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[发明专利]一种基于AlN/PSS复合衬底的高亮度发光二极管及其制备方法-CN201910942692.4有效
发明人：贾传宇;胡西多 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于AIN/PSS复合衬底的高亮度发光二极管及其制备方法，所述高亮度发光二极管包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底、u型GaN合并层、n型GaN层、低温GaN V‑pits层、有源区、电子阻挡层、高温p型GaN层和接触层。本发明的高亮度发光二极管包括新型结构的u‑GaN合并层，以及V‑pits层和有源区，能够有效提高外延层晶体质量，有效缓解有源区应力，并改善水平方向电流扩展，进而实现提高发光二极管发光效率的目的，制得的发光二极管亮度高。
一种基于 aln pss 复合衬底亮度发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种基于氮化镓单晶衬底的激光二极管及其制备方法-CN201910935597.1有效
发明人：贾传宇;凌东雄;王红成;吕伟;王春华;康晓娇;胡西多 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮化镓单晶衬底的激光二极管及其制备方法，所述激光二极管包括从下到上依次层叠设置的GaN单晶衬底、n型GaN层、n型限制层、下波导层、复合量子阱有源区、电子阻挡层、上波导层、p型限制层和p型GaN层。本发明设计和优化氮化镓基激光器高量子效率应力调控有源区结构，新型光波导层结构以及新型限制层结构，在低位错密度GaN单晶衬底上制备激光二极管，突破GaN基激光器的外延制备技术难点，得到高可靠性高量子效率GaN基激光器。
一种基于氮化镓单晶衬底激光二极管及其制备方法

[发明专利]一种非极性面氮化镓衬底外延结构及其制备方法与应用-CN201811463191.X有效
发明人：贾传宇;王红成;胡西多 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种非极性面氮化镓衬底外延结构及其制备方法与应用。所述非极性面氮化镓衬底外延结构，包括从下向上的非极性面氮化镓衬底、第一n‑GaN层、复合应力释放层、有源区、电子阻挡层、高温p‑GaN层和p‑InGaN接触层；所述复合应力释放层从下向上依次由u‑GaN层、n‑Inx1Ga1‑x1N/GaN超晶格层和第二n‑GaN层组成；其中，u‑GaN层的厚度为100～400nm；n‑Inx1Ga1‑x1N/GaN超晶格层为势阱Inx1Ga1‑x1N层和势垒GaN层交替生长且呈周期性的多层膜，周期数为10～20。本发明提供的u‑GaN、n‑Inx1Ga1‑x1N/GaN超晶格和n‑GaN作为复合应力释放层提高了非极性面氮化镓衬底外延结构的发光效率。
一种极性氮化衬底外延结构及其制备方法应用

[实用新型]一种晶体生长反应装置-CN201820045813.6有效
发明人： 胡西多 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体生长反应装置，包括釜体和设在釜体内的坩埚，所述坩埚的底面和侧壁分别设有加热器，坩埚中设有内腔体，内腔体中设有晶种，釜体上设有进气口和出气口，坩埚内设有位于内腔体一侧的阀门和阀门驱动装置，阀门与阀门驱动装置连接。本实用新型通过阀门驱动装置驱动阀门转动、平动或者摇摆运动，使晶种表面的液体镓源发生可控流动，进一步促进反应前的过饱和溶液与反应过后的残余溶液交替运动，提高材料生长速率和质量。
坩埚阀门驱动装置内腔体本实用新型反应装置晶体生长阀门釜体晶种进气口加热器过饱和溶液材料生长残余溶液交替运动驱动阀门摇摆运动出气口速率和液体镓侧壁底面可控平动转动体内流动

[发明专利]一种内腔调控钠流法材料生长反应釜-CN201810027905.6在审
发明人： 胡西多 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种内腔调控钠流法材料生长反应釜，包括釜体和设在釜体内的坩埚，所述坩埚的底面和侧壁分别设有加热器，坩埚中设有内腔体，内腔体中设有晶种，釜体上设有进气口和出气口，坩埚内设有位于内腔体一侧的阀门和阀门驱动装置，阀门与阀门驱动装置连接。本发明通过阀门驱动装置驱动阀门转动、平动或者摇摆运动，使晶种表面的液体镓源发生可控流动，进一步促进反应前的过饱和溶液与反应过后的残余溶液交替运动，提高材料生长速率和质量。
坩埚阀门驱动装置材料生长内腔体反应釜阀门釜体晶种钠流内腔进气口加热器过饱和溶液残余溶液交替运动驱动阀门摇摆运动出气口速率和液体镓调控侧壁底面可控平动转动体内流动

[实用新型]一种陶瓷基板的封装结构-CN201720540695.1有效
发明人： 胡西多;童玉珍;郑小平 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种陶瓷基板的封装结构，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板上设有光源N极、光源P极和LED光源金属导电层，该LED光源金属导电层一端通过线路与光源N极连接、另一端通过线路与光源P极连接，LED光源金属导电层上设有纳米Ag复合焊膏层，该纳米Ag复合焊膏上贴装有与LED光源导电金属层电连接的LED倒装芯片。本实用新型具有高导电率和高导热效率，能够在300℃以上的高温环境下使用，耐高温性较佳。
一种陶瓷封装结构

[发明专利]一种纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板及制备方法-CN201710344877.6在审
发明人： 胡西多;童玉珍;郑小平 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板及制备方法，包括以下步骤在陶瓷基板上进行精密线路刻蚀形成LED光源金属导电层、LED光源N极和LED光源P极，该LED光源N极和LED光源P极均与LED光源金属导电层电连接；通过化学和电火花放电合成制备纳米Ag复合焊膏层，将该纳米Ag复合焊膏层印刷或涂覆于LED光源金属导电层上，以加压加热的方式使纳米Ag复合焊膏层与陶瓷基板烧结连接；将LED倒装芯片覆合在Ag纳米复合焊膏层上，进行LED光源封装，制作得到具有LED光源的陶瓷基板。本发明的导电和导热率较高，能够在300℃以上的高温环境下使用，耐高温性较佳。
一种纳米 ag 复合 led 光源陶瓷制备方法

[发明专利]一种电镀滚筒-CN201510410911.6有效
发明人：吴培才;丁松林;李顺峰;王广文;胡西多 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C25D17/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种电镀滚筒，包括筒体和轴承管，该筒体两端装有带齿的边板，轴承管沿筒体的轴线方向设置在筒体内，且该轴承管的两端穿过边板裸露在筒体外，轴承管与边板间为活动装接，筒体侧壁上设有流通孔，所述筒体内设有阳极板和支管，阳极板固定在支管尾端，该支管固定装接在轴承管上，阳极板与阳极线连接，筒体侧壁和边板均与阴极线连接，筒体内壁设有用于放置基板的卡槽机构。本发明能够对基板上的孤立金属线路图形进行直接加厚，提高电镀金属膜层的均匀性，缩短了工序流程，节约成本。
一种电镀滚筒

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