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[发明专利]包络追踪装置的供电电路及供电方法-CN202111588441.4在审
发明人：朱永生;张乃千;裴轶 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种包络追踪装置的供电电路及供电方法。供电电路包括：电池组，电池组包括N个电池；检测模块，检测模块用于检测包络追踪装置的输入信号；控制与管理模块，控制与管理模块包括电源输出端口和N个电源输入端口，N个电源输入端口与N个电池的输出端一一对应电连接，电源输出端口用于与包络追踪装置的供电端电连接；控制与管理模块用于检测N个电池的状态信息，并根据状态信息以及检测模块检测的输入信号确定电池组中的供电电池，并生成控制信号以将对应供电电池的电源输入端口与电源输出端口导通；其中，供电电池为标称电压满足第一预设条件，状态信息满足第二预设条件的电池。本发明能够保证包络追踪装置能够得到有效的供电。
包络追踪装置供电电路方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111574487.0在审
发明人：裴晓延 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底；位于衬底一侧的多层外延层；多层外延层包括远离衬底一侧的势垒层；位于势垒层远离衬底一侧的隔离层、源极、栅极和漏极，栅极位于源极和漏极之间；栅极包括靠近衬底一侧的栅极底面，栅极底面包括第一底面分部和第二底面分部；其中，隔离层位于第二底面分部和漏极之间，隔离层与栅极接触，且隔离层与多层外延层接触。本发明实施例提供的半导体器件，可改善栅极靠近漏极一侧的高电场分布，改善高温高压下器件的可靠性。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件-CN202111535196.0在审
发明人：张晖;周文龙;谈科伟;杜小青;孔苏苏 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件。其中，外延结构包括衬底和位于衬底一侧的外延层，衬底靠近外延层一侧的表面粗糙度为Ra，0＜Ra≤5nm。本发明提供的半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，通过设置衬底外延生长一侧的表面粗糙度Ra满足0＜Ra≤5nm，实现在衬底上直接外延生长高质量的外延层，从而无需设置厚度较大的缓冲层，进而降低热阻，提高了半导体器件的工作性能。
半导体器件外延结构及其制备方法

[发明专利]外延结构及其制备方法、半导体器件-CN202111536735.2在审
发明人：李仕强;张晖 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种外延结构及其制备方法、半导体器件。外延结构包括：衬底、外延层和钝化层，所述外延层位于所述衬底的一侧，所述外延层包括基于III‑V族化合物的半导体材料；所述钝化层位于所述外延层远离所述衬底的一侧；其中，所述钝化层的厚度与所述衬底的翘曲程度呈正相关。与现有技术相比，本发明实施例使得钝化层抑制陷阱对电子影响的作用较为稳定，不同翘曲程度的衬底上外延表面态尽量一致，提升了半导体器件的可靠性。
外延结构及其制备方法半导体器件

[发明专利]一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件-CN202111538232.9在审
发明人：张晖;李仕强 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，该外延结构包括衬底以及位于衬底一侧的多层外延层，多层外延层包括远离衬底一侧的帽层，其中，帽层的厚度D与衬底的直径d之间正相关。本发明实施例提供的外延结构通过设置帽层，并且帽层的厚度根据衬底的尺寸进行调整，使得外延结构可以适应在不同尺寸衬底上生长时受到的应力，进而提升半导体器件性能的一致性和稳定性。
一种半导体器件外延结构及其制备方法

[实用新型]剥离液清理机构及微电子制造设备-CN202223255612.4有效
发明人：吕奇峰 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种剥离液清理机构及微电子制造设备，涉及微电子制造技术领域，本实用新型提供的剥离液清理机构，包括：腔壳器件和旋转驱动器件；腔壳器件包括：内腔体和外腔体，外腔体围绕内腔体；内腔体与旋转驱动器件传动连接，旋转驱动器件用于驱动内腔体旋转；内腔体与外腔体沿腔壳器件旋转的径向流体连通。本实用新型提供的剥离液清理机构及微电子制造设备，可以保证内腔体中剥离液的洁净度，进而可以缓解剥离过程中金属颗粒反沾至被加工件表面。
剥离清理机构微电子制造设备

[发明专利]一种载物装置及镀膜设备-CN201811094422.4有效
发明人：顾孛;严鹏 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种载物装置及镀膜设备，涉及半导体镀膜技术领域。该载物装置包括固定盘、底盘、载物盘及连杆组件，所述底盘位于所述固定盘的下方；所述载物盘相对竖直方向倾斜设置，且底端与所述底盘连接；所述连杆组件的上端与所述固定盘连接，下端与所述载物盘连接，所述连杆组件用于调整所述载物盘的倾斜角度。该载物装置中，载物盘的底端与底盘连接，其上端通过连杆组件与固定盘连接，连杆组件通过调整载物盘上端的高度来调整载物盘的倾斜角度，从而获得不同的薄膜覆盖效果。
一种装置镀膜设备

