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[发明专利]芯片堆叠封装结构及其封装方法、电子设备-CN201980101842.7有效
发明人： 蔡崇宣;张弛;陶军磊;赵南;蒋尚轩 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种芯片堆叠封装结构及其封装方法、电子设备，涉及电子技术领域，用于解决大尺寸封装结构中部件脱层的问题。芯片堆叠封装结构(100)，包括:重布线层(10)；多个间隔设置的裸芯片(20)，相邻裸芯片(20)之间具有第一间隙(N1)；焊接组件(30)，位于重布线层(10)与裸芯片(20)之间，用于支撑裸芯片(20)，并实现裸芯片(20)与重布线层(10)的电连接；阻隔墙(85)，设置于重布线层(10)朝向裸芯片(20)一侧，且与第一间隙(N1)位置对应；第一底部填充胶层(40)，填充于重布线层(10)、裸芯片(20)以及阻隔墙(85)围成的区域内，且包裹焊接组件(30)；塑封层(50)，覆盖裸芯片(20)，且填充第一间隙(N1)。
芯片堆叠封装结构及其方法电子设备

[发明专利]芯片封装、电子设备及芯片封装制备方法-CN201980100967.8在审
发明人：赵南;蔡崇宣;蒋尚轩 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：一种芯片封装、电子设备及芯片封装制备方法，该芯片封装包括基板、第一裸片、第二裸片和横梁结构，上述第一裸片与第二裸片并排设置于基板的一侧，且与基板电连接。上述横梁结构设置于第一裸片和第二裸片之间，该横梁结构的第一端与第一裸片的一部分堆叠且固定连接，第二端与第二裸片的一部分堆叠且固定连接，该横梁结构与上述第一裸片和第二裸片绝缘连接。上述横梁结构的热膨胀系数小于基板的热膨胀系数，从而当基板由于热膨胀等原因发生机械变形时，横梁结构产生的机械变形程度较小，可以减少第一裸片与第二裸片之间的间隙发生的变化。
芯片封装电子设备制备方法

[发明专利]半导体封装装置和其制造方法-CN201810087487.X有效
发明人： 蔡崇宣 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装装置包括裸片、介电层、多个传导柱和封装主体。所述裸片具有活性表面、与所述活性表面相对的背表面和在所述活性表面与所述背表面之间延伸的侧表面。所述介电层在裸片的所述活性表面上，具有顶表面且界定多个开口。每一传导柱安置于所述介电层的所述多个开口中的对应开口中。每一传导柱电连接到所述裸片。每一传导柱具有顶表面。每一传导柱的所述顶表面低于所述介电层的所述顶表面。所述封装主体囊封所述裸片的所述背表面和所述侧表面。
半导体封装装置制造方法

[发明专利]扇出晶片级封装结构-CN201810627886.0有效
发明人： 蔡崇宣;谢爵安 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及一种扇出晶片级封装结构。本文中描述一种半导体装置及其制造方法，其中所述半导体装置包含：第一裸片，其包含第一接垫及第一钝化层；第二裸片，其包含第二接垫及第二钝化层；封装体，其环绕所述第一裸片及所述第二裸片且包括第一表面；介电层，其覆盖所述第一钝化层的至少一部分及所述第二钝化层的至少一部分，且进一步覆盖所述第一裸片与所述第二裸片之间的所述封装体，其中所述介电层包含：邻近于所述第一钝化层、所述第二钝化层及所述封装体的第二表面；及与所述第二表面对立的第三表面；及重布线层，其电性连接至所述第一接垫及所述第二接垫且置放于所述介电层的所述第三表面上方。
晶片封装结构

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201810183068.6有效
发明人： 蔡崇宣;蔡裕斌;谢爵安;曾国展 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括芯片、电性接点、第一包覆体及第二包覆体。芯片具有一外侧面。电性接点形成于芯片上。第一包覆体包覆芯片的外侧面的第一部分。第二包覆体包覆芯片的外侧面的第二部分及部分电性接点。第一包覆体与第二包覆体于芯片的外侧面直接接触。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装结构-CN201910983535.8在审
发明人：谢雅玉;高金利;蔡崇宣;陈嘉滨 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体封装结构，其具有：具有主动表面的半导体管芯；在所述主动表面上的导电凸点，其被配置成将所述半导体管芯电耦合到外部电路，所述导电凸点具有凸点高度；电介质，其包封所述半导体管芯和所述导电凸点；以及在所述电介质中的多个填料，所述填料中的每个填料包括直径，其中所述填料的最大直径小于所述凸点高度。
半导体封装结构

