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[发明专利]一种具有新型复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法-CN202210294419.7在审
发明人：郑金凤;张雷城;展望;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有新型复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法，其电子阻挡层包括AlN单层和设置在AlN单层上的p型AlN/AlGaN/AlInGaN超晶体结构层，p型AlN/AlGaN/AlInGaN超晶体结构层为AlN子层、ALGaN子层、AlInGaN子层依次交替生长的结构层。本申请增加了复合电子阻挡层结构，通过AlN单层减小了电子阻挡层与多量子阱层及p型GaN层之间的晶格失配作用，并降低多量子阱层中的电子泄露；通过超晶体结构层并掺入Mg增强了电子阻挡效应，提高了空穴向多量子阱的注入率，增强了多量子阱中电子与空穴的复合效率，提高发光效率。
一种具有新型复合电子阻挡发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种复合图形化衬底、含有该衬底的外延片及发光二极管-CN202123350609.6有效
发明人：郭园;王淑姣;吕腾飞;宋长伟;展望;程志青;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合图形化衬底、含有该衬底的外延片及发光二极管；所述衬底以中心为圆心，分成多个同心环状区域，同一环状区域内的图形的底宽和图形之间的间距相同，不同环状区域内的图形的高度由内向外依次递增或递减；所述衬底的翘曲度为正值时，不同环状区域内的图形的高度由内向外依次递增；所述衬底的翘曲度为负值时，不同环状区域内的图形的高度由内向外依次递减。本实用新型利用不同环状区域内的图形的高度由内向外依次递增或递减，改善衬底外延生长后的翘曲现象，保证波长均匀性。
一种复合图形衬底含有外延发光二极管

[实用新型]图形化衬底及包含该衬底的LED外延结构及芯片-CN202123359871.7有效
发明人：付星星;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种图形化衬底及包含该衬底的LED外延结构及芯片，衬底包括：衬底本体（110）；周期性的凸起图案结构（120），设置于该衬底本体（110）上；凸起图案结构（120）包括位于顶部的SiO2层或DBR层（122）、位于中部的SOG层（121）以及与衬底本体材质相同的底部图案层（123），且顶部的SiO2层或DBR层（122）的折射率大于中部的SOG层（121）的折射率。在本实用新型中的图形化衬底上生长外延结构时，能够有效阻止靠近衬底处的晶体缺陷向外延结构的量子阱部位蔓延，且该图形化衬底能够有效提高光反射率，两方面协同作用，能够有效提升最终LED芯片的光效。
图形衬底包含 led 外延结构芯片

[实用新型]图形化复合衬底及包含该衬底的LED外延结构及芯片-CN202123359880.6有效
发明人：付星星;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种图形化复合衬底及包含该衬底的LED外延结构及芯片，衬底包括：衬底本体（110），以及设置于该衬底本体（110）上的周期性的凸起结构（120），所述凸起结构（120）包括底部图案层（123）、顶部图案层（121）以及镶嵌在所述顶部图案层（121）内部的至少一层金属薄膜反射层（122）。本申请中通过顶层图案层与金属薄膜反射层的双重作用，共同提高衬底的反射率，进而提高LED芯片的发光效率。
图形复合衬底包含 led 外延结构芯片

[实用新型]倒装芯片结构-CN202123415665.3有效
发明人：王思博;廖汉忠;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及发光二极管领域，公开了一种倒装芯片结构，包括从下至上依次设置的衬底、外延层、第一电极层、第一绝缘层和第二电极层；第一电极层包括若干第一P型和第二N型电极；第二电极层包括若干第二P型和第二N型电极；第一与第二P型电极电性连接，第一与第二N型电极电性连接；在第一电极层中，具有若干由一个第一N型电极和四至六个第一P型电极构成的正六边形单元，第一N型电极位于正六边形单元的中心，各第一P型电极以第一N型电极为中心圆周分布。本申请通过对产品第一P型和N型电极分布的调整，使电流扩展更均匀，发光分布区域更均匀，发光分布面积变大，提高亮度，降低电压，达到较高的产品光效能力。
倒装芯片结构

