“苏州能讯高能半导体有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果252个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202011593625.5在审
发明人：张乃千;吴星星;裴轶;宋晰 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区以及围绕有源区的无源区；半导体器件还包括：衬底；位于衬底一侧且位于有源区的至少两个栅极，至少两个栅极包括第一栅极和第二栅极；位于衬底一侧且位于无源区的至少一个栅极连接结构，栅极连接结构分别与第一栅极和第二栅极接触电连接；栅极连接结构和与其接触连接的栅极一体设置。采用上述技术方案，可以在兼顾功率和频率特性的同时，保证栅极结构稳定、性能稳定；还可以在满足不同频率和功率设计时，大大降低工业成本；并且半导体器件结构简单，工艺简单。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件-CN202011593833.5在审
发明人：钱洪途;裴轶;张晖 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，外延结构包括衬底以及位于衬底一侧的半导体层；半导体层至少包括设置于衬底一侧的缓冲层；沿源极预设区指向漏极预设区的方向，缓冲层包括相互连接的第一缓冲分部和第二缓冲分部，第一缓冲分部在衬底上的垂直投影与源极预设区在衬底上的垂直投影交叠，第二缓冲分部在衬底上的垂直投影与栅极预设区以及漏极预设区在衬底上的垂直投影交叠；缓冲层中注入有离子，第二缓冲分部中的离子注入浓度大于第一缓冲分部中的离子注入浓度。应用该外延结构的半导体器件兼具高击穿电压、低漏电以及高静电防护能力。
一种半导体器件外延结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202011599595.9在审
发明人：宋晰;韩鹏宇;王慧琴 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区和无源区；半导体器件还包括：位于衬底一侧的源极、栅极和漏极，栅极位于源极和漏极之间；栅极包括第一端部和中间部，中间部、源极和漏极均位于有源区，第一端部位于无源区；第一端部包括第一子端部和第二子端部；沿第一方向，第一子端部的延伸宽度大于中间部的延伸宽度，第二子端部的延伸宽度大于第一子端部的延伸宽度；第一方向与源极指向漏极的方向平行。通过增大栅极端部的延伸宽度，增加栅极端部金属与衬底的接触面积，提高了器件封装效率，保证了栅极结构稳定、性能稳定，进一步提高半导体器件的工作稳定性和可靠性。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件-CN202011599765.3在审
发明人：钱洪途;裴轶;张晖 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，外延结构包括衬底以及位于衬底一侧的半导体层；半导体层至少包括层叠设置于衬底一侧的缓冲层和阻挡层；阻挡层的禁带宽度大于缓冲层的禁带宽度，至少缓冲层以及阻挡层中注入有离子，阻挡层中离子的注入浓度小于缓冲层中离子的注入浓度。应用该外延结构的半导体器件可以在降低漏电的同时，保证电子迁移率。
一种半导体器件外延结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件的外延结构、器件及外延结构的制备方法-CN202011573138.2在审
发明人：张晖;谈科伟;孔苏苏;李仕强;周文龙;杜小青 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件的外延结构、器件及外延结构的制备方法。该外延结构包括：衬底；第一半导体层，位于衬底上，第一半导体层包括缓冲层，缓冲层至少包括层叠设置的第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层，第二缓冲层位于第一缓冲层和第三缓冲层之间；其中，缓冲层中掺杂有铁杂质，且铁杂质集中分布在第二缓冲层中。上述外延结构能够在实现高阻缓冲层的同时，兼顾晶体质量以及器件的亚阈值特性。
半导体器件外延结构器件制备方法

[发明专利]半导体外延结构及其制备方法、半导体结构-CN202011573455.4在审
发明人：张晖;周文龙;孔苏苏;李仕强;谈科伟;杜小青 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体外延结构及其制备方法、半导体结构，所述半导体外延结构包括衬底及第一过渡层，所述第一过渡层形成于所述衬底；其中，所述第一过渡层的第一组分的浓度沿厚度增加的方向梯度变化，所述第一组分为所述衬底的元素。本申请通过在衬底上形成第一组分的浓度沿厚度增加的方向梯度变化的第一过渡层，所述第一组分为所述衬底的元素，避免了因晶格、热膨胀不匹配产生位错、凹坑或晶粒边界等缺陷，有效降低了外延层热阻，提高制成半导体器件的性能、可靠性及使用寿命。
半导体外延结构及其制备方法

