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[发明专利]用于钨的化学机械抛光组合物和方法-CN201910986328.8有效
发明人： J·D·彭;何蔺蓁;B·P-H·齐 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：用于化学机械抛光含有钨的衬底的组合物和方法，以至少抑制钨的腐蚀。所述组合物包含以下项作为初始组分：水；氧化剂；选择的聚乙氧基化的牛脂胺；二羧酸，铁离子来源；胶体二氧化硅磨料；以及任选地，pH调节剂；以及任选地，杀生物剂。所述化学机械抛光方法包括提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；在抛光垫与衬底之间的界面处产生动态接触；以及在抛光垫与衬底之间的界面处或界面附近将抛光组合物分配到抛光表面上；其中一些钨被从衬底上抛光掉并且抑制了钨的腐蚀。
用于化学机械抛光组合方法

[发明专利]用于钨的中性至碱性化学机械抛光组合物和方法-CN201910596883.X有效
发明人：郭毅;T·Q·德兰 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：披露了一种用于抛光钨的中性至碱性化学机械组合物，其包含作为初始组分的以下组分：水；选自碘酸盐化合物、高碘酸盐化合物及其混合物的氧化剂；包含含氮化合物的胶体二氧化硅磨粒；任选地，pH调节剂；和任选地，杀生物剂。所述化学机械抛光方法包括提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；在抛光垫与衬底之间的界面处产生动态接触；并将中性至碱性化学机械抛光组合物在抛光垫与衬底之间的界面处或其附近分配到抛光表面上；其中一些钨被从衬底上抛光掉，并且还至少抑制钨的静态蚀刻。
用于中性碱性化学机械抛光组合方法

[发明专利]去除速率和平坦化改善的化学机械抛光垫-CN201810499504.0有效
发明人： J·G·韦斯;邱南荣;G·C·雅各布;钱百年 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明提供一种用于抛光三维半导体或存储器衬底的化学机械(CMP)抛光垫，所述抛光垫包含热固性反应混合物的聚氨酯反应产物的抛光层，所述热固性反应混合物具有固化剂4，4′‑亚甲基双(3‑氯‑2，6‑二乙基苯胺)(MCDEA)或MCDEA与4，4′‑亚甲基‑双‑邻‑(2‑氯苯胺)(MbOCA)的混合物，和聚异氰酸酯预聚物，所述预聚物由以下形成且具有8.6至11wt.％的未反应异氰酸酯(NCO)浓度：一种或两种芳香族二异氰酸酯，如甲苯二异氰酸酯(TDI)，或芳香族二异氰酸酯与脂环族二异氰酸酯的混合物，和聚四亚甲基醚二醇(PTMEG)、聚丙二醇(PPG)的多元醇，或PTMEG与PPG的多元醇掺合物。所述抛光层中的所述聚氨酯根据ASTM D2240‑15(2015)具有50至90的肖氏D硬度、在65℃具有70至500MPa的剪切存储模量(G′)，且在50℃具有0.06至0.13的阻尼分量(G″/G′，通过剪切动态力学分析(DMA)所测量，ASTM D5279‑08(2008))。
去除速率平坦改善化学机械抛光

[发明专利]具有多用途复合窗口的抛光垫-CN201811372365.1有效
发明人： M·R·加丁科;M·E·古兹曼;N·A·瓦斯克斯;侯冠华 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： B24B37/22 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于抛光集成电路晶片的抛光垫。其包括上抛光层，所述上抛光层具有抛光表面和所述上抛光层中的至少一个凹槽。至少一个透明窗口位于所述上层内。所述至少一个透明窗口的厚度大于所述至少一个凹槽的所期望磨损深度。所述至少一个透明窗口包括非荧光透明聚合物；和荧光透明聚合物。所述透明窗口允许通过在足以激发所述荧光透明聚合物的波长下用活化源活化所述荧光透明聚合物来测量凹槽深度，并允许通过经由所述荧光透明聚合物和所述非荧光透明聚合物发送光来进行终点检测。
具有多用途复合窗口抛光

[发明专利]化学机械抛光垫-CN201810232714.3有效
发明人： B·钱;F·叶;T-C·王;S-H·曾;K·W-H·佟;M·W·德格鲁特 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司;陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明提供对半导体晶片中的金属表面，如含铜或含钨的金属表面进行CMP抛光的方法，所述方法包含使用在抛光层中具有顶部抛光表面的CMP抛光垫对所述衬底进行CMP抛光，所述抛光层是异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物与固化剂组分的反应产物，所述固化剂组分包含数均分子量是6000到15,000且每分子平均具有5到7个羟基的多元醇固化剂和多官能芳香族胺固化剂，其中所述抛光层如果未填充，那么其在室温下在去离子(DI)水中浸泡一周后的吸水率将是4到8wt.％。所述方法形成具有低缺陷率和最低凹陷程度的共面金属和介电或氧化物层表面。
化学机械抛光

