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- [发明专利]曝光装置-CN200610004900.9无效
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西健尔;太田和哉
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株式会社尼康
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1997-11-28
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2006-09-13
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G03F7/20
- 保持基片的2个载片台WS1、WS2可以在定位系统24a下的位置信息测量区域PIS和投影光学系统PL下的曝光区域EPS之间独立地移动。在上述WS1上正在进行晶片交换以及对位期间,可以在载片台WS2上曝光晶片W2。晶片WS1的各拍照区域的位置在区域PIS中被作为相对形成在载片台WS1上的基准标记的相对位置求出。因为相对位置信息在晶片WS1被移动到区域EPS被曝光时,用于相对曝光图形的对位,所以在载片台移动时不需要连续监视载片台的位置。通过使用2个晶片载片台WS1、WS2并行处理曝光动作就可以提高生产率。
- 曝光装置
- [发明专利]曝光装置以及曝光方法-CN200610005101.3无效
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西健尔;太田和哉
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株式会社尼康
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1997-11-28
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2006-07-26
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G03F7/20
- 保持基片的2个载片台WS1、WS2可以在定位系统24a下的位置信息测量区域PIS和投影光学系统PL下的曝光区域EPS之间独立地移动。在上述WS1上正在进行晶片交换以及对位期间,可以在载片台WS2上曝光晶片W2。晶片WS1的各拍照区域的位置在区域PIS中被作为相对形成在载片台WS1上的基准标记的相对位置求出。因为相对位置信息在晶片WS1被移动到区域EPS被曝光时,用于相对曝光图形的对位,所以在载片台移动时不需要连续监视载片台的位置。通过使用2个晶片载片台WS1、WS2并行处理曝光动作就可以提高生产率。
- 曝光装置以及方法
- [发明专利]图像显示装置和投影光学系统-CN03822697.9无效
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西健尔
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西健尔
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2003-09-18
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2005-10-19
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G02B27/02
- LCD模组(142)的图像的中间像,通过变焦及自动对焦控制系统(g)由反射镜(M1、M2)偏转,并通过中继透镜(b)、反射镜(M3、M4)在扩散玻璃(131)上成像。由扩散玻璃(131)按±20°大小扩散的光束通过目镜(132)在眼球视网膜上投影LCD像。目镜(132)中最为接近晶状体(2)的透镜其中一面具有圆锥面所形成的非眼球形状,该圆锥面的圆锥系数小于-1。由此可获得视野角度为60°以上、像差小的光学系统。
- 图像显示装置投影光学系统
- [发明专利]曝光装置、基片处理系统和器件制造方法-CN02801062.0无效
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西健尔
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株式会社尼康
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2002-04-03
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2005-07-06
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H01L21/027
- 用于支撑基片台(WST1)的第一主体单元(ST1)由震动隔离器(如16A和16B)在四个点处支撑,并且第二主体单元(ST2)由第二震动隔离器(如24A和24B)在三个点处支撑在第一主体单元上。这使得第一主体单元和基片台可以以稳定的方式被高刚性地支撑,并且例如允许从装置的背面(-X侧)对台面部分进行维护操作,这在第一主体单元被支撑在三点时是不可能的。另外,因为装置包括串连连接到两个平台的震动隔离单元,所以此布局对抑制来自地面的背景震动非常有效。因此,可以进行高精度的曝光,提高器件的产量,并且可以减少维护操作所需的时间从而提高装置的工作率,由此带来作为最终产品的器件的生产率提高。
- 曝光装置处理系统器件制造方法
- [发明专利]曝光装置以及曝光方法-CN97181117.2有效
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西健尔;太田和哉
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株式会社尼康
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1997-11-28
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2004-03-31
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H01L21/027
- 保持基片的2个载片台WS1、WS2可以在定位系统24a下的位置信息测量区域PIS和投影光学系统PL下的曝光区域EPS之间独立地移动。在上述WS1上正在进行晶片交换以及对位期间,可以在载片台WS2上曝光晶片W2。晶片WS1的各拍照区域的位置在区域PIS中被作为相对形成在载片台WS1上的基准标记的相对位置求出。因为相对位置信息在晶片WS1被移动到区域EPS被曝光时,用于相对曝光图形的对位,所以在载片台移动时不需要连续监视载片台的位置。通过使用2个晶片载片台WS1、WS2并行处理曝光动作就可以提高生产率。
- 曝光装置以及方法
- [发明专利]防振装置、平台装置及曝光装置-CN03146582.X无效
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西健尔
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尼康株式会社
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2003-07-08
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2004-03-10
