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[发明专利]磁传感器、传感器模块及诊断装置-CN202010160188.1有效
发明人：白鸟聪志;山田健一郎;藤庆彦;东祥弘;喜喜津哲 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：提供能够提高检测灵敏度的磁传感器、传感器模块及诊断装置。根据实施方式，磁传感器包括第1元件、第1布线及第1磁性部。所述第1元件包括第1磁性层、第1对置磁性层和设置于所述第1磁性层与所述第1对置磁性层之间的第1非磁性层。从所述第1对置磁性层向所述第1磁性层的方向沿着第1方向。所述第1布线在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸。所述第1磁性部包括第1区域及所述第1对置区域。所述第1布线的至少一部分在所述第1方向上位于所述第1区域与所述第1对置区域之间。
传感器模块诊断装置

[发明专利]绝缘器件-CN202210522350.9在审
发明人：菊地拓雄;伊藤和幸;阿久津敏;牧野伸显;大黑达也;藤庆彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01B17/56 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高可靠性的绝缘器件。绝缘器件具备第一电极、第二电极、以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的绝缘膜。所述绝缘膜具有正的带电区域。所述正的带电区域在所述绝缘膜中配置于从所述第一电极朝向所述第二电极的方向上的一部分。
绝缘器件

[发明专利]绝缘元件-CN202210522361.7在审
发明人：阿久津敏;伊藤和幸;菊地拓雄;牧野伸显;大黑达也;藤庆彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制第一线圈和第二线圈之间的层间绝缘膜中的雪崩击穿的绝缘元件。绝缘元件具备：第一线圈；第二线圈；以及设于所述第一线圈与所述第二线圈之间的层间绝缘膜。所述层间绝缘膜具有第一层、第二层、以及设于所述第一层与所述第二层之间的第三层。所述第一层设于所述第一线圈与所述第三层之间，所述第二层设于所述第二线圈与所述第三层之间，所述第三层的带隙比所述第一层的带隙以及所述第二层的带隙窄。
绝缘元件

[发明专利]隔离器-CN202210802501.6在审
发明人： 藤庆彦;根贺亮平;大黑达也;镰仓孝信 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01P1/375 文献下载
摘要：本发明的隔离器具备：第一结构体，具有：第一电极；第一绝缘部，设置于第一电极上；第二电极，设置于第一绝缘部上；第二绝缘部，沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围；以及第一电介质部，连续地设置于第一绝缘部与第二电极之间及第二绝缘部与第二电极之间，第一电介质部的相对介电常数高于第一绝缘部，且高于第二绝缘部，第二结构体，具有：第三电极；及第四电极，一端与第二电极的一端电连接，第一绝缘部设置于第三电极之上，第四电极设置于第一绝缘部之上，与第三电极对置，第二绝缘部沿着第一面设置于第四电极的周围，第一电介质部连续地设置于第一绝缘部与第四电极之间及第二绝缘部与第四电极之间。
隔离器

[发明专利]隔离器-CN202210586280.3在审
发明人：石黑阳;根贺亮平;藤庆彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01P1/375 文献下载
摘要：本发明的隔离器具备：第一电极；第一绝缘部，设置于第一电极之上；第二电极，设置于第一绝缘部之上；第二绝缘部，包围第二电极而设置，沿着与第一方向垂直的第一面而设置，与第二电极接触；第一电介质部，设置于第二电极之上及第二绝缘部之上；以及第二电介质部，设置于第一绝缘部与第二绝缘部之间，第二电极具有：与第一绝缘部相对置的底面、与第一电介质部相对置的上表面及与上表面及底面连接的侧面，第二电介质部与第二电极接触，包含第一及第二电介质层，第一电介质层与第一绝缘部接触，第二电介质层设置于第一电介质层与第二绝缘部之间，第一电介质层具有比第二电介质层、第一绝缘部及第二绝缘部的相对介电常数高的相对介电常数。
隔离器

