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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]切换设备及其操作方法-CN202010315909.1在审
发明人：黄彦清;谢燕扬;廖柏瑞 -专利权人：宏正自动科技股份有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G06F3/038 文献下载
摘要：本发明提供一种切换设备及其操作方法。切换设备适用于多个主机以及一个外围装置。切换设备包括多个主机端口、一个外围装置端口、一个切换电路以及一个提示信号监控单元。这些主机端口耦接这些主机并接收来自这些主机的数据。外围装置端口耦接外围装置。切换电路接收并根据切换信号而选择性地将这些主机端口的其中之一所接收到的数据经由外围装置端口传输至外围装置。提示信号监控单元耦接至这些主机端口，以接收来自这些主机的其中的另一所发出的提示信号，并根据提示信号发出通知以指出接收到提示信号的主机连机端口。
切换设备及其操作方法

[发明专利]具有金属栅极的半导体元件及其制作方法-CN201110174511.1有效
发明人： 廖柏瑞;蔡宗龙;林建廷;徐韶华;王彦鹏;林俊贤;杨建伦;黄光耀;陈信琦;施宏霖;廖俊雄;梁佳文 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，首先提供一表面形成有一第一晶体管与一第二晶体管的基底，且该第一晶体管内形成有一第一栅极沟槽。该第一晶体管具有一第一导电型式，该第二晶体管具有一第二导电型式，且该第一导电型式与该第二导电型式相反。接下来依序于该第一栅极沟槽内形成一第一功函数金属层与一牺牲掩模层、随后移除部分该牺牲掩模层以暴露出部分该第一功函数金属层。之后，移除暴露的部分该第一功函数金属层，以于该第一栅极沟槽内形成一U形功函数金属层。而在形成该U形功函数金属层之后，移除该牺牲掩模层。
具有金属栅极半导体元件及其制作方法

[发明专利]具有金属栅极的半导体元件的制作方法-CN201110085275.6有效
发明人： 廖柏瑞;蔡宗龙;林建廷;徐韶华;陈意维;黄信富;李宗颖;蔡旻錞;杨建伦;吴俊元;蔡腾群;黄光耀;许嘉麟;杨杰甯;陈正国;曾荣宗;李志成;施宏霖;黄柏诚;陈奕文;许哲华 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种制作具有金属栅极的半导体元件的方法。此方法首先提供基底。基底包括第一导电型晶体管、第二导电型晶体管，其中第一导电型晶体管包括第一牺牲栅极，第二导电型晶体管包括第二牺牲栅极。接着移除第一导电型晶体管的第一牺牲栅极以形成第一沟槽，并于第一沟槽内形成第一金属层。移除第二导电型晶体管的第二牺牲栅极以形成第二沟槽，并于第一沟槽内以及第二沟槽内形成第二金属层。最后于第二金属层上形成第三金属层，使得第三金属层填入第一沟槽以及第二沟槽中。
具有金属栅极半导体元件制作方法

[发明专利]具有金属栅极的半导体元件与其制造方法-CN201110094323.8有效
发明人：黄光耀;林俊贤;施宏霖;廖俊雄;李志成;徐韶华;陈奕文;陈正国;曾荣宗;林建廷;黄同雋;杨杰甯;蔡宗龙;廖柏瑞;赖建铭;陈映璁;马诚佑;洪文瀚;许哲华 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提出一种制作具有金属栅极的半导体元件及其制造方法。该制造方法中，首先提供基底，并于基底上形成栅极介电层。于该栅极介电层上形成具有功函数金属层的多层堆叠结构，并于至少一层的该多层堆结构进行氧处理。最后在多层堆叠结构上形成导电层。
具有金属栅极半导体元件与其制造方法

[发明专利]具有金属栅极的半导体元件的制作方法-CN201110057040.6有效
发明人： 廖柏瑞;蔡宗龙;林建廷;徐韶华;吕水烟;周珮玉;陈信琦;廖俊雄;蔡尚元;杨建伦;蔡腾群;林俊贤 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种制作具有金属栅极的半导体元件的方法。首先提供基底。基底包括第一导电型晶体管、第二导电型晶体管。第一导电型晶体管包括第一牺牲栅极，第二导电型晶体管包括第二牺牲栅极。接着移除第一牺牲栅极，以形成第一沟槽，并于第一沟槽内形成第一金属层以及第一物质层。平坦化第一金属层以及第一物质层。接着移除第二牺牲栅极，以形成第二沟槽，并于第二沟槽内形成第二金属层以及第二物质层。最后，平坦化第二金属层以及第二物质层。
具有金属栅极半导体元件制作方法

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