[外观设计]LED芯片电极-CN202130880091.3有效
发明人：王思博;廖汉忠;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：LED芯片电极。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于一种LED芯片电极。3.本外观设计产品的设计要点：在于如图中所示的外观设计的整体，特别产品的电极形状、排列方式。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1俯视图。5.指定设计1为基本设计。
led 芯片电极

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN202111655119.9在审
发明人：刘丽军;刘康;朱涛;展望;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括衬底，N型半导体层、多量子阱发光层和P型半导体层，多量子阱发光层包括第一子层和第二子层；第一子层包括第一量子阱层和量子垒层；第二子层包括第二量子阱层和一超晶格结构垒层；超晶格结构垒层包括呈周期性依次交替层叠设置的GaN层、AlGaN层和P型层；P型层包括掺杂P型掺杂剂的AlGaN层和/或掺杂P型掺杂剂的GaN层。通过在第二子层中设置GaN/AlGaN/P型层超晶格结构，能够形成二维电子气，改善电流扩展，阻挡电子溢流以及增加空穴注入，进而提升了LED的发光亮度。
一种发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种半导体发光元件及其制备方法、LED芯片-CN202111682112.6在审
发明人：赵洋;宋林青;廖汉忠;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种半导体发光元件及其制备方法、LED芯片。半导体发光元件包括图形化衬底，N型半导体层、发光层和P型半导体层；P型半导体层、发光层和部分N型半导体层的侧壁组成了第一侧壁；除第一侧壁以外的N型半导体层的侧壁为第二侧壁；第二侧壁与所述图形化衬底之间裸露出图形化结构的台阶面为第一台阶面；图形化衬底的侧壁为第三侧壁。通过设置多层侧壁结构，能够提高半导体发光元件的出光效率。
一种半导体发光元件及其制备方法 led 芯片

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN202111621442.4在审
发明人：宋长伟;朱涛;黄理承;郭园;展望;程志青;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及发光器件技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括衬底和在衬底表面依次层叠设置的N型半导体层、多量子阱发光层，电子阻挡层和P型半导体层，电子阻挡层包括第一子层、第二子层和第三子层；多量子阱发光层、第一子层、第二子层和第三子层均包括同一位置设置的V型坑区域和平行于衬底的平面区域；平面区域，第一子层、第二子层和第三子层的厚度之比为50～400:0.001～50:10～400；V型坑区域，第一子层、第二子层和第三子层的厚度之比为5～20:0.001～5:5～100。这样可减少第一子层到第三子层之间的能障宽度，利于空穴注入侧壁发光区，从而提升了LED器件的发光效率。
一种发光二极管及其制备方法

[实用新型]复合图形衬底及包含该衬底的LED外延结构-CN202122915988.2有效
发明人：郭园;吕腾飞;宋长伟;程志青;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及LED芯片技术领域，公开了一种复合图形衬底及包含该衬底的LED外延结构，该复合图形衬底包括基底（11）以及形成于其上的复合微图案（12），复合微图案（12）包括底部微图案（121）以及位于其上的顶部微图案（122），顶部微图案的最大投影面积大于底部微图案的顶面的面积。该LED外延结构包括所述的复合图形衬底（10）。与现有技术相比，本实用新型中的复合图形衬底的顶部微图案的最大投影面积大于所述底部微图案的上表面的面积，在不影响衬底平面的基础上，能够增加复合图形衬底的有效投影面积，将该衬底应用在LED外延结构中，能够增大衬底对LED出光的反射，提升出光效率，提升亮度。
复合图形衬底包含 led 外延结构