[发明专利]移动设备电源、移动设备及其供电控制方法-CN202011573568.4在审
发明人：朱永生;张乃千;裴轶 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本申请涉及一种移动设备电源、移动设备及其供电控制方法，所述电源包括至少两个电源模块及电信号检测判断模块，各电源模块用于给各自对应的用电模块供电，各所述电源模块的功率回路的电流均流经所述电信号检测判断模块，以使得电信号检测判断模块检测各所述电源模块的功率回路的实时电信号；其中，功率回路包括充电功率回路及/或放电功率回路，实时电信号包括实时充电信号及/或实时放电信号，电信号检测判断模块将各所述实时电信号分别与对应的阈值比较，并根据比较结果判断各所述电源模块是否发生故障。本申请能够有效提高电源储能利用率、缓解移动设备发热、延长移动设备的待机使用时间且提高供电的安全性与可靠性。
移动设备电源及其供电控制方法

[发明专利]移动设备电源、移动设备及其供电控制方法-CN202011573640.3在审
发明人：朱永生;张乃千;裴轶 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种移动设备电源、移动设备及其供电控制方法，所述电源包括至少两个相互独立的电源模块及备用电源电路，各所述电源模块用于给各自对应的用电模块供电；所述备用电源电路被配置为：检测各所述电源模块的实时电量；将各所述电源模块的实时电量与各自对应的耗尽电量阈值比较，以确定实时电量小于对应的耗尽电量阈值的电源模块为电量耗尽电源模块，及确定实时电量大于或等于对应的耗尽电量阈值的电源模块为电量充足电源模块；根据比较结果动作连通一所述电量充足电源模块向一所述电量耗尽电源模块对应的用电模块的供电通路。本申请能够避免因某一电源模块更早达到电能耗尽阈值导致其对应的用电模块不能正常工作而引发停机事件。
移动设备电源及其供电控制方法

[发明专利]移动设备供电方法及移动设备电源-CN202011574736.1在审
发明人：朱永生;张乃千;裴轶 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种移动设备供电方法及移动设备电源，所述方法包括：将移动设备中的用电电路按照各自所需供电电压幅值、所需供电电流幅值划分为多个不同的用电模块，并确定各所述用电模块的供电电压范围及供电电流范围；根据各所述供电电压范围及所述供电电流范围确定至少三种不同类型的供电模块；分别确定各类型的供电模块中子电源模块的型号、数量及供电关系，所述型号为根据子电源模块的容量、供电电压及供电电流中的至少一种划分；利用各所述类型的供电模块分别为各自对应的用电模块供电。本申请能够有效提高电源储能利用率、提高供电效率及供电质量的同时缓解移动设备发热，并且延长移动设备的待机使用时间。
移动设备供电方法电源

[发明专利]半导体外延结构和半导体器件-CN202111312509.6在审
发明人：张晖;杜小青;孔苏苏;李仕强;周文龙;谈科伟 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体外延结构和半导体器件，涉及微电子领域，该半导体外延结构包括衬底和位于衬底一侧的半导体层，半导体层包括缓冲层，其中，缓冲层中掺杂有铁原子，且缓冲层中远离衬底的一侧表面处的铁原子的掺杂浓度小于缓冲层中其他位置处的铁原子的掺杂浓度。通过在缓冲层中渐变降低掺Fe浓度的方式，从而形成梯度浓度，并使得缓冲层上与沟道层的界面处Fe的浓度得以降低，有效减缓了Fe杂质进入沟道层引起杂质散射从而降低二维电子浓度和电子迁移率的情况，同时缓冲层中的厚度和Fe掺杂浓度可控，提高了生产的稳定性。
半导体外延结构半导体器件