[发明专利]钨的化学机械抛光方法-CN201810822602.3有效
发明人： J·Ｄ·彭;何蔺蓁;S·苏 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： B24B37/07 文献下载
摘要：一种化学机械抛光含钨衬底的方法，以至少减少100μm或更小的钨特征部的凹陷。该方法包括提供含有100μm或更小的钨特征部的衬底；提供抛光组合物，其含有作为初始组分的水；氧化剂；精氨酸或其盐；二羧酸；铁离子源；胶体二氧化硅研磨剂；和任选地pH调节剂；和任选地表面活性剂；和任选地杀生物剂；提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；在抛光垫和衬底之间的界面处产生动态接触；以及在抛光垫和衬底之间的界面处或附近将抛光组合物分配到抛光表面上；其中一些钨被抛光离开衬底并且还至少减少了100μm或更小的钨特征部的凹陷。
化学机械抛光方法

[发明专利]高速率CMP抛光方法-CN201810445350.7有效
发明人： J·V·阮;T·Q·陈;J·J·亨德伦;J·R·斯塔克 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明提供一种用于抛光或平坦化半导体、光学和磁性衬底中的至少一种的晶片的方法。所述方法包括旋转抛光垫，所述抛光垫在抛光层中具有径向馈料槽，所述径向馈料槽将所述抛光层分成抛光区域。所述径向馈料槽包括连接一对相邻径向馈料槽的一系列偏置沟槽。大多数偏置沟槽向内偏向所述抛光垫的中心或向外偏向所述抛光垫的外边缘。在所述抛光垫多次旋转的情况下，使所述晶片抵压在所述旋转抛光垫上、以距所述抛光垫的中心固定的距离旋转，从而提高所述晶片的抛光或平坦化去除速率。
速率 cmp 抛光方法

[发明专利]用于浅沟槽隔离的水性硅石浆料组合物和其使用方法-CN201810926391.8有效
发明人： N·K·彭塔;J·考兹休克;D·莫斯利;K-A·K·雷迪;M·万哈尼赫姆 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供水性CMP抛光组合物，其包含以所述组合物的总重量计0.5到30重量％的多个含有阳离子氮原子的细长、弯曲或结节状胶态硅石颗粒分散体，和0.001到0.5重量％，优选10到500ppm的具有阳离子胺基的二烯丙基胺盐(如二烯丙基卤化铵)，或具有阳离子胺基的二烯丙基烷基胺盐(如二烯丙基烷基铵盐)的阳离子共聚物，或所述共聚物的混合物，其中所述组合物的pH为1到4.5。优选地，具有阳离子胺基的二烯丙基胺盐的所述阳离子共聚物包含二烯丙基氯化铵与二氧化硫的共聚物，并且具有阳离子胺基的所述二烯丙基烷基胺盐的所述共聚物包含二烯丙基单甲基卤化铵(例如二烯丙基单甲基氯化铵)与二氧化硫的共聚物。浆料组合物在具有氮化物和硅图案的图案晶片的CMP抛光中表现出良好的氧化物选择性。
用于沟槽隔离水性硅石浆料组合使用方法

[发明专利]具有增强缺陷抑制的抛光组合物和抛光衬底方法-CN201910191269.5有效
发明人：郭毅 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种化学机械抛光组合物，其包括以下作为初始组分：水；磨料；碱金属的无机盐或铵盐或其混合物；具有式(I)的苄基三烷基季铵化合物：其中R1、R2和R3各自独立地选自(C1‑C4)烷基；阴离子；和具有式(II)的含羟基的季铵化合物：其中R4、R5、R6各自独立地选自H和烷基；其中R7是亚烷基；和阴离子。还公开了用化学机械抛光组合物抛光衬底的方法。
具有增强缺陷抑制抛光组合衬底方法

[发明专利]化学机械抛光组合物及抑制无定形硅的去除速率的方法-CN202010193669.2有效
发明人： N·K·彭塔;K·E·特泰;M·范汉尼赫姆 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：公开了化学机械抛光组合物，其含有聚乙氧基化的胺、磷酸或其盐、以及带正电荷的含氮的胶体二氧化硅磨料颗粒。所述化学机械抛光组合物用于抛光方法中用于抑制无定形硅的去除速率，同时维持可调的氧化物与氮化硅的去除速率的比率。所述化学机械抛光组合物可以用于前段制程半导体加工中。
化学机械抛光组合抑制无定形去除速率方法

