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[发明专利]发光器件及其制作方法和测试方法-CN202110913871.2有效
发明人： 盛东洋;杨然翔;王河新 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光器件及其制作方法和测试方法，发光器件的制作方法包括：提供LED单元，LED单元包括第一电极和第二电极；以及在第一电极上形成第一变态件，在第二电极上形成第二变态件；其中，第一变态件和第二变态件的材质为记忆金属，记忆金属具有变态温度，在低于变态温度时，记忆金属向四周延展，在高于变态温度时，记忆金属向中心团聚。利用记忆金属的材料特性，在低于变态温度时，记忆金属向四周延展，可对发光器件进行电性测量，以排除故障的发光器件，保障产品良率，在高于变态温度时，记忆金属向中心团聚，不影响发光器件的正常使用。
发光器件及其制作方法测试方法

[发明专利]一种发光芯片及其制备方法-CN202010475808.0有效
发明人：王怀超;杨然翔;王沛占;盛东洋;朱德盼 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光芯片及其制备方法，其中，所述发光芯片包括衬底；依次设置在所述衬底之上的电流扩散层、P型半导体层、发光层和N型半导体层；所述N型半导体层、所述发光层和所述P型半导体层均部分覆盖所述电流扩散层设置在所述电流扩散层上形成有台阶面；在所述台阶面上设置有P电极；在所述N型半导体层之上设置有至少一层ITO阻挡层；以及在所述至少一层ITO阻挡层之上设置有N电极。本发明的发光芯片利用了锡膏中游离的金属单质在ITO阻挡层中的渗透能力弱的特性，通过在N电极和N型半导体层之间设置至少一层ITO阻挡层阻挡游离的金属单质渗透到N型半导体层，发光芯片的电压更加稳定，改善了发光芯片的性能，延长了发光芯片的使用寿命。
一种发光芯片及其制备方法

[发明专利]一种Micro LED芯片的转移方法和显示设备-CN202111574520.X在审
发明人： 盛东洋;杨辉;李飞;庄劲草;郭建;张向飞;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种Micro LED芯片的转移方法和显示设备。转移方法包括：提供具有多个锡柱的阵列的临时基板，将Micro LED芯片倒置于锡柱顶端，使锡柱卡在Micro LED芯片P型焊盘和N型焊盘之间，并使Micro LED芯片与锡柱完成键合；将Micro LED芯片衬底剥离后采用印章吸附，调节温度，锡柱转化为灰锡后与Micro LED芯片脱离，再将表面吸附有Micro LED芯片的印章转移至目标基板上；锡柱的材料包括白锡和/或锡合金。该方法可减少转移过程中微器件的损伤，且操作难度低，良率高，转移后Micro LED芯片上无残留。
一种 micro led 芯片转移方法显示设备

[发明专利]发光器件的制作方法-CN202110893011.7在审
发明人： 盛东洋;杨然翔;陈旋宇 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光器件的制作方法，包括：在衬底上形成多个LED单元，相邻两个LED单元之间间隔一隔离槽；在衬底上形成DBR膜层，DBR膜层覆盖LED单元和隔离槽；在DBR膜层上形成一凹槽，凹槽位于隔离槽，且凹槽自DBR膜层的表面延伸至衬底；以及透过凹槽在衬底上形成一切痕，切痕用于裂片。通过在DBR膜层开设凹槽，并透过凹槽在衬底上形成切痕，后续裂片时，对衬底施力，能够较为容易的使得衬底沿着切痕裂开，不需要再使用划片机等在衬底上切割，由于切痕形成在相邻两个LED单元之间的隔离槽处，不需要位置精准的辨识，裂片时不会损伤LED单元，能避免切割异常，提升良率。
发光器件制作方法

[发明专利]钝化层的制作方法及芯片结构-CN202010851549.7在审
发明人： 盛东洋;杨然翔;王沛占;王怀超 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种钝化层的制作方法及芯片结构。该制作方法包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上形成多个发光结构；在多个发光结构远离衬底的一侧沉积负性光刻胶层；图案化负性光刻胶层，以露出多个发光结构的至少部分表面；在负性光刻胶层和至少部分表面上沉积钝化层；去除负性光刻胶层上的钝化层和负性光刻胶层。采用本发明提供的钝化层制作工艺，最终形成的钝化层并非是整体的一层，而是有部分裸露，这就有效缓解了整层钝化层的膜层应力问题。除此以外，本发明通过上述制作顺序，避免了干法刻蚀或湿法刻蚀引起的钝化层图形结构不易控制的问题，且成本相对较低。同时，在最后去除负性光刻胶层时一并去除其上的钝化层，也节约了工序。
钝化制作方法芯片结构

[实用新型]一种蒸镀坩埚及蒸镀装置-CN202021262952.8有效
发明人： 盛东洋;杨然翔;王沛占;王怀超 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种蒸镀坩埚，包括：坩埚本体；以及支脚，设置在所述坩埚本体底部；所述支脚的至少部分表面凸出所述坩埚本体底部以使所述坩埚本体的底部悬空。本实用新型的蒸镀坩埚由于在坩埚本体底部设置有支脚来使得坩埚本体可以悬空，这样坩埚本体放置到蒸镀装置的火山口上时，就能够与火山口隔开，而火山口的底部是流通有循环冷却水，通过支脚的间隔作用，在蒸镀贵金属靶源时，电子束轰击坩埚本体内贵金属靶源产生的热量不会传导至火山口上，这样贵金属靶源更加容易熔化，蒸镀过程的耗能更低，且技术方案成本低。
一种坩埚装置

[发明专利]一种GaAs系多结太阳能电池及其制作方法-CN201810088020.7在审
发明人：刘伟;陈丹丹;刘伟文;吴珠兴;盛东洋 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请提供一种GaAs系多结太阳能电池及其制作方法，所述制作方法在形成半蚀刻切割道时，采用电感耦合等离子体蚀刻工艺在太阳能电池外延片上形成半蚀刻切割道，由于利用感应耦合等离子干法蚀刻GaAs聚光太阳能电池切割道，从而能够减小切割道面积损失，进而提高太阳能电池的光电转换效率。另外，还可以过特定气体，等离子钝化切割道，形成钝化膜，进一步提高太阳能电池的光电转换效率。
切割道太阳能电池多结太阳能电池光电转换效率半蚀刻制作电感耦合等离子体感应耦合等离子聚光太阳能电池干法蚀刻面积损失蚀刻工艺等离子钝化膜外延片钝化减小申请