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201710898783.3有效
发明人： 蔡崇宣;谢爵安;约翰·R·杭特 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括芯片、导电层、负型介电层及电性接点。芯片具有主动面。导电层电性连接于主动面。负型介电层覆盖导电层且具有开孔，开孔露出导电层的一部分，开孔具有最小内径、顶部内径及底部内径，最小内径位于底部内径与顶部内径之间。电性接点形成于开孔内。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]扇出晶片级封装结构-CN201511007865.1有效
发明人： 蔡崇宣;谢爵安 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本文中描述一种半导体装置及其制造方法，其中所述半导体装置包含：第一裸片，其包含第一接垫及第一钝化层；第二裸片，其包含第二接垫及第二钝化层；封装体，其环绕所述第一裸片及所述第二裸片且包括第一表面；介电层，其覆盖所述第一钝化层的至少一部分及所述第二钝化层的至少一部分，且进一步覆盖所述第一裸片与所述第二裸片之间的所述封装体，其中所述介电层包含：邻近于所述第一钝化层、所述第二钝化层及所述封装体的第二表面；及与所述第二表面对立的第三表面；及重布线层，其电性连接至所述第一接垫及所述第二接垫且置放于所述介电层的所述第三表面上方。
钝化层裸片接垫封装体介电层半导体装置第二表面晶片级封装结构第一表面电性连接重布线层扇出置放覆盖环绕邻近对立制造

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201711247848.4在审
发明人： 蔡崇宣;谢爵安;叶名世;杨国玺 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括芯片、封装体、重布层及屏蔽层。芯片具有主动面。封装体包覆芯片。重布层包括介电层及导电层。介电层形成于封装体与芯片的主动面上并露出主动面的一部分。导电层形成于介电层上并电性连接于露出的主动面，其中导电层是作为阻抗匹配层。屏蔽层覆盖封装体的外表面并电性连接于导电层。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201310554908.2在审
发明人： 蔡崇宣;谢爵安;叶名世;杨国玺 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括芯片、封装体、重布层及屏蔽层。芯片具有主动面。封装体包覆芯片。重布层包括介电层及导电层。介电层形成于封装体与芯片的主动面上并露出主动面的一部分。导电层形成于介电层上并电性连接于露出的主动面，其中导电层是作为阻抗匹配层。屏蔽层覆盖封装体的外表面并电性连接于导电层。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201310513715.2在审
发明人： 蔡崇宣;谢爵安;约翰·R·杭特 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括芯片、导电层、负型介电层及电性接点。芯片具有主动面。导电层电性连接于主动面。负型介电层覆盖导电层且具有开孔，开孔露出导电层的一部分，开孔具有最小内径、顶部内径及底部内径，最小内径位于底部内径与顶部内径之间。电性接点形成于开孔内。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201310364137.0在审
发明人： 蔡崇宣;蔡裕斌;谢爵安;曾国展 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括芯片、电性接点、第一包覆体及第二包覆体。芯片具有一外侧面。电性接点形成于芯片上。第一包覆体包覆芯片的外侧面的第一部分。第二包覆体包覆芯片的外侧面的第二部分及部分电性接点。第一包覆体与第二包覆体于芯片的外侧面直接接触。
半导体封装及其制造方法

[实用新型]芯片吸取装置及其设备-CN201120539429.X有效
发明人： 蔡崇宣 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： B65G47/90 文献下载
摘要：本实用新型公开一种芯片吸取装置及其设备，所述芯片吸取装置包含：一主杆；数个侧杆，每一所述侧杆的一第一端是活动连接所述主杆；以及数个吸取头，分别活动连接所述侧杆的一第二端，用以同时分别吸持数个芯片。因此，可一次进行数个芯片的吸取操作，改善工作效率。
芯片吸取装置及其设备

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