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G03F7/20
- 提供一种防振装置,具备有借由第一气体室(69)的内部气体的压力而使支持对象物(OB)的自重通过保持构件(62)被支持,基于第一气体室和第二气体室(79)的至少一方的状态变化,驱动使第二气体室的内容积变化并使第一气体室的内容积变化的可动装置(149),调整保持构件的重力方向的位置的调整装置(74),所以,当由于振动等而使保持构件在重力方向位移时,借由利用调整装置使可动装置被驱动,可使保持构件被维持于原来的位置,而且,借由使可动装置和支持对象物非接触,这就不会直接使支持对象物变形,只是由两气体室的内容积的变化而驱动支持对象物,所以即使第一气体室内的气体的刚性高也没有问题,使除振或制振效果提高,且谋求装置的小型化。
- 装置平台曝光
- [发明专利]曝光方法和装置-CN99813401.5无效
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西健尔
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株式会社尼康
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1999-11-12
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2002-05-08
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H01L21/027
- 一种曝光方法,不用太多地降低效率即可在曝光过程中高精度地检测作为曝光对象的基板表面相对投影光学系像面的散焦量,以自动聚焦方式对焦。使用包含照明狭缝部(54a)-光学构件(63a)的第1斜入射方式的AF传感器和包含照明狭缝部(54b)-光学构件(63b)的第2斜入射方式的AF传感器,由这些AF传感器将狭缝像(F1f、F2f)照射到相同的检测点,分别进行聚焦位置的测量。将2个测量值的差分的1/2作为测量值的漂移,对这些AF传感器的测量值修正该漂移。之后,利用该第1或第2AF传感器按自动聚焦方式对焦。
- 曝光方法装置
- [发明专利]曝光装置-CN01121642.5无效
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西健尔;太田和哉
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株式会社尼康
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1997-11-28
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2002-01-02
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G03F7/20
- 保持基片的2个载片台WS1、WS2可以在定位系统24a下的位置信息测量区域PIS和投影光学系统PL下的曝光区域EPS之间独立地移动。在上述WS1上正在进行晶片交换以及对位期间,可以在载片台WS2上曝光晶片W2。晶片WS1的各拍照区域的位置在区域PIS中被作为相对形成在载片台WS1上的基准标记的相对位置求出。因为相对位置信息在晶片WS1被移动到区域EPS被曝光时,用于相对曝光图形的对位,所以在载片台移动时不需要连续监视载片台的位置。通过使用2个晶片载片台WS1、WS2并行处理曝光动作就可以提高生产率。
- 曝光装置
- [发明专利]光刻装置和曝光方法-CN01121643.3无效
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西健尔;太田和哉
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株式会社尼康
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1997-11-28
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2002-01-02
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G03F7/20
- 保持基片的2个载片台WS1、WS2可以在定位系统24a下的位置信息测量区域PIS和投影光学系统PL下的曝光区域EPS之间独立地移动。在上述WS1上正在进行晶片交换以及对位期间,可以在载片台WS2上曝光晶片W2。晶片WS1的各拍照区域的位置在区域PIS中被作为相对形成在载片台WS1上的基准标记的相对位置求出。因为相对位置信息在晶片WS1被移动到区域EPS被曝光时,用于相对曝光图形的对位,所以在载片台移动时不需要连续监视载片台的位置。通过使用2个晶片载片台WS1、WS2并行处理曝光动作就可以提高生产率。
- 光刻装置曝光方法
- [发明专利]曝光方法和设备制造方法-CN01117665.2无效
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西健尔;太田和哉
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株式会社尼康
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1997-11-28
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2001-11-21
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G03F7/20
- 保持基片的2个载片台WS1、WS2可以在定位系统24a下的位置信息测量区域PIS和投影光学系统PL下的曝光区域EPS之间独立地移动。在上述WS1上正在进行晶片交换以及对位期间,可以在载片台WS2上曝光晶片W2。晶片WS1的各拍照区域的位置在区域PIS中被作为相对形成在载片台WS1上的基准标记的相对位置求出。因为相对位置信息在晶片WS1被移动到区域EPS被曝光时,用于相对曝光图形的对位,所以在载片台移动时不需要连续监视载片台的位置。通过使用2个晶片载片台WS1、WS2并行处理曝光动作就可以提高生产率。
- 曝光方法设备制造
- [发明专利]曝光装置以及曝光方法-CN01117666.0无效
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西健尔;太田和哉
-
株式会社尼康
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1997-11-28
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2001-11-21
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G03F7/20
- 保持基片的2个载片台WS1、WS2可以在定位系统24a下的位置信息测量区域PIS和投影光学系统PL下的曝光区域EPS之间独立地移动。在上述WS1上正在进行晶片交换以及对位期间,可以在载片台WS2上曝光晶片W2。晶片WS1的各拍照区域的位置在区域PIS中被作为相对形成在载片台WS1上的基准标记的相对位置求出。因为相对位置信息在晶片WS1被移动到区域EPS被曝光时,用于相对曝光图形的对位,所以在载片台移动时不需要连续监视载片台的位置。通过使用2个晶片载片台WS1、WS2并行处理曝光动作就可以提高生产率。
- 曝光装置以及方法
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