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[发明专利]具低传输损耗的铜箔-CN202010040377.5有效
发明人： 赖建铭;赖耀生;周瑞昌 -专利权人：长春石油化学股份有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种表面处理铜箔，其具有小于1.90μm3/μm2的实体体积(Vm)。该表面处理铜箔是在辊筒面上进行处理，且包含包括粗化粒子层的处理层。所述表面处理铜箔可作为具有低传输损耗的导电材料，例如用于电路板中。
传输损耗铜箔

[发明专利]半导体元件-CN201510467637.6有效
发明人：陆俊岑;赖建铭;周禄盛;蔡雅卉;邱靖翔;萧有彤;黄振铭;李昆儒;王裕平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，其包含一基底以及一栅极结构设于基底上，其中栅极结构包含一高介电常数介电层设于基底上以及一底部金属阻隔层设于高介电常数介电层上，该底部金属阻隔层包含一上半部、一中半部以及一下半部，且上半部为一富氮部分而中半部及下半部各为一富钛部分。
半导体元件

[发明专利]表面处理铜箔及铜箔基板-CN202080006099.X在审
发明人： 赖建铭;赖耀生;周瑞昌 -专利权人：长春石油化学股份有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H05K3/02 文献下载
摘要：一种表面处理铜箔(100)，包括一处理面(100A)，其中所述处理面(100A)的实体体积小于1.90μm3/μm2。一种铜箔基板，包括一载板以及设置于所述载板的至少一表面的表面处理铜箔(100)；其中，所述表面处理铜箔(100)包括一电解铜箔(110)以及一表面处理层(112)，所述表面处理层(112)设置在所述电解铜箔(110)和所述载板之间，所述表面处理层(112)包括面向所述载板的一处理面(100A)，且该处理面(100A)的实体体积小于1.90μm3/μm2。通过将表面处理铜箔(100)的处理面(100A)的实体体积控制为小于1.90μm3/μm2，当后续将表面处理铜箔(100)压合至载板时，能保持较低的信号传递损失程度控制。
表面处理铜箔

[发明专利]一种电催化触媒及其燃料电池-CN201611149029.1有效
发明人：赵文轩;黄琼慧;杨秉兴;邱显浩;陈耿阳;赖建铭;蔡丽端 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01M4/92 文献下载
摘要：本发明提供的电催化触媒，包括：含Pd的金属氮化物，且金属是Co、Fe、Y、Lu、Sc、Ti、V、Cu、Ni、或上述的组合，且Pd与金属的摩尔比大于0且小于或等于0.8。本发明另提供包含上述电催化触媒的燃料电池。
一种电催化触媒及其燃料电池

[发明专利]电解铜箔-CN201910371414.8有效
发明人： 赖建铭;赖耀生;周瑞昌 -专利权人：长春石油化学股份有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C25D1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种电解铜箔，该电解铜箔具有相对的一辊筒面和一沉积面；其中，该辊筒面和该沉积面的表面粗糙度的差数的绝对值小于0.8微米；以及该电解铜箔具有一幅宽方向及一卷长方向，其中该电解铜箔沿该幅宽方向分成10个相同宽度且相同长度的试片，相邻两试片的重量偏差大于或等于1.5％的总数少于相邻两试片的重量偏差小于1.5％的总数；所述相邻两试片的重量偏差以下式计算，其中n代表试片序号1至9中任一个：本发明能避免电解铜箔在卷绕过程中产生偏行的现象。
电解铜箔

[发明专利]互补金属氧化物半导体与其制作方法-CN201410524514.7有效
发明人： 赖建铭;黄建中;曾于庭;蔡雅卉;王裕平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种互补金属氧化物半导体与其制作方法，包含一P型晶体管以及一N型晶体管。P型晶体管具有一P型金属栅极，该P型金属栅极包含一底阻障层、一P型功函数金属层、一N型调和层、一N型功函数金属层以及一金属层。N型晶体管包含一N型金属栅极，该N型金属栅极包含该N型调和层、该N型功函数金属层以及该金属层。本发明还另外提供了一种形成所述互补式金属氧化物半导体的方法。
互补金属氧化物半导体与其制作方法

[外观设计]椅-CN201630494499.6有效
发明人： 赖建铭 -专利权人： 赖建铭
申请日： 2016-10-08 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： 06-01 文献下载
摘要：1、本外观设计产品设计名称：椅；2、本外观设计产品的用途是：用于家具；3、本外观设计产品的要点在于：产品的整体形状；4、最能表明设计要点的图片是：主视图。
椅

