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[发明专利]垂直存储器件-CN201710223451.5有效
发明人： 尹永培;申重植;金光浩;朴玄睦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直存储器件，该垂直存储器件包括在基板上的沟道、栅线和切割图案。沟道在基本上垂直于基板的上表面的第一方向上延伸。栅线在第一方向上彼此间隔开。每条栅线围绕沟道并在基本上平行于基板的上表面的第二方向上延伸。切割图案包括在第二方向上延伸并切割栅线的第一切割部分以及交叉第一切割部分并与第一切割部分合并的第二切割部分。
垂直存储器件

[发明专利]三维半导体存储器件及其制造方法-CN202111429771.9在审
发明人：郑夛恽;李星勋;尹石重;朴玄睦;申重植;尹永培 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：提供了制造三维(3D)半导体存储器件的方法。该方法可以包括：在包括单元阵列区和连接区的基板上形成包括竖直地且交替地层叠的绝缘层和水平层的薄层结构；在薄层结构上形成包括竖直地层叠的多个上水平图案的上结构，上结构在连接区上具有在第一方向上形成的第一阶梯结构以及在垂直于第一方向的第二方向上形成的第二阶梯结构；形成掩模图案，掩模图案暴露上结构的第一阶梯结构和第二阶梯结构在连接区上的一部分以及薄层结构在连接区上的一部分；以及使用掩模图案作为蚀刻掩模执行焊盘蚀刻工艺以蚀刻上结构的一部分和薄层结构的一部分。
三维半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]三维半导体存储器件及其制造方法-CN202111431970.3在审
发明人：郑夛恽;李星勋;尹石重;朴玄睦;申重植;尹永培 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：提供了制造三维(3D)半导体存储器件的方法。该方法可以包括：在包括单元阵列区和连接区的基板上形成薄层结构；形成第一掩模图案；使用第一掩模图案作为蚀刻掩模执行第一蚀刻工艺以蚀刻薄层结构；执行减小第一掩模图案的面积的第一修整工艺；交替地且重复地执行第一蚀刻工艺和第一修整工艺以在连接区上形成上结构；形成第二掩模图案；使用第二掩模图案作为蚀刻掩模执行第二蚀刻工艺以蚀刻薄层结构和上结构；执行减小第二掩模图案的面积的第二修整工艺；以及交替地且重复地执行第二蚀刻工艺和第二修整工艺以在上结构下方形成多个中间结构。
三维半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]三维半导体存储器件及其制造方法-CN201710011121.X有效
发明人：郑夛恽;李星勋;尹石重;朴玄睦;申重植;尹永培 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：提供了三维(3D)半导体存储器件及其制造方法。3D半导体存储器件可以包括：基板，包括单元阵列区和连接区；下层叠结构，包括竖直地层叠在基板上的多个下电极，下层叠结构具有在连接区上在第一方向上延伸的第一阶梯结构以及在连接区上在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二阶梯结构；以及多个中间层叠结构，竖直地层叠在下层叠结构上。每个中间层叠结构包括竖直地层叠的多个中间电极并且在连接区上具有在第二方向上延伸的第三阶梯结构。每个中间层叠结构暴露设置在其下面的中间层叠结构的第三阶梯结构。
三维半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]三维半导体存储器件及其制造方法-CN202011291354.8在审
发明人：郑夛恽;李星勋;尹石重;朴玄睦;申重植;尹永培 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：提供了三维(3D)半导体存储器件及其制造方法。3D半导体存储器件可以包括：基板，包括单元阵列区和连接区；下层叠结构，包括竖直地层叠在基板上的多个下电极，下层叠结构在连接区上具有在第一方向上延伸的第一阶梯结构和在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二阶梯结构；以及多个中间层叠结构，竖直地层叠在下层叠结构上。每个中间层叠结构包括竖直地层叠的多个中间电极并且在连接区上具有在第二方向上延伸的第三阶梯结构和在第一方向上延伸的第四阶梯结构。相对于基板的顶表面，第一阶梯结构的斜坡具有第一倾斜角，第二阶梯结构的斜坡具有基本上等于第一倾斜角的第二倾斜角，第四阶梯结构的斜坡具有不同于第一倾斜角的第三倾斜角。
三维半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]三维半导体存储器装置-CN201910925868.5在审
发明人：朴志峰;金昭延;李韩永;尹永培;殷东锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器装置包括：衬底；电极结构，其包括竖直地层叠在衬底上的电极，各个电极具有焊盘部分；电极分离结构，其穿透电极结构并在第二方向上彼此隔开；以及接触插塞，其耦接到焊盘部分。接触插塞包括第一接触插塞以及在第二方向上与第一接触插塞隔开的第二接触插塞。电极分离结构包括在第一接触插塞和第二接触插塞之间的第一电极分离结构。第一接触插塞在第二方向上与第一电极分离结构隔开第一距离。第二接触插塞在第二方向上与第一电极分离结构隔开不同于第一距离的第二距离。
三维半导体存储器装置

[发明专利]用于无毒PVC窗的合成树脂组合物和无毒PVC窗-CN201380014645.4有效
发明人：陈东辉;尹永培;车基植;崔皙湖 -专利权人：乐金华奥斯株式会社;斗本
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： C08L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于无毒PVC窗的合成树脂组合物，其显示出优异的初期着色性、耐热性和耐候性并不含对人体有害的基于铅(Pb)或镉(Cd)的稳定剂，本发明还涉及一种无毒PVC窗。更具体而言，本发明提供了用于无毒PVC窗的合成树脂组合物作为稳定剂组合物，所述稳定剂组合物包括(a)基于无毒金属皂的稳定剂，和(b)基于无毒金属的无机稳定剂；并使用合成树脂组合物通过捏和和挤出获得了的无毒PCV窗。
用于无毒 pvc 合成树脂组合

[发明专利]用于具有预浸加强件的窗户的型材-CN201580001585.1在审
发明人：金次男;尹永培 -专利权人：乐金华奥斯株式会社
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： E06B3/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于窗户的型材，该用于窗户的型材具有插入到该型材中的预浸材料的加强件，从而加强窗户产品的重量减轻并且增加隔热性。所述用于窗户的型材，包括：挤出的主体部分；以及在纵向方向上插入到所述主体部分的内部空间中的预浸材料的加强件。所述用于窗户的型材可加强重量减轻和隔热性是因为预浸材料的加强件被插入到该型材中，并且可增加隔热性和抗风压性是因为由预浸材料制成的加强件和由金属材料制成的加强件可选择性地应用于双层窗户。
用于具有加强窗户

[发明专利]包括驱动晶体管的半导体装置-CN200910140192.5有效
发明人：李世薰;李忠浩;崔晶东;金泰瑢;金宇中;张桐熏;尹永培;金基玄;刘民胎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-07-10 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种包括驱动晶体管的半导体装置。一种半导体装置包括在衬底中限定的驱动有源区和在该驱动有源区处设置的至少三个驱动晶体管。所述驱动晶体管共享一个公共源极/漏极，并且每个驱动晶体管包括相互独立的单独源极/漏极。所述公共源极/漏极和单独源极/漏极被设置在驱动有源区中。
包括驱动晶体管半导体装置

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