[发明专利]隔离器-CN202010798584.7有效
发明人： 藤庆彦;根贺亮平;大黑达也;镰仓孝信 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01P1/375 文献下载
摘要：根据一个实施方式，隔离器具备第一电极、第一绝缘部、第二电极、第二绝缘部以及第一电介质部。第一绝缘部设置于第一电极上。第二电极设置于第一绝缘部之上。第二绝缘部沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部在第一方向上设置于第一绝缘部与第二绝缘部之间。第一电介质部的至少一部分沿着第一面位于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部与第二绝缘部的第一界面与第二电极的下端之间的第一方向上的距离，比第一界面与第二电极的上端之间的第一方向上的距离短。第一电介质部的相对介电常数比第一绝缘部的相对介电常数高，且比第二绝缘部的相对介电常数高。
隔离器

[发明专利]隔离器-CN202010798666.1有效
发明人：石黑阳;根贺亮平;藤庆彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01P1/375 文献下载
摘要：实施方式的隔离器具备：第一电极；第一绝缘部，设置于所述第一电极之上；第二电极，设置于所述第一绝缘部之上；第二绝缘部，沿着与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向垂直的第一面设置于所述第二电极的周围，并与所述第二电极接触；以及第一电介质部，设置于所述第二电极及所述第二绝缘部之上。所述第二电极具有与所述第一绝缘部相对置的底面、与所述第一电介质部相对置的上表面、与所述底面相连的第一侧面及与所述上表面及所述第一侧面相连的第二侧面。沿着所述第一面，在从所述第二电极的中心朝向所述第二电极的外缘的第二方向上，所述上表面被设置为比所述底面宽，所述第一侧面相对于所述底面及所述第二侧面倾斜。
隔离器

[发明专利]隔离器-CN202010894429.5在审
发明人：根贺亮平;藤庆彦;大黑达也;镰仓孝信 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：实施方式的隔离器具备：基板；第一平面线圈，在所述基板的上方沿着所述基板的表面设置；第一绝缘部，设置于所述第一平面线圈上；第二平面线圈，设置于所述第一绝缘部之上；及金属层，设置于所述第一绝缘部的上方。所述第一平面线圈、所述第二线圈及所述金属层在与所述基板的所述表面垂直的第一方向上并排配置。在沿着所述基板的所述表面的第二方向上，从所述第一平面线圈的中心线到外周的距离比从所述第二平面线圈的中心到外周的距离短。
隔离器

[发明专利]应变和压力检测器件、话筒、制造应变和压力检测器件的方法以及制造话筒的方法-CN201210225044.5有效
发明人：福泽英明;大黑达也;小岛章弘;杉崎吉昭;高柳万里子;藤庆彦;堀昭男;原通子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：根据一个实施例，应变和压力检测器件包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和晶体管。所述晶体管设置在半导体衬底上。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上，并且具有空间部分和非空间部分。所述非空间部分与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、以及第一和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分，并且包括第一和第二互连层。所述固定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述第一和第二埋置互连部设置在所述非空间部分中。
应变压力检测器件话筒制造方法以及

[发明专利]磁阻效应元件及其制造方法-CN200910003801.2无效
发明人：村上修一;福泽英明;汤浅裕美;藤庆彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-02-01 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种可实现更大MR变化率的磁阻效应元件，该磁阻效应元件，其特征在于，具有：磁阻效应膜；以及用于使电流在上述磁阻效应膜的膜面上垂直流通的一对电极，该磁阻效应膜，含有：磁化方向实质上固定在一个方向上的磁化固定层；磁化方向对应于外部磁场而变化的磁化自由层；设置在上述磁化固定层和上述磁化自由层之间的中间层；设置在上述磁化固定层或上述磁化自由层上面的盖层；以及设于上述磁化固定层中、上述磁化自由层中、上述磁化固定层和上述磁化自由层的界面、上述中间层和上述磁化自由层的界面、以及上述磁化固定层或磁化自由层与上述盖层的界面的任何一个、并由含有氧或氮的材料形成的功能层，上述功能层的结晶取向面与其上或其下邻接的层的结晶取向面不同。
磁阻效应元件及其制造方法

