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[实用新型]一种图案化衬底及氮化镓器件-CN202022978173.4有效
发明人： 廖宸梓;王柏钧;陈宪冠;叶顺闵 -专利权人：聚力成半导体（重庆）有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种图案化衬底及氮化镓器件，属于半导体器件技术领域。图案化衬底包括基板，基板具有相对的第一表面和第二表面。第一表面设有图案化结构，图案化结构包括间隔分布的多个第一图案化部和多个第二图案化部，第一图案化部和第二图案化部相互垂直且均延伸至基板的边缘。其中，第一图案化部和第二图案化部均为凹槽或者均为凸条，相邻两个第一图案化部和相邻两个第二图案化部一起形成矩形区域，矩形区域的外边缘具有矩形长边和矩形短边，矩形长边为2～6mm，矩形短边为1～3mm。氮化镓器件的衬底为该图案化衬底，氮化铝缓冲层形成于第一表面。能有效减缓因晶格常数与热膨胀系数差异过大造成的弊端，得到较为稳定的GaN外延结构。
一种图案衬底氮化器件

[实用新型]一种提高氮化镓器件外延层质量的结构-CN201921362648.8有效
发明人： 廖宸梓;王柏钧;陈宪冠;叶顺闵 -专利权人：聚力成半导体（重庆）有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高氮化镓器件外延层质量的结构，要解决的是现有氮化镓器件外延层质量不佳的问题。本产品包括衬底、i‑GaN层和GaN cap层，所述衬底位于最底层，GaN cap层位于最顶层，衬底上部设置有AlN缓冲层，GaN cap层的下方设置有AlGaN barrier层，i‑GaN层设置在AlGaN barrier层的下方，i‑GaN层的下部设置有c‑GaN层，c‑GaN层和AlN缓冲层之间设置有缓变式多层缓冲层，AlGaN barrier层和i‑GaN层之间设置有AlN spacer层。本产品利用衬底在GaN与AlN间插入缓变式多层缓冲层，缓变式多层缓冲层采用依次成长的多层AlGaN结构形成，对于晶格应力造成的翘曲,以及热膨胀不匹配性造成内应力蓄积问题,可获得大幅度改善,也形成更稳定的外延结构。
一种提高氮化器件外延质量结构

[实用新型]一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构-CN201921362601.1有效
发明人： 廖宸梓;王柏钧;陈宪冠;叶顺闵 -专利权人：聚力成半导体（重庆）有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构，要解决的是现有氮化镓器件外延层电子迁移率不高的问题。本产品包括衬底、c‑GaN层、i‑GaN层和AlGaN barrier层，所述衬底位于最底层，衬底的上部设置有AIN缓冲层，AIN缓冲层的上部设置有AlGaN缓冲层，AlGaN缓冲层位于c‑GaN层的下方，i‑GaN层位于c‑GaN层的上方，AlGaN barrier层位于i‑GaN层的上部，i‑GaN层和AlGaN barrier层之间设置有AlN spacer层，AlGaN barrier层的上部设置有P‑AlInGaN层。
一种提高氮化器件电子迁移率结构

[发明专利]一种提高氮化镓器件外延层质量的结构及其制备方法-CN201910773840.4在审
发明人： 廖宸梓;王柏钧;陈宪冠;叶顺闵 -专利权人：聚力成半导体（重庆）有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化镓器件外延层质量的结构及其制备方法，要解决的是现有氮化镓器件外延层质量不佳的问题。本产品包括衬底、i‑GaN层和GaN cap层，所述衬底位于最底层，GaN cap层位于最顶层，衬底上部设置有AlN缓冲层，GaN cap层的下方设置有AlGaN barrier层，i‑GaN层设置在AlGaN barrier层的下方，i‑GaN层的下部设置有c‑GaN层，c‑GaN层和AlN缓冲层之间设置有缓变式多层缓冲层，AlGaN barrier层和i‑GaN层之间设置有AlN spacer层。本产品利用衬底在GaN与AlN间插入缓变式多层缓冲层，缓变式多层缓冲层采用依次成长的多层AlGaN结构形成，对于晶格应力造成的翘曲,以及热膨胀不匹配性造成内应力蓄积问题,可获得大幅度改善,也形成更稳定的外延结构。
衬底氮化镓器件多层缓冲层外延层缓变制备热膨胀产品利用结构形成外延结构匹配性最底层最顶层多层晶格翘曲蓄积

[发明专利]氮化物半导体结构-CN201210422661.4无效
发明人：胡智威;廖宸梓;方彦翔;宣融 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体结构，所述氮氧化半导体结构包括一硅基板、一成核层、一缓冲层及一氮化物半导体层。成核层设置于硅基板上，成核层包括以立方体晶格排列的一氮化硅碳层（SiCN）。缓冲层设置于成核层上。氮化物半导体层设置于缓冲层上。本发明能减缓氮化物半导体层与硅基板之间因膨胀系数及晶格的差异所造成应力，以降低破裂的状况。同时本发明不需使用晶片贴合与激光剥离等繁琐的工艺，有效提高了大尺寸且表面无破裂的氮化物半导体结构的良率。
氮化物半导体结构

[发明专利]氮化物半导体结构-CN201310057224.1有效
发明人： 廖宸梓;胡智威;方彦翔;宣融 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：发明公开了一种氮化物半导体结构，至少包括一硅基板、一AlN层、一AlGaN层以及形成于AlGaN层上的一GaN层。所述硅基板具有一表面，其与垂直(111)晶面的轴之间具有大于0度且小于等于0.5度的倾斜角度。所述AlN层形成于硅基板的所述表面上。所述AlGaN层形成于所述AlN层上。而所述AlGaN层的Al含量在从AlN层侧往GaN层侧的厚度方向上降低。
氮化物半导体结构

[发明专利]氮化物半导体结构及其制造方法-CN201110461299.7无效
发明人：方彦翔;廖宸梓;胡智威;陈威佑;宣融 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种氮化物半导体结构及其制造方法，此结构包括基板、氮化物缓冲层、第一氮化物半导体层以及第一缺陷阻挡层。氮化物缓冲层位于基板上。第一氮化物半导体层位于氮化物缓冲层上。第一缺陷阻挡层位于第一氮化物半导体层与基板之间，其中第一缺陷阻挡层中具有多个纳米孔隙，纳米孔隙的分布密度为3.5×1013/cm2至8.4×1013/cm2。
氮化物半导体结构及其制造方法