[发明专利]双极板与燃料电池-CN201110461333.0有效
发明人：蔡丽端;林俊男;赖建铭;王承* -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：一种双极板与燃料电池。所述用于燃料电池的双极板具有多个流道，其中两两相邻的流道之间定义为肋。为了提升燃料电池的放电性能，所述肋的顶面可为粗糙化表面或者具有多孔结构。
极板燃料电池

[发明专利]半导体元件的制作方法-CN201110195195.6无效
发明人： 赖建铭;陈奕文;李志成;黄同雋;许哲华;林坤贤;李宗颖;许启茂;黄信富;林进富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体元件的制造方法，包括下述步骤：首先，提供具有虚设栅电极层的虚设栅极(dummy gate)结构。接着移除此虚设栅电极层，以于栅极结构中形成一个开口，将下方材料层暴露出来。然后，针对移除了虚设栅电极层的虚设栅极结构进行氢氧化氨(NH4OH)处理工艺。再以金属材料填充此开口。
半导体元件制作方法

[发明专利]主机板及应用其的电子装置-CN201110144287.1无效
发明人：陈恩理;陈宇光;赖建铭 -专利权人：华擎科技股份有限公司
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：一种主机板及电子装置，主机板用以组装至机壳，且机壳具有开口。主机板包括板体与多个电子元件。板体具有第一配置区与第二配置区，其中第一配置区位在机壳内，第二配置区从开口突出于机壳外。电子元件分别配置在第一配置区与第二配置区。如此，可获得较佳的空间利用率。
主机板应用电子装置

[发明专利]具有金属栅极的半导体元件与其制造方法-CN201110094323.8有效
发明人：黄光耀;林俊贤;施宏霖;廖俊雄;李志成;徐韶华;陈奕文;陈正国;曾荣宗;林建廷;黄同雋;杨杰甯;蔡宗龙;廖柏瑞;赖建铭;陈映璁;马诚佑;洪文瀚;许哲华 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提出一种制作具有金属栅极的半导体元件及其制造方法。该制造方法中，首先提供基底，并于基底上形成栅极介电层。于该栅极介电层上形成具有功函数金属层的多层堆叠结构，并于至少一层的该多层堆结构进行氧处理。最后在多层堆叠结构上形成导电层。
具有金属栅极半导体元件与其制造方法

[发明专利]有机无机混成的质子交换膜-CN200910215250.6有效
发明人：蔡丽端;廖永宏;陈仕文;林俊男;赖建铭;黄秋萍;张嵩骏 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机无机混成的质子交换膜，包括0.5wt％-30wt％无机材料以及99.5wt％-70wt％有机材料。无机材料的表面积为50-3000平方米/克。有机材料包括具磺酸根的共聚高分子或掺杂磷酸的聚合物。本发明的质子交换膜的保水性佳、机械强度优、导电度佳且在高温的水中不易膨胀变形。
有机无机混成质子交换

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN200810088467.0有效
发明人：陈奕文;程立伟;许哲华;尤志豪;周正贤;赖建铭;蒋天福;林建廷;马光华 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明披露了一种具有金属栅极晶体管与多晶硅电阻结构的半导体元件及其制作方法。根据该方法，首先提供一基底，且该基底上定义有一晶体管区以及一电阻区。然后形成一多晶硅层于该基底上并覆盖该晶体管区及该电阻区。接着去除电阻区的部分多晶硅层，并图案化该多晶硅层，使该电阻区的该多晶硅层表面与该晶体管区的该多晶硅层表面之间具有一高低差。随后形成至少一个多晶硅栅极在晶体管区以及一多晶硅电阻在电阻区，并将多晶硅栅极转换成金属栅极晶体管。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件结构及其制作方法-CN200810081467.8有效
发明人：蒋天福;程立伟;许哲华;尤志豪;周正贤;赖建铭;陈奕文;林建廷;马光华 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2008-02-22 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件结构及其制作方法。该半导体元件结构包含第一金属氧化物半导体，其具有用于第一栅极的第一高介电材料与第一金属、第二金属氧化物半导体，其具有用于第二栅极的第二高介电材料与第二金属以及桥接沟道，其位于连通第一栅极与第二栅极的凹槽中以电连接第二栅极与第一栅极，且桥接沟道嵌入第一金属与第二金属的至少一者。
半导体元件结构及其制作方法

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