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- [发明专利]一种薄膜体声波器件及其制备方法-CN202211629761.4在审
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董树荣;轩伟鹏;刘刚;金浩;高峰;骆季奎
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浙江大学杭州国际科创中心
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2022-12-19
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2023-06-06
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H03H9/17
- 本发明公开一种薄膜体声波器件的制备方法,包括在硅衬底上刻蚀第一空腔,在第一空腔内沉积牺牲层,在牺牲层和部分衬底上沉积第一电极,在第一电极和另一部分衬底上依次一次性沉积压电薄膜、第二电极和保护层,刻蚀直到漏出压电薄膜,同时刻蚀分别得到Q值提升结构和漏出第二电极,在压电薄膜薄膜上刻蚀出沉积通孔和释放孔,通过沉积通孔沉积第一金属pad层,使得第一金属pad层与第一电极相连,在漏出的第二电极上沉积第二金属pad层,通过释放孔腐蚀牺牲层得到第二空腔,从而得到薄膜体声波器件;通过物理刻蚀的方法从保护层上刻蚀Q值提升层,使得Q值提升层的刻蚀profile控制在80‑90°。本发还公开了利用该制备方法制备得到的一种薄膜体声波器件。
- 一种薄膜声波器件及其制备方法
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