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[发明专利]存储器模块和系统以及制造存储器模块的方法-CN200610093855.9无效
发明人： S·穆夫;S·拉格胡拉姆 -专利权人： 秦蒙达股份公司
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：本发明涉及了存储器扩展存储器模块，存储器模块系统和存储器模块，包括至少一个存储器(111a，111b，212a，212b)和用于连接该存储器模块(100，200)至计算机系统(1)的一个连接器装置(110，210)，其中所述存储器模块(100，200)还包括表面安装连接器装置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)，用于连接存储器扩展存储器模块(102，202)至所述存储器模块(100，200)。而且，本发明还涉及制造存储器模块(100，101)的方法，该存储器模块包括至少一个存储器(111a，111b，111c，111d)和用于连接存储器扩展存储器模块(102，202)至所述存储器模块(100，101)的至少一个连接器装置(103a，103b，103c，103d，103e，103f)，其中所述至少一个存储器(111a，111b，212a，212b)和所述至少一个连接器装置(103a，103b，103c，203a，203b，203c)在单一一个制造步骤中连接所述存储器模块(100，101)。
存储器模块系统以及制造方法

[发明专利]集成半导体结构的制造方法及相应的集成半导体结构-CN200610106351.6无效
发明人： M·戈德巴赫;D·吴 -专利权人： 秦蒙达股份公司
申请日： 2006-07-14 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种集成半导体结构的制造方法和相应的集成半导体结构。该制造方法包括以下步骤：提供具有上表面(0)和具有第一和第二晶体管区域(T1、T2)的半导体衬底(1)；其中所述第一晶体管区域(T1)是n－MOSFET区域以及第二晶体管区域(T2)是p－MOSFET区域；在所述第一和第二晶体管区域(T1、T2)上形成栅极结构，其包括在所述第一和第二晶体管区域(T1、T2)的每一个中的至少一层栅极介电层(2，3，10c，17，25)和一层栅极层(4；35；50，60)；其中所述第二晶体管区域(T2)中的所述栅极层(4；35；60)由负掺杂的多晶硅构成；其中所述第一晶体管区域(T1)中的所述至少一层栅极介电层(2，10c，17)包括第一介电层(2，10c，17)；其中所述第二晶体管区域(T2)中的所述至少一层栅极介电层(2，3，10c，25，25′)包括位于所述第二晶体管区域(T2)中的所述栅极层(4；35；60)附近的界面介电层(2；25；25′)，该界面介电层(2；25；25′)在所述第二晶体管区域(T2)中的所述栅极层(4；35；60)上形成包含Al₂O₃的界面，产生费米钉扎效应；以及其中所述第一晶体管区域(T1)不包括所述界面介电层(2；25；25′)。
集成半导体结构制造方法相应

[发明专利]多芯片器件及其制造方法-CN200610092825.6无效
发明人： J·汤马斯;O·舍菲尔德 -专利权人： 秦蒙达股份公司
申请日： 2006-06-19 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种多芯片器件，它包括一些芯片堆叠，每个堆叠包含许多相互叠置的单芯片，其中被叠置的单芯片由一个或几个穿过至少一个单芯片的通过芯片的连线相互电连接，同时衬底提供一个或多个第一接触元件，其中每个第一接触元件与通过芯片的连线之一接触，并提供一个或多个与此第一接触元件电接触的第二接触元件，其中那些芯片堆叠相互叠置，而且芯片堆叠之一的每个第二接触元件安置成与相邻芯片叠置的一个或多个第三接触元件相接触。
芯片器件及其制造方法

[发明专利]用于对多位电荷俘获存储单元阵列编程的方法-CN200610101605.5有效
发明人： T·勒尔;J·韦勒 -专利权人： 秦蒙达股份公司
申请日： 2006-06-30 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：编程电压被施加到源极和漏极，以便在存储单元的沟道的一端处产生热空穴注入。通过将中间抑制电压施加到邻近的位线来避免不期望的对相邻存储单元的编程。这通过将所有位线预充电到抑制电压来完成，即或者通过接连地将抑制电压单独施加到每条位线、或者通过将较高和较低编程电压都施加到一半位线并然后短路所有位线以产生中间电压来完成。
用于电荷俘获存储单元阵列编程方法

[发明专利]用于非易失性半导体存储器件的基准方案-CN200610088714.8无效
发明人： M·雷代利;L·德阿姆布洛吉 -专利权人： 秦蒙达股份公司;秦蒙达闪存有限责任两合公司
申请日： 2006-06-02 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：提供一种包括存储区和电路区的非易失性半导体存储器件。存储区包括多个存储单元和一组阵列基准单元，其中该组阵列基准单元可编程为具有对应于存储单元的已擦除或者已编程状态的阈值电压。在电路区中，提供附加的主基准单元，其被配置为也具有对应于存储单元的已擦除或者已编程状态的阈值电压。主基准单元被用于所述阵列基准单元的设定，并且所述阵列基准单元被提供作为读或者写所述存储单元的状态的基准。也提供一种用于将非易失性半导体存储器件中的阵列基准单元设定为预定的阈值电压的方法。
用于非易失性半导体存储器件基准方案

[发明专利]用于半导体器件的抗翘曲散热器-CN200610099657.3无效
发明人： S·G·朴;K·雷比比斯;J·格拉夫 -专利权人： 秦蒙达股份公司
申请日： 2006-06-29 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开一种用于半导体器件的抗翘曲散热器，其中散热器由基本上恒定厚度的金属片制成，金属片由至少一个开孔贯穿，以便允许粘接剂或树脂通过。散热器被设计成通过在它的部件，即电路板、管芯、散热器和增强框架之间提供强的接合而加强封装。同时，由管芯在工作期间生成的热被有效地耗散。散热器可以通过把它放置在模具中被容易地附着到管芯，模具被用来产生增强的框架和然后被填充以模制料。模制料容易流过开孔，由此填充在散热器与管芯之间的缝隙。模制料代替空气，空气从散热器与管芯之间的缝隙中逸出。因此，构成在管芯与散热器之间的强的和坚固的连接。在散热器底下的接合层与在散热器上面的增强框架通过开孔被坚固地互联。
用于半导体器件抗翘曲散热器

