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[发明专利]石英微针及其制备方法-CN202310936676.0在审
发明人：马续航;张锐;王尧;王春柱;瞿学选 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本发明涉及生物医药技术领域，特别涉及一种石英微针及其制备方法。所述石英微针包括石英基底以及位于所述石英基底一侧的呈阵列分布的石英针状体，所述石英针状体具有空腔；所述石英基底内部设有流道，所述流道与所述空腔连通；所述流道内设有阀门，所述阀门用于开闭流道和/或调节流经所述流道的流体的流量。本发明的石英微针可根据复杂的给药程序长期多次给药。
石英及其制备方法

[发明专利]纳米柱阵列及其制备方法-CN202010174753.X有效
发明人：段天利;张锐;王尧;马续航;王春柱;瞿学选 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米柱阵列及其制备方法。上述纳米柱阵列的制备方法包括如下步骤：采用电子束抗蚀剂在衬底上形成抗蚀层；将抗蚀层进行曝光和显影，以在抗蚀层上曝光出多个间隔排列的直径为50nm～100nm的图案；在衬底上形成金属层，且金属层遮蔽抗蚀层，金属层的厚度至少为20nm且小于抗蚀层的厚度的三分之一；去除抗蚀层，得到具有多个间隔排列的金属图案的金属层；从衬底形成有金属层的一侧，沿垂直方向对衬底进行离子刻蚀，以使衬底上未被金属图案覆盖的区域被刻蚀，形成多个间隔的柱体；去除衬底上的金属图案，得到纳米柱阵列，纳米柱阵列包括多个间隔排列的纳米柱。上述制备方法能够使纳米柱阵列中的纳米柱直径小于50nm，高宽比大于20。
纳米阵列及其制备方法

[实用新型]一种耐高温的气动翻转挡省空间挡板-CN202221965137.7有效
发明人：马续航;高卫民;张锐;王春柱;王尧;瞿学选 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型属于真空镀膜技术领域，公开了一种耐高温的气动翻转挡省空间挡板，包括真空镀膜机架以及与真空镀膜机架固定连接的工件承载支架，在工件承载支架的一侧通过螺钉可拆卸连接有连接垫板，在连接垫板背离工件承载支架的一侧转动连接有竖向连板，连接垫板与竖向连板相互平行设置，竖向连板包括导向段和连接段，导向段的顶部可拆卸连接有导向挡板架，在导向挡板架的上端一体连接有用于防止溅射物的污染翻转挡板，翻转挡板呈半球形凹面设计，节省空间，在连接段的底部转动连接有翻转传动组件。本实用新型设计简单，结构合理，解决了现有技术中挡板机构占用空间大，灵活性差，且会对腔体内部流场方向产生影响，从而造成使用可靠性下降等问题。
一种耐高温气动翻转空间挡板

[发明专利]深槽的填充方法及深槽的填充结构-CN202110452788.X有效
发明人： 瞿学选;马续航;王尧;段天利;王春柱;张锐 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种深槽的填充方法及深槽的填充结构。上述深槽的填充方法包括如下步骤：提供具有至少一深槽的半导体衬底，深槽的深宽比小于或等于40；将绝缘件置于半导体衬底上，且绝缘件遮蔽深槽的开口，绝缘件的材质为聚合物材料；对绝缘件进行加热，使绝缘件呈液态；在真空条件下，对绝缘件加压，使液态的绝缘件填充于深槽内，然后固化，在深槽内形成绝缘层。上述深槽的填充方法在深槽内填充绝缘层仅需要几分钟至十几分钟，较传统的化学气相沉积的方法(需要几十个小时)大大节省了沉积时间，提高了生产效率。且以聚合物材料为绝缘件的材料，较传统的以二氧化硅为绝缘层，介电常数相差不大，甚至部分高于二氧化硅，绝缘性好。
填充方法结构