[发明专利]一种多电池结构的供电控制装置、系统及方法-CN202011547693.8在审
发明人：朱永生;张乃千;裴轶 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多电池结构的供电控制装置、系统及方法，该供电控制装置包括：电池组、电压调节模块以及信号采样与控制模块；电池组包括N个串联连接的电池模块，电压调节模块包括与N个电池模块一一对应的N个电压调节电路，电池模块、电压调节电路均与信号采样与控制模块电连接；N为大于2的正整数；信号采样与控制模块用于采集用电模块的输入信号以及电池模块的电量，根据用电模块的输入信号和电池模块的电量生成相应的控制信号，并根据控制信号控制电压调节电路的工作状态。本发明实施例提供的技术方案，能够提升包络追踪供电的转换效率，延长电池组的有效供电时间，避免出现某个电池模块提前耗尽电量导致无法正常供电。
一种电池结构供电控制装置系统方法

[发明专利]电池组充电控制电路、系统及方法、移动设备-CN202011547722.0在审
发明人：朱永生;张乃千;裴轶 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电池组充电控制电路、系统及方法、移动设备。所述电池组包括至少两个电池模块，所述电池组充电控制电路包括：检测与控制模块、充电管理模块、电压调节模块及电池组管理模块；所述检测与控制模块用于生成控制信号；所述充电管理模块包括与所述至少两个电池模块一一对应的至少两个输出端及至少两个输入端，用于根据所述控制信号调节其输入端与其输出端之间的导通状态；所述电压调节模块包括至少两个电压调节电路；所述电池组管理模块用于根据所述控制信号调节所述电压调节电路与所述电池模块的连接状态以及所述至少两个电池模块之间的连接状态。本发明实施例的电池组充电控制电路具有较高的充电效率及兼容性。
电池组充电控制电路系统方法移动设备

[发明专利]一种多电池结构的供电控制装置、系统及方法-CN202011547735.8在审
发明人：朱永生;张乃千;裴轶 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多电池结构的供电控制装置、系统及方法，该供电控制装置包括：电池组、电池组管理模块、电压调节模块以及检测与控制模块；电池组包括多个电池模块，电压调节模块包括与多个电池模块一一对应的多个电压调节电路，电池模块、电池组管理模块、电压调节电路均与检测与控制模块电连接；电压调节电路的输入端与电池组管理模块电连接，电压调节电路的输出端与用电模块电连接。本发明实施例提供的技术方案，能够确保多电池模块供电系统供电的稳定可靠，有效提升电池模块电能的转换效率，避免多电池供电系统中各个电池模块之间由于电能消耗不平衡，导致个别电池模块的电能提前耗尽而影响整个多电池系统的正常供电。
一种电池结构供电控制装置系统方法

[发明专利]一种多电池结构的供电控制装置、系统及方法-CN202011547783.7在审
发明人：朱永生;张乃千;裴轶 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多电池结构的供电控制装置、系统及方法，多电池结构的供电控制装置包括：电池组、电池组选择与管理模块、电压调节模块以及检测与控制模块；电池组包括N个电池模块，电池模块、电压调节模块、检测与控制模块均与电池组选择与管理模块电连接；电压调节模块与检测与控制模块电连接；电压调节模块的输入端与电池组选择与管理模块电连接，电压调节模块的输出端与用电模块电连接；检测与控制模块用于检测用电模块的输入信号，根据用电模块的输入信号生成相应的控制信号，并根据控制信号控制电池组选择与管理模块的工作状态和电压调节模块的工作状态。本发明实施例提供的技术方案，能够提升包络追踪供电的转换效率。
一种电池结构供电控制装置系统方法

[发明专利]半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法-CN201780001095.0有效
发明人：张乃千;潘盼 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种半导体芯片(10)、半导体晶圆(1)及半导体晶圆的制造方法。半导体芯片包括：基底(11)、设置于基底一侧的器件(12)、贯穿基底的通孔(13)、填充于通孔并与器件接触的导电材料(14)以及设置于基底远离器件的另一侧的背面金属层(15)，背面金属层与导电材料接触以通过导电材料与器件电性连接。提供的半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法减少了器件的接地电阻，并改善了有通孔结构的器件在工作状态下的散热问题。
半导体芯片制造方法