[发明专利]用于半导体存储器芯片和存储系统的高速接口电路-CN200610093689.2无效
发明人： P·格雷戈里乌斯;M·施特赖布尔;P·瓦尔纳;T·里克斯 -专利权人： 秦蒙达股份公司
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：高速接口电路在包括存储核心、第一接口电路部分和第二接口电路部分的半导体存储器芯片中实现。第一接口电路部分可连接到写数据/命令和地址信号总线上，包括写数据/命令和地址再驱动器/传输器路径(其可以是透明的并且不包括任何时钟信号同步电路)以及包含串并转换和同步装置的主写信号路径，该串并转换和同步装置用于使所接收的写数据/命令和地址信号与基准时钟信号同步并且将经并行转换的写信号传送到存储核心。第二接口电路部分可连接到读数据总线上并且包括：透明读数据再驱动器/传输器路径以及主读信号路径。
用于半导体存储器芯片存储系统高速接口电路

[发明专利]具有碳堆叠电容器的DRAM-CN200610100187.8无效
发明人： A·格拉哈姆;G·迪斯伯格;W·施泰因赫格尔 -专利权人： 秦蒙达股份公司
申请日： 2006-06-30 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：公开了一种DRAM堆叠电容器及其其制造方法。该DRAM堆叠电容器形成有包括导电碳层的第一电容器电极、电容器介电层和第二电容器电极。
具有堆叠电容器 dram

[发明专利]用于非易失性半导体存储单元的检测方案-CN200610088716.7无效
发明人： M·雷代利;L·德阿姆布洛吉 -专利权人： 秦蒙达股份公司;秦蒙达闪存有限责任两合公司
申请日： 2006-06-02 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种检测非易失性半导体存储单元的状态的方法。当改变单元的栅极电压时，将存储单元电流以及从至少一个基准单元产生的比较电流与预定基准电流进行比较。检测放大器检测所述电流中的哪一个首先达到预定基准电流。达到基准电流的顺序指示存储单元的状态。在本发明的一个优选实施方案中，比较电流作为已擦除基准单元电流和已编程基准单元电流的平均值而产生。
用于非易失性半导体存储单元检测方案

[发明专利]存储单元阵列及其形成方法-CN200610093691.X无效
发明人： M·波普;F·雅库鲍斯基;J·何茨;L·海涅克 -专利权人： 秦蒙达股份公司
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种存储单元阵列包含具有存储电容器与存取晶体管的存储单元。该存取晶体管形成于有源区中。该存储单元阵列进一步包含定向于第一方向的位线以及定向于第二方向的字线。该有源区在该第二方向上延伸。该晶体管的每个栅电极的底侧被配置于每个字线的底侧之下。此外，该字线被配置于该位线之上。
存储单元阵列及其形成方法

[发明专利]并行数据路径体系结构-CN200610094660.6有效
发明人： M·弗里伯恩 -专利权人： 秦蒙达股份公司
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： G11C11/4091 文献下载
摘要：一种存储器装置，包括：用于存储数据的存储器阵列；用于在读操作中作为该存储器装置的输出提供从该存储器阵列检索的数据的数据焊盘；并行读数据路径，各耦合于存储器阵列与数据焊盘之间，其中并行读数据路径包括可以以不同操作模式操作的同步数据路径和异步数据路径；以及模式选择器，用于选择并行读数据路径的其中之一以将从该存储器阵列检索的数据提供到该数据焊盘。
并行数据路径体系结构

[发明专利]DRAM芯片设备以及包括该设备的多芯片封装-CN200610106474.X无效
发明人： Y·福库佐 -专利权人： 秦蒙达股份公司
申请日： 2006-06-23 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：一种SDRAM存储器芯片设备包括用于操作非易失性存储器例如NAND闪存的非易失性存储控制器和FIFO存储缓冲器。该FIFO存储缓冲器用来操作FIFO缓冲器阵列和该非易失性存储器之间的背景存储和加载操作，同时主机系统比如CPU与该SDRAM工作存储器交换数据。因此，该SDRAM存储器芯片设备与传统SDRAM标准相比具有至少两个附加引脚以用于生成一组附加命令。这些命令由该FIFO存储缓冲器利用以管理在该FIFO缓冲器和该非易失性存储器以及该易失性SDRAM存储器中的一个之间的数据传输。两个反映该闪存存储器状态的另外的引脚提供由该主机系统发出的适当的加载或存储信号。
dram 芯片设备以及包括封装

[发明专利]存储设备及控制该存储设备操作的方法-CN200610099643.1有效
发明人： A·芬 -专利权人： 秦蒙达股份公司
申请日： 2006-06-08 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：一种控制存储设备操作的方法，包括步骤：提供一存储设备，其包括一微控制器，一被设置为存储程序文件并和所述微控制器相连的容错信息库，以及一存储外部源提供的数据的存储阵列，进一步产生一个事件，响应于所述事件，将存储在所述存储阵列里的第一程序文件加载到所述信息库的第一段，并且为了执行所述存储设备的操作，通过所述微控制器执行所述程序文件。该方法和设备，其特征在于一可重写的信息库段可以有在闪存的区域里被实施的好处。程序文件可以包括例如太大而不能被永久存储在闪存设备信息库里的BIST算法的软件包。
存储设备控制操作方法

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