明人： 迈克尔·吉恩·拉辛;安尼尔班·戴斯;史蒂文·罗杰·肯尼迪;程远达 -专利权人：黑罗伊斯有限公司
申请日： 2005-10-18 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：磁记录介质，其包括衬底、和在衬底上形成的数据存储薄膜层。数据存储薄膜层包括钴(Co)、铂(Pt)、和多组分氧化物。多组分氧化物具有还原电位小于－0.03电子伏特、原子半径小于0.25纳米的阳离子。另外，多组分氧化物具有磁导率小于10^－6m³/kg的抗磁性、顺磁性、或磁性。多组分氧化物的介电常数大于5.0。溅射靶另外包括铬(Cr)和/或硼(B)。
组分氧化物增强溅射合金组合

[发明专利]用于薄膜的增强型氧非理想配比补偿-CN200510120336.2有效
发明人： 迈克尔·吉恩·拉辛;阿尼尔班·达斯;史蒂文·罗格·肯尼迪;程远达 -专利权人：黑罗伊斯有限公司
申请日： 2005-11-08 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种制造磁记录介质的方法，包括步骤：由溅射靶在衬底上反应性或非反应性地溅射至少第一数据存储薄膜层。溅射靶包括：钴(Co)、铂(Pt)、包括第一金属和氧(O)的第一金属氧化物以及非反应性溅射时的第二金属氧化物。第一数据存储薄膜层包括钴(Co)、铂(Pt)、包括第一金属和氧(O)的理想化学配比的第三金属氧化物。在溅射过程中，第一数据存储薄膜层中第三金属氧化物的任何非理想化学配比通过使用溅射靶中第二金属氧化物的氧(O)或者使用富氧气氛中的氧(O)来补偿。第一金属从硼(B)、硅(Si)、铝(Al)、钽(Ta)、钕(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、镍(Ni)和锌(Zn)中选取。溅射靶还包括铬(Cr)和/或硼(B)。
用于薄膜增强型氧非理想配比补偿

[发明专利]增强的含氧化物溅射靶合金组合物-CN200610067822.7无效
发明人： 迈克尔·吉恩·拉辛;阿尼班·达斯;史蒂文·罗杰·肯尼迪;郑京 -专利权人：黑罗伊斯公司
申请日： 2006-03-13 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅射靶，其包括钴(Co)、铂(Pt)、单组分氧化物或多组分氧化物，以及单体金属添加剂。该单体金属添加剂具有大于－0.03电子伏特的还原电势，并且在室温下与钴(Co)基本上不相溶。该单体金属添加剂为铜(Cu)、银(Ag)或金(Au)，且溅射靶还含有铬(Cr)和/或硼(B)。该溅射靶含有2－10原子％的铜(Cu)、银(Ag)或金(Au)或其它单体金属添加剂。因此，该增强的溅射靶通过磁晶各向异性的增强和晶粒－晶粒隔离的增加使得热稳定性和SNR得到了显著的改善。
增强氧化物溅射合金组合

[发明专利]用于改进的磁性层的溅射靶材料-CN200510097876.3无效
发明人：程远达;史蒂文·罗杰·肯尼迪;迈克尔·吉恩·拉辛 -专利权人：黑罗伊斯有限公司
申请日： 2005-09-01 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种由具有基底金属的铁磁性合金与金属X构成的溅射靶，其中金属X为具有小于0.266nm的原子直径以及高于基底金属的氧化电位的金属。基底金属可以为Fe、Co，或者其它任何铁磁性材料，并且可进一步由例如Pt、Ta和/或Cr构成以增强其矫顽磁性。金属X可为从由Al、Ba、Be、Ca、Cd、Ce、Cr、Cs、Dy、Er、Eu、Ga、Gd、Hf、Ho、K、La、Li、Mg、Mn、Na、Nb、Nd、Pm、Pr、Rb、Sc、Sm、Sr、Ta、Tb、Te、Th、Ti、V、Y、Zn和Zr所构成的组中选择的金属。该溅射靶可包括高于0并且低于15原子百分数的金属X。对该溅射靶进行反应溅射以形成具有优化的晶粒尺寸以及晶间间隔的粒状介质。
用于改进磁性溅射材料

[发明专利]改善的磁记录介质的晶粒结构-CN200410057792.2无效
发明人：程远达;史蒂文·罗格·肯尼迪;迈克尔·吉恩·拉辛 -专利权人：黑罗伊斯有限公司
申请日： 2004-08-19 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种制造磁记录介质的方法。该方法包括如下步骤：在衬底上面溅射至少第一下面层，其中该第一下面层包括铬基合金，以及在该第一下面层上面溅射至少第一中间层，其中该第一中间包括钴基合金。该方法还包括下述步骤：在该第一中间层上面溅射至少第一上面层，其中该第一上面层包括钴基合金。该第一下面层，该第一中间层和/或该第一上面层中的至少一层掺杂有X，其中，X是氧化电位小于－0.6电子伏特的金属。该第一下面层，该第一中间层和/或该第一上面层中的至少一层是在有氧的情况下反应性地溅射成的。
改善记录介质晶粒结构

[发明专利]溅射靶的控制冷却-CN200410096360.2无效
发明人：程远达;史蒂文·罗格·肯尼迪;迈克尔·吉恩·拉辛;阿南德·S·德奥达特 -专利权人：黑罗伊斯有限公司
申请日： 2004-11-26 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种用于制造溅射靶的方法，其中通过产生溅射表面和正对溅射表面的背表面有选择地控制冷却速率。背表面包括至少第一纹理区。第一纹理区通过有效实现热散逸有助于冷却接近第一纹理区的溅射靶区域。
溅射控制冷却

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