[发明专利]滞留时间可控的CMP抛光方法-CN201810445987.6有效
发明人： J·V·阮;T·Q·陈;J·J·亨德伦;J·R·斯塔克 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于抛光或平坦化半导体、光学和磁性衬底中的至少一种的晶片的方法。所述方法包括旋转抛光垫，所述旋转抛光垫具有位于抛光层中的径向馈料槽，所述径向馈料槽将所述抛光层分成抛光区域。所述抛光区域是由两个相邻径向馈料槽界定的圆扇区。所述径向馈料槽从邻近于所述中心的位置延伸至邻近于所述外边缘的位置。每个抛光区域包括连接一对相邻径向馈料槽的一系列偏置沟槽。在所述抛光垫多次旋转的情况下，使所述晶片抵压在所述旋转抛光垫上旋转，以通过延长或缩短抛光液在所述晶片下的滞留时间来调整抛光。
滞留时间可控 cmp 抛光方法

[发明专利]均匀CMP抛光方法-CN201810448097.0有效
发明人： J·V·阮;T·Q·陈;J·J·亨德伦;J·R·斯塔克 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于抛光或平坦化半导体、光学和磁性衬底中的至少一种的晶片的方法。所述方法包括旋转抛光垫，所述抛光垫在抛光层中具有径向进料槽，所述径向进料槽将所述抛光层分成抛光区域。所述径向进料槽从邻近于所述中心的位置至少延伸至邻近于所述外边缘的位置。各抛光区域包括连接一对相邻径向进料槽的一系列偏置沟槽。所述系列偏置沟槽分隔着落区域且具有更接近所述中心的内壁和更接近所述外边缘的外壁。在多次旋转的情况下，使所述晶片抵压在所述旋转抛光垫上旋转，从而利用所述溢流抛光液所润湿的着落区域抛光或平坦化所述晶片。
均匀 cmp 抛光方法

[发明专利]梯形CMP沟槽图案-CN201810447970.4有效
发明人： J·V·阮;T·Q·陈;J·J·亨德伦;J·R·斯塔克 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：抛光垫适用于抛光或平坦化半导体、光学和磁性衬底中的至少一种的晶片。所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层具有聚合物基质和位于所述抛光层中的径向进料槽，所述径向进料槽将所述抛光层分成抛光区域。所述径向进料槽从邻近于所述抛光垫的中心的位置至少延伸至邻近于外边缘的位置。各抛光区域包括一系列间隔的非等腰梯形沟槽结构，所述梯形沟槽结构具有平行基段，所述平行基段连接两个相邻径向进料槽以形成边段。所述系列非等腰梯形沟槽结构从所述抛光垫的外边缘附近向所述中心延伸，所述系列梯形结构的周边也呈梯形。
梯形 cmp 沟槽图案

[发明专利]具有CMP抛光垫用的高UV透明度的脂肪族UV固化的聚氨基甲酸酯光学终点检测窗口-CN201811264918.1有效
发明人： M·R·加丁科 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： B24B37/20 文献下载
摘要：本发明提供化学机械(CMP)抛光垫，用于抛光选自包括所述CMP抛光垫的半导体衬底的衬底，并且具有一个或多个终点检测窗口，所述窗口为具有两个(甲基)丙烯酸酯端基的线性环脂肪族氨基甲酸酯大分子单体或其环脂肪族氨基甲酸酯寡聚物与脂肪族引发剂的反应混合物的固化产物，所述(甲基)丙烯酸酯端基经由环脂肪族二氨基甲酸酯键合至平均分子量为450至2,000的聚醚、聚碳酸酯或聚酯链，其中所述氨基甲酸酯大分子单体中的总异氰酸酯含量在3.3至10重量％范围内，并且进一步地，其中，所述组合物包括小于5重量％的未反应的(甲基)丙烯酸酯单体，并且大体上不含未反应的异氰酸酯。无论其硬度或缺乏硬度，所述终点检测窗口在潮湿时均具有出色耐用性。
具有 cmp 抛光 uv 透明度脂肪固化氨基甲酸酯光学终点检测窗口

[发明专利]用于浅沟槽隔离的水性低研磨剂二氧化硅浆料和胺羧酸组合物以及其制造和使用方法-CN201811009708.8有效
发明人：郭毅;D·莫斯利;N·K·彭塔 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供水性化学机械平坦化(CMP)抛光组合物，其包含一种或多种具有+5到+50mV的ζ电位且具有一个或多个氨基硅烷基团的胶态二氧化硅粒子分散体，优选细长、弯曲或结节状胶态二氧化硅粒子，或更优选含有阳离子氮原子的此类粒子；以及至少一种胺杂环羧酸，其具有2.5到5，优选3到4的等电点(pI)。所述组合物具有2.5到5.3的pH。优选地，所述胺杂环羧酸为含胺杂环单羧酸，如烟碱酸、吡啶羧酸或异烟酸。所述组合物增强氧化物:氮化物去除速率比率。
用于沟槽隔离水性研磨剂二氧化硅浆料羧酸组合及其制造使用方法