[发明专利]磁阻效应元件和其制备方法-CN200910004000.8无效
发明人：福泽英明;村上修一;汤浅裕美;藤庆彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-02-01 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供可实现更大MR变化率的磁阻效应元件。一种磁阻效应元件，其特征在于，具有磁阻效应膜和用于使电流沿与上述磁阻效应膜的膜面垂直的方向流过的一对电极，所述磁阻效应膜含有磁化方向实质上固定在单向上的磁化固定层、磁化方向根据外部磁场而变化的磁化自由层、在上述磁化固定层与上述磁化自由层之间设置的中间层、在上述磁化固定层或者磁化自由层上设置的盖层，和在上述磁化固定层中、上述磁化自由层中、上述磁化固定层与上述中间层的界面、上述中间层与上述磁化自由层的界面、以及上述磁化固定层或者磁化自由层与上述盖层的界面的任一者上设置的功能层，上述功能层含有包含Fe含量大于等于5原子％的金属材料和氮的层。
磁阻效应元件制备方法

[发明专利]磁阻效应元件及其制造方法-CN200680047653.9无效
发明人：福泽英明;汤浅裕美;藤庆彦;岩崎仁志 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01F41/30 文献下载
摘要：一种磁阻效应元件，通过下述方法制造：形成第一磁性层；在第一磁性层上形成的包括绝缘层和导电层的间隔层，该导电层穿过绝缘层并传导电流；和在形成的间隔层上形成的第二磁性层，该第二磁性层的全部或部分用离子、等离子体或加热来处理。
磁阻效应元件及其制造方法

[发明专利]磁阻效应元件及其制造方法-CN200810088314.6无效
发明人： 藤庆彦;福泽英明;汤浅裕美;张坤亮;李民;原通子;黑崎义成 -专利权人：株式会社东芝;TDK株式会社
申请日： 2008-03-27 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁阻效应元件，包括：固定磁化层，其磁化被实质地固定在一个方向上；自由磁化层，其磁化根据外部磁场转动，并被形成于所述固定磁化层的相对面；分隔层，包括具有绝缘层和在所述绝缘层的厚度方向上通过电流的导体的电流限制层，并位于所述固定磁化层和所述自由磁化层之间；薄膜层，相对于所述自由磁化层位于所述分隔层的相对侧；及功能层，含有从Si、Mg、B、Al组成的组中选择的至少一种元素，并形成于所述固定磁化层、所述自由磁化层和所述薄膜层中至少一个层之中或之上。
磁阻效应元件及其制造方法

[发明专利]磁阻效应元件的制造方法、磁头、磁记录再生装置、及磁性存储器-CN200710147403.9无效
发明人：汤浅裕美;福泽英明;藤庆彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-09-07 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种能获得MR变化率高、并能期待与高记录密度对应的磁阻效应元件以及利用该元件的磁头、磁记录再生装置及磁性随机存取存储器。所述元件具有：固定磁化方向的第1磁性层；固定磁化方向的第2磁性层；设置于所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的中间层；以及对包括所述第1磁性层、所述中间层、所述第2磁性层的层叠膜的膜面垂直地通电的电极，所述中间层具有绝缘体区域和包括Fe、Co、Ni、Cr中至少一种的金属区域，使所述金属区域与所述第1及第2磁性层接触由此制成磁阻效应元件。
磁阻效应元件制造方法磁头记录再生装置磁性存储器

[发明专利]磁阻效应元件、磁存储器、磁头及记录再生装置-CN200710180640.5无效
发明人： 藤庆彦;福泽英明;汤浅裕美 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供可以谋求MR变化率提高的磁阻效应元件、磁存储器、磁头及磁记录再生装置。磁阻效应元件具有：磁化方向实质上被固定成一个方向的第1磁性层、磁化方向随外部磁场变化的第2磁性层和设置在所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的间隔层，所述第1磁性层和所述第2磁性层的至少任一层含有式M1_aM2_bX_c(5≤a≤68、10≤b≤73、22≤c≤85)所表示的磁性化合物，M1是选自Co、Fe、Ni的至少一种元素，M2是选自Ti、V、Cr、Mn的至少一种元素，X是选自N、O、C的至少一种元素。
磁阻效应元件磁存储器磁头记录再生装置

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