[发明专利]一种Micro LED芯片的转移方法和显示设备-CN202111574520.X在审
发明人：盛东洋;杨辉;李飞;庄劲草;郭建;张向飞;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种Micro LED芯片的转移方法和显示设备。转移方法包括：提供具有多个锡柱的阵列的临时基板，将Micro LED芯片倒置于锡柱顶端，使锡柱卡在Micro LED芯片P型焊盘和N型焊盘之间，并使Micro LED芯片与锡柱完成键合；将Micro LED芯片衬底剥离后采用印章吸附，调节温度，锡柱转化为灰锡后与Micro LED芯片脱离，再将表面吸附有Micro LED芯片的印章转移至目标基板上；锡柱的材料包括白锡和/或锡合金。该方法可减少转移过程中微器件的损伤，且操作难度低，良率高，转移后Micro LED芯片上无残留。
一种 micro led 芯片转移方法显示设备

[发明专利]LED芯片及其制备方法-CN202111577074.8在审
发明人：李冬梅;王思博;廖汉忠;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种LED芯片及其制备方法。所述LED芯片的发光结构中，可以在第一半导体和/或第二半导体成表面掺杂一定浓度的第一杂质，进而可有效降低第一电极和/或第二电极的接触电阻，提高电极基层与第一半导体层和/或第二半导体层的欧姆接触，尤其是高反射率电极材料(例如Al、Ag和Cu)与半导体层的欧姆接触。
led 芯片及其制备方法

[发明专利]图形化复合衬底及包含该衬底的LED外延结构及芯片-CN202111633737.3在审
发明人：芦玲;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：江苏澳洋顺昌集成电路有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种图形化复合衬底及包含该衬底的LED外延结构及芯片，衬底包括：衬底本体（110），以及设置于该衬底本体（110）上的周期性的凸起结构（120），所述凸起结构（120）包括底部图案层（123）、顶部图案层（121）以及镶嵌在所述顶部图案层（121）内部的至少一层金属薄膜反射层（122）。本申请中通过顶层图案层与金属薄膜反射层的双重作用，共同提高衬底的反射率，进而提高LED芯片的发光效率。
图形复合衬底包含 led 外延结构芯片

[实用新型]一种便于内壁清理的单层搅拌罐-CN202120808591.0有效
发明人：谢作桦;盛文胜;柳连玉;芦玲;黄国太 -专利权人：江西德致生物科技有限公司;江西德上医药研究院有限公司;江西绿新中药提取制备技术协同创新有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： B01F27/90 文献下载
摘要：本实用新型公开一种便于内壁清理的单层搅拌罐，包括：第一支撑板，所述第一支撑板设置在箱体的上方；电机，所述电机设置在所述第一支撑板的上方；第一传动轴，所述第一传动轴设置在所述第一传动轴的输出端；搅拌轴，所述搅拌轴设置在所述第一传动轴的下方：搅拌叶，所述搅拌叶设置在所述第搅拌轴的外侧。该便于内壁清理的单层搅拌罐，启动电机进行反向转动，使得第一旋转盘可以进行转动，带动锥形齿环和锥齿齿轮进行转动，以使得第一齿轮和第二齿轮可以进行正反转，使得连接块和连接块可以进行上下运动，从而达到便于对箱体的内壁进行清理的目的。
一种便于内壁清理单层搅拌

[实用新型]石墨基座和MOCVD设备-CN202121408800.9有效
发明人：王明辉;刘康;黄静;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型涉及外延片生产技术领域，尤其涉及一种石墨基座和MOCVD设备。该石墨基座开设有用于放置衬底的槽体，槽体形成有开口；槽体内设置有支撑部，支撑部朝向开口形成有用于与衬底接触的支撑点。该MOCVD设备包括该石墨基座。该石墨基座和该MOCVD设备，支撑部与衬底之间的接触面积相较于现有技术显著减小，从而避免衬底与支撑部接触位置的温度偏高，避免该区域的外延片波长异常，进而提高整个外延片波长的均匀性，提高良品率，降低产品滞压风险。
石墨基座 mocvd 设备