[发明专利]高速率CMP抛光方法

摘要

本发明提供一种用于抛光或平坦化半导体、光学和磁性衬底中的至少一种的晶片的方法。所述方法包括旋转抛光垫，所述抛光垫在抛光层中具有径向馈料槽，所述径向馈料槽将所述抛光层分成抛光区域。所述径向馈料槽包括连接一对相邻径向馈料槽的一系列偏置沟槽。大多数偏置沟槽向内偏向所述抛光垫的中心或向外偏向所述抛光垫的外边缘。在所述抛光垫多次旋转的情况下，使所述晶片抵压在所述旋转抛光垫上、以距所述抛光垫的中心固定的距离旋转，从而提高所述晶片的抛光或平坦化去除速率。

主权项

1.一种用于抛光或平坦化半导体、光学和磁性衬底中的至少一种的晶片的方法，所述方法包含以下：旋转抛光垫，所述抛光垫具有：具有聚合物基质和厚度的抛光层，所述抛光层包括所述抛光垫的中心、外边缘和从所述中心延伸至所述外边缘的半径；位于所述抛光层中的径向馈料槽，所述径向馈料槽将所述抛光层分离成抛光区域，所述径向馈料槽从邻近于所述中心的位置至少延伸至邻近于所述外边缘的位置；和各抛光区域，各抛光区域包括连接一对相邻径向馈料槽的一系列偏置沟槽，大多数的所述偏置沟槽向内偏向所述抛光垫的所述中心或向外偏向所述抛光垫的所述外边缘，所述向内与向外偏置凹槽使抛光液向所述抛光垫的所述外边缘移动且移向所述晶片或远离所述晶片取决于向内偏置或向外偏置和所述抛光垫的旋转方向；将抛光液分配至所述旋转抛光垫上并且进入所述径向馈料槽和所述系列偏置沟槽；和在所述抛光垫多次旋转的情况下，使所述晶片抵压在所述旋转抛光垫上、以距所述抛光垫的所述中心固定的距离旋转，所述晶片接近所述抛光垫的所述外边缘，然后接近所述抛光垫的所述中心，以提高所述晶片中的至少一种组件的去除速率。