[发明专利]测试装置及靶测试调节机构-CN202010897124.X有效
发明人：马续航;高卫民;张锐;王尧;王春柱;段天利;瞿学选 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G01M99/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种测试装置及靶测试调节机构。所述靶测试调节机构包括：安装本体、储料本体、挡板、驱动件与第一连接件，所述储料本体可活动地装设在所述安装本体上，所述储料本体上设有填充口，所述储料本体用于放置靶料，所述第一连接件与所述驱动件相连，且所述第一连接件上设有波纹管联轴器，所述第一连接件与所述挡板相连，且所述第一连接件与所述储料本体活动配合，所述挡板用于遮盖或打开所述填充口。上述靶测试调节机构无需对挡板再进行对位调节，从而使得使用更加方便。
测试装置调节机构

[发明专利]大面积微纳米光栅及其制备方法与应用-CN202111176238.6在审
发明人：段天利;瞿学选;王尧;张锐;马续航;王春柱 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种大面积微纳米光栅及其制备方法与应用。上述制备方法包括如下步骤：在衬底上形成金属层；在衬底及金属层上形成抗蚀层，抗蚀层覆盖金属层；在抗蚀层表面点涂导电金属浆料作为聚焦点；聚焦点于抗蚀层预设曝光区域外周间隔设置；调整电子束设备的子场和主场的尺寸为大面积微纳米光栅周期的整数倍，并且使场拼接线落在曝光区域内；将抗蚀层进行曝光和显影，得到预设结构，曝光在电子束设备进行；以经过曝光和显影的抗蚀层作为第一掩膜，对金属层进行离子刻蚀；去除抗蚀层，以经离子刻蚀的金属层作为第二掩膜，对衬底进行离子刻蚀。上述制备方法得到的光栅面积可达到平方厘米级，同时光栅的精度可达纳米尺寸。
大面积纳米光栅及其制备方法应用

[发明专利]闪耀光栅及其制备方法和应用-CN201910857437.X有效
发明人：段天利;张锐;王尧;徐康;马续航;瞿学选 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种闪耀光栅及其制备方法和应用。上述闪耀光栅的制备方法包括如下步骤：采用第一抗蚀剂在衬底上形成第一抗蚀层；将第一抗蚀层进行曝光和显影，形成具有图案的第一抗蚀层；在衬底上形成金属层，金属层遮盖第一抗蚀层；去除第一抗蚀层，得到具有多个间隔排列的金属条的金属层；在衬底上形成具有多个抗蚀条的第二抗蚀层，多个抗蚀条与多个金属条交替排列，且每个抗蚀条与相邻的一个金属条连接并构成一个图案单元，多个图案单元间隔排列；从衬底形成有第二抗蚀层的一侧对衬底进行离子刻蚀，以使第二抗蚀层被刻蚀，并使衬底上形成多个斜面；去除金属层，得到闪耀光栅。上述闪耀光栅的制备方法简单且能够得到纳米尺寸的闪耀光栅。
闪耀光栅及其制备方法应用

[发明专利]曲面纳米结构的制备方法-CN201910719753.0有效
发明人：段天利;张锐;王尧;徐康;马续航;瞿学选 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种曲面纳米结构的制备方法。上述曲面纳米结构的制备方法包括如下步骤：在衬底上旋涂电子束抗蚀剂，形成抗蚀层；将抗蚀层进行曝光和显影，得到具有图案的抗蚀层；对衬底和具有图案的抗蚀层进行离子刻蚀，以使抗蚀层被刻蚀，并使衬底上形成曲面凹槽，得到曲面纳米结构。上述曲面纳米结构的制备方法工艺简单且能够得到具有光滑曲面的纳米结构。
曲面纳米结构制备方法

[发明专利]纳米结构的制作方法-CN201910171605.X在审
发明人：段天利;王尧;马续航;张锐;瞿学选 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米结构的制作方法。该方法包括如下步骤：绘制版图，版图设有曝光区域和非曝光区域，在非曝光区域中设置辅助曝光区；使用正性电子抗蚀剂在衬底上形成抗蚀层；根据版图对抗蚀层进行曝光处理，然后进行显影处理，得到具有图案的抗蚀层，其中，曝光处理的步骤中，辅助曝光区的曝光剂量小于曝光区域的曝光剂量，以使抗蚀层对应辅助曝光区的区域形成凹槽；在具有图案的抗蚀层上形成金属层，得到层叠件；使用去胶试剂清洗层叠件以去除抗蚀层，得到纳米结构。上述纳米结构的制作方法能够使图形较易剥离且得到的图形完整。
抗蚀层纳米结构曝光区非曝光区域曝光处理曝光剂量曝光区域层叠件图案电子抗蚀剂区域形成显影处理金属层易剥离衬底去除去胶正性制作清洗绘制对抗

