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[实用新型]一种高迁移率晶体管的外延结构-CN202221528720.1有效
发明人：王明华;王柏钧;叶顺闵 -专利权人： 聚力成半导体（重庆）有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是一种高迁移率晶体管的外延结构，所述外延结构包括GaN盖帽层、超晶格势垒层、AlN插入层、GaN沟道层、GaN半绝缘层、中温AlGaN缓冲层、高温AlGaN过渡层、高温AlN层及Si衬底，本方案通过Si作为衬底，采用金属有机物化学气相沉积在Si衬底上外延生长超晶格势垒层，与传统AlGaN势垒层相比，晶体管表面的形貌粗糙度更低、晶体管表面电阻更低，同时电学性能2DEG面电子浓度也有所增加并提高二维电子气迁移率，通过本方案制造的高迁移率晶体管在高频大功率器件应用领域具有广阔前景。
一种迁移率晶体管外延结构

[实用新型]一种图案化衬底及氮化镓器件-CN202022978173.4有效
发明人：廖宸梓;王柏钧;陈宪冠;叶顺闵 -专利权人： 聚力成半导体（重庆）有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种图案化衬底及氮化镓器件，属于半导体器件技术领域。图案化衬底包括基板，基板具有相对的第一表面和第二表面。第一表面设有图案化结构，图案化结构包括间隔分布的多个第一图案化部和多个第二图案化部，第一图案化部和第二图案化部相互垂直且均延伸至基板的边缘。其中，第一图案化部和第二图案化部均为凹槽或者均为凸条，相邻两个第一图案化部和相邻两个第二图案化部一起形成矩形区域，矩形区域的外边缘具有矩形长边和矩形短边，矩形长边为2～6mm，矩形短边为1～3mm。氮化镓器件的衬底为该图案化衬底，氮化铝缓冲层形成于第一表面。能有效减缓因晶格常数与热膨胀系数差异过大造成的弊端，得到较为稳定的GaN外延结构。
一种图案衬底氮化器件

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201910833072.7在审
发明人：石逸群;叶顺闵 -专利权人： 聚力成半导体（重庆）有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤。提供至少一个平台结构，且平台结构包括一III‑V族化合物半导体层。在平台结构上形成一钝化层。在钝化层上形成一栅极介电层。在栅极介电层上形成一栅极。在形成栅极之前，对栅极介电层进行一刻蚀工艺，用以薄化栅极介电层。利用刻蚀工艺调整栅极介电层的厚度，借此达到提高半导体装置的电性表现的效果。
半导体装置制造方法

[实用新型]一种提高氮化镓器件外延层质量的结构-CN201921362648.8有效
发明人：廖宸梓;王柏钧;陈宪冠;叶顺闵 -专利权人： 聚力成半导体（重庆）有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高氮化镓器件外延层质量的结构，要解决的是现有氮化镓器件外延层质量不佳的问题。本产品包括衬底、i‑GaN层和GaN cap层，所述衬底位于最底层，GaN cap层位于最顶层，衬底上部设置有AlN缓冲层，GaN cap层的下方设置有AlGaN barrier层，i‑GaN层设置在AlGaN barrier层的下方，i‑GaN层的下部设置有c‑GaN层，c‑GaN层和AlN缓冲层之间设置有缓变式多层缓冲层，AlGaN barrier层和i‑GaN层之间设置有AlN spacer层。本产品利用衬底在GaN与AlN间插入缓变式多层缓冲层，缓变式多层缓冲层采用依次成长的多层AlGaN结构形成，对于晶格应力造成的翘曲,以及热膨胀不匹配性造成内应力蓄积问题,可获得大幅度改善,也形成更稳定的外延结构。
一种提高氮化器件外延质量结构

[实用新型]一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构-CN201921362601.1有效
发明人：廖宸梓;王柏钧;陈宪冠;叶顺闵 -专利权人： 聚力成半导体（重庆）有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构，要解决的是现有氮化镓器件外延层电子迁移率不高的问题。本产品包括衬底、c‑GaN层、i‑GaN层和AlGaN barrier层，所述衬底位于最底层，衬底的上部设置有AIN缓冲层，AIN缓冲层的上部设置有AlGaN缓冲层，AlGaN缓冲层位于c‑GaN层的下方，i‑GaN层位于c‑GaN层的上方，AlGaN barrier层位于i‑GaN层的上部，i‑GaN层和AlGaN barrier层之间设置有AlN spacer层，AlGaN barrier层的上部设置有P‑AlInGaN层。
一种提高氮化器件电子迁移率结构

[发明专利]一种提高氮化镓器件外延层质量的结构及其制备方法-CN201910773840.4在审
发明人：廖宸梓;王柏钧;陈宪冠;叶顺闵 -专利权人： 聚力成半导体（重庆）有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化镓器件外延层质量的结构及其制备方法，要解决的是现有氮化镓器件外延层质量不佳的问题。本产品包括衬底、i‑GaN层和GaN cap层，所述衬底位于最底层，GaN cap层位于最顶层，衬底上部设置有AlN缓冲层，GaN cap层的下方设置有AlGaN barrier层，i‑GaN层设置在AlGaN barrier层的下方，i‑GaN层的下部设置有c‑GaN层，c‑GaN层和AlN缓冲层之间设置有缓变式多层缓冲层，AlGaN barrier层和i‑GaN层之间设置有AlN spacer层。本产品利用衬底在GaN与AlN间插入缓变式多层缓冲层，缓变式多层缓冲层采用依次成长的多层AlGaN结构形成，对于晶格应力造成的翘曲,以及热膨胀不匹配性造成内应力蓄积问题,可获得大幅度改善,也形成更稳定的外延结构。
衬底氮化镓器件多层缓冲层外延层缓变制备热膨胀产品利用结构形成外延结构匹配性最底层最顶层多层晶格翘曲蓄积