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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件-CN202211324354.2在审
  • 裵丙才;权信;朴正民;严鏋镇;郑炯钟 - 三星电子株式会社
  • 2022-10-27 - 2023-05-09 - H10B61/00
  • 一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域和外围区域；在单元区域和外围区域上的互连线，互连线在垂直于衬底的顶表面的第一方向上与衬底间隔开；在单元区域和外围区域上的下绝缘层，下绝缘层覆盖互连线，在单元区域上的下绝缘层的顶表面处于比互连线中的最上面的互连线的顶表面低的高度处；以及在单元区域上的下绝缘层上的数据存储图案，数据存储图案彼此水平地间隔开，数据存储图案直接连接到在单元区域上的最上面的互连线的顶表面。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202210106249.5在审
  • 柳炅勋;权信;裵丙才;申贤哲;李佳元 - 三星电子株式会社
  • 2022-01-28 - 2022-08-16 - H01L27/22
  • 一种半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；数据存储图案，在第一区域上并且在第一方向上彼此间隔开；上绝缘层，在第一区域和第二区域上以及数据存储图案上；单元线结构，穿透第一区域上的上绝缘层，在第一方向上延伸，并且电连接到数据存储图案；以及上连接结构，穿透第二区域上的上绝缘层。上连接结构包括上导线和沿着上导线的底表面布置的上导电接触。上导线的底表面位于比单元线结构的底表面高的高度。单元线结构的侧表面具有连续延伸的直线形状。
  • 半导体器件
  •  1 
  • 共 4 条
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