[发明专利]纳米图形及其制备方法、纳米结构的制备方法-CN201910374321.0在审
发明人：段天利;王尧;张锐;马续航;王春柱;瞿学选 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米图形及其制备方法、纳米结构的制备方法。该纳米图形的制备方法，包括以下步骤：在衬底上旋涂电子束抗蚀剂，得到电子束抗蚀剂层；其中，电子束抗蚀剂层的厚度为50nm～110nm；及电子束抗蚀剂层进行电子束曝光，得到纳米图形，其中，电子束曝光的曝光剂量为1C/m
纳米图形电子束抗蚀剂制备电子束曝光纳米结构曝光剂量衬底上旋

[实用新型]一种高密度缓变场限环结构-CN201220117922.7有效
发明人： 瞿学选 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2012-03-27 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种高密度缓变场限环结构，属于开关型高压功率器件技术领域。环绕于器件元胞区的四周的缓变场限环结构主要包括与各场限环相对应的场板以及一个截止环，场限环从器件元胞区的边缘开始向截止环依次排列。场限环中的主结环与器件元胞区pbody相互重叠，各场限环之间的距离不等，从第1场限环向外，相邻的场限环之间的距离依次增加，每个场限环的半径依次减小，相邻场限环的重叠度依次变小，最外的场限环互相分离。该缓变场限环结构未增加工艺的复杂性，具有器件集成度高以及工艺窗口大的显著特点，大幅度降低功率器件外围结终端结构占用面积，提高了功率器件整体上的集成度，从而降低了功率器件的制备成本，适合应用于功率器件的大规模工业生产。
一种高密度缓变场限环结构

[实用新型]一种镧系氧化物栅氧浅沟槽结构-CN201220083656.0有效
发明人： 瞿学选;金秀梅;唐祯安 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种镧系氧化物栅氧浅沟槽结构，属于开关型沟槽栅功率器件的沟槽栅结构。这种镧系氧化物栅氧浅沟槽结构能够有效降低其等效电学厚度，从而增加器件的电流导通能力，有利于提高p-body的浓度和降低p-body的深度而保持器件的阈值电压不变，有利于进一步减小沟槽的深度而不会影响到击穿电压，有利于进一步地降低沟槽的纵横比，从而进一步地减小沟槽的宽度，进一步实现元胞在尺寸上的缩减。另外，p-body的浓度的提高以及深度的降低，还有利于降低主要由p-body构成的杂散电阻，从而有利于遏制器件的栓锁效应，并从根本上提高器件在高于雪崩耐量的冲击下的安全特性。从而整体上有利于元胞在尺寸上的继续缩减，有利于降低器件所占用的晶圆面积，降低器件加工成本。
一种氧化物栅氧浅沟槽结构

[发明专利]一种高密度缓变场限环结构及其制造工艺-CN201210081136.0有效
发明人： 瞿学选 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种高密度缓变场限环结构及其制造工艺，属于开关型高压功率器件技术领域。环绕于器件元胞区的四周的缓变场限环结构主要包括与各场限环相对应的场板以及一个截止环，场限环从器件元胞区的边缘开始向截止环依次排列。场限环中的主结环与器件元胞区pbody相互重叠，各场限环之间的距离不等，从第1场限环向外，相邻的场限环之间的距离依次增加，每个场限环的半径依次减小，相邻场限环的重叠度依次变小，最外的场限环互相分离。该缓变场限环结构未增加工艺的复杂性，具有器件集成度高以及工艺窗口大的显著特点，大幅度降低功率器件外围结终端结构占用面积，提高了功率器件整体上的集成度，从而降低了功率器件的制备成本，适合应用于功率器件的大规模工业生产。
一种高密度缓变场限环结构及其制造工艺

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