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111122149.3在审
发明人：吕奇峰 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括有源区；还包括：衬底；外延结构；电极结构，电极结构包括多个欧姆接触电极；第一介质层；电极连接线，位于第一介质层远离衬底的一侧；电极连接线包括欧姆接触电极连接线，欧姆接触电极连接线与欧姆接触电极电连接；第二介质层；电极键合盘，位于第二介质层远离衬底的一侧；电极键合盘包括欧姆接触电极键合盘，欧姆接触电极键合盘与欧姆接触电极连接线电连接，且至少部分欧姆接触电极键合盘位于有源区。本发明提供的半导体器件，将至少部分欧姆接触电极键合盘位于有源区，可减少欧姆接触电极键合盘和衬底之间产生的寄生电容，满足对半导体器件输入和输出电容的高要求。
一种半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种栅极结构及半导体器件-CN202222253480.5有效
发明人：钱洪途;顾庆钊;裴轶;张乃千 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种栅极结构及半导体器件。该栅极结构包括栅根和栅帽,栅根和栅帽相交于第二端点，其中栅根包括栅极底面和栅根第一侧面,两个面且相交于第一端点，通过要求第一端点和第二端点之间的位置、距离以及尺寸平衡关系实现改善频率特性；通过栅帽子部之间通过非垂直连接，在半导体器件结构中实现优化电场分布的作用，从而提高半导体器件的可靠性和稳定性。
一种栅极结构半导体器件

[实用新型]半导体外延结构和半导体器件-CN202222537557.1有效
发明人：李仕强;张晖 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提供了一种半导体外延结构及半导体器件结构，所述外延结构包括衬底、成核层、插入层、半导体层；该外延结构可以根据最终所需的所述半导体外延结构的翘曲B，通过其和插入层厚度T呈正相关来实现提前可控性预估调节；再插入层的厚度与半导体外延结构的原始翘曲A呈负相关，来实现在不改变外延层的生长条件下，根据已有外延层的翘曲情况来调节最终外延层的翘曲。
半导体外延结构半导体器件

[发明专利]一种射频放大器的馈电电路和射频放大器-CN202111017609.6在审
发明人：刘鑫;栗远波;张永胜 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种射频放大器的馈电电路和射频放大器。馈电电路包括馈电路径和射频路径，馈电路径用于对馈电信号进行滤波，同时滤除射频信号；射频路径用于对射频信号进行输入匹配，同时滤除馈电信号；其中，馈电路径和射频路径共用一个输出端，共用一个输入端；输出端与放大器电路电连接，输入端同时接入馈电信号和射频信号。本发明实施例降低了集成电路管壳的引脚数量，提高了引脚利用率，减少了PCB的使用面积和系统硬件成本，有利于实现射频放大器馈电电路的集成小型化设计。
一种射频放大器馈电电路

[发明专利]一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件-CN202110932353.5在审
发明人：李仕强;张晖 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法，半导体器件的外延结构包括衬底和多层外延层；衬底包括远离外延层一侧的第一表面，第一表面包括第一区域和第二区域，第一区域至少包括第一表面的边缘，第二区域至少包括第一表面的中心；外延层材料的晶格常数与衬底材料的晶格常数不同；至少第一区域包括图案化结构，且单位面积中，第一区域的表面积大于第二区域的表面积；或者，至少第二区域包括图案化结构，单位面积中，第一区域的表面积小于第二区域的表面积。本发明实施例提供的半导体器件的外延结构，通过对至少在第一区域或者至少在第二区域进行图案化设计，可以增加衬底局部表面积，减小衬底表面温差进而提升半导体器件的均匀性。
一种半导体器件外延结构及其制备方法

[发明专利]清洗方法及清洗设备-CN202010145267.5有效
发明人：许青波;陈兵录;张少华 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种清洗方法及清洗设备，涉及半导体技术领域，所述清洗方法包括如下步骤：将多个待清洗件转移至盛放槽内，其中，所述盛放槽上设置有连通其内壁和外壁的导流孔；将盛放槽放置到装有反应清洗液的溶液槽内，且反应清洗液能够流入到所述盛放槽内；将盛放槽从反应清洗液内取出。在整个过程中，多个待清洗件可以一同被放入到反应清洗液中，也可以一同从反应清洗液中取出，相比于现有技术中逐一的放置/取出待清洗件而言，本发明实施例提供的清洗方法的使用的时间更短，清洗的效率更高。
清洗方法设备

[实用新型]外延生长托盘-CN202121904495.2有效
发明人：李仕强;张晖 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种外延生长托盘，涉及微电子技术领域，该外延生长托盘包括托盘本体，托盘本体的上侧表面设置有用于容置衬底的第一凹槽，托盘本体的下侧表面具有吸热区域，吸热区域与第一凹槽相对应，且至少在吸热区域设置有粗糙化结构，以使吸热区域的表面积大于第一凹槽的底壁面积。通过在托盘本体下方的吸热区域设置粗糙化结构，使得吸热区域的表面积大于对应的第一凹槽的底壁面积，从而提高了吸热面积，进而增加局部吸热量，从而缩小了衬底表面温度与托盘表面温度之间的差值。此外，在相同的加热条件下，本实用新型提供的外延生长托盘能够获得比常规托盘更高的温度，或者能够在相同温度下降低加热器功率，延长加热器寿命。
外延生长托盘

[发明专利]外延结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法-CN202110733583.9在审
发明人：钱洪途;裴轶;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种外延结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法，该外延结构包括：衬底；半导体层，位于衬底一侧，半导体层远离衬底一侧的表面为金属极性面；氮极性面帽层，位于半导体层远离衬底的一侧。具有金属极性面的半导体层和氮极性面帽层形成复合极性外延结构，形成半导体器件时，具有强负电性的氮极性面帽层，在常温下即可与源极和漏极形成良好的欧姆接触，无需高温处理，能够降低工艺难度，半导体层可作为氮极性面帽层的湿法腐蚀自停止层，稳定阈值电压同时可提高跨导，从而提高器件性能。
外延结构及其制备方法半导体器件