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[发明专利]具有高各向异性合金和氧化物化合物的组合物的磁介质和溅射靶-CN200610159899.7无效
发明人： 阿纳尔班·达斯;迈克尔·吉恩·拉辛;史蒂文·罗格·肯尼迪 -专利权人：黑罗伊斯公司
申请日： 2006-11-06 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：磁数据存储层包括高K_u合金以及氧与单一元素或合金的氧化物化合物。因为它们的高K_u，该磁数据存储层的磁畴可制成显著更小，同时保持约50～70的可接受的热稳定性比，以提供大于200Gb/in²的面密度。也提供用于溅射这种磁数据存储层的溅射靶。该溅射靶包括高K_u合金和期望的氧化物化合物或将在反应性溅射过程中被氧化的元素。高K_u合金具有至少0.5×10⁷ergs/cm³的各向异性常数。
具有各向异性合金氧化物化合物组合介质溅射

[发明专利]使用基于钽合金的溅射靶的增强晶种层的淀积-CN200610071716.6无效
发明人： 阿纳尔班·达斯;迈克尔·吉恩·拉辛 -专利权人：黑罗伊斯公司
申请日： 2006-03-16 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：用于磁性记录介质的晶种层，通过含钽(Ta)和成合金元素的溅射靶在衬底上形成该晶种层。体心立方钽(Ta)相中成合金元素的室温溶解度不超过10原子百分数，且成合金元素的质磁率小于或等于1.5×10^－7m³/kg。或者，成合金元素在室温或高温下溶于钽(Ta)，成合金元素的质磁率小于或等于1.5×10^－7m³/kg，且成合金元素的原子半径小于1.47。再或者，体心立方钽(Ta)相中成合金元素的室温溶解度不超过10原子百分数，成合金元素的质磁率小于或等于1.5×10^－7m³/kg，成合金元素在高于室温的温度下溶于钽(Ta)，且成合金元素的原子半径小于1.47。
使用基于合金溅射增强晶种层