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[发明专利]密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法-CN202211156891.0在审
发明人：郡大佑;甲斐佑典;中原贵佳;渡部卫 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明涉及密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法。本发明的课题是目的为提供一种密合膜形成材料，是在半导体装置制造步骤中的利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化处理中，能给予具有与抗蚀剂上层膜的高密合性，具有抑制微细图案的崩塌的效果，且能形成良好的图案形状的密合膜的密合膜形成材料；并提供使用了该材料的图案形成方法、及上述密合膜的形成方法。本发明的解决手段是一种密合膜形成材料，是形成于含硅中间膜与抗蚀剂上层膜之间的密合膜的密合膜形成材料，其特征在于，含有：(A)具有下述通式(1)及下述通式(2)表示的结构单元的树脂、(B)热酸产生剂、及(C)有机溶剂。
密合膜形成材料图案方法

[发明专利]含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物-CN202111577055.5在审
发明人：新井田惠介;甲斐佑典;荻原勤 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物。本发明的课题是：提供可形成无论负显影、正显影，对于任何抗蚀剂图案均具良好的密接性，而且对于如EUV曝光的更微细的图案也具良好的密接性的抗蚀剂下层膜的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物。一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物，其特征为：含有1种以上的下列通式(1)表示的硅化合物(A‑1)的水解物或水解缩合物中的任一者、或其两者。
抗蚀剂下层形成组成图案方法化合物

[发明专利]含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及图案形成方法-CN202111466982.X在审
发明人：郡大佑;甲斐佑典;前田和规 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及图案形成方法。本发明的目的是提供于多层抗蚀剂法中，抑制超微细图案崩塌的效果高，可形成图案形状良好的抗蚀剂图案的含硅的抗蚀剂下层膜。一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物，其特征为含有：下列通式(A‑1)表示的化合物及热交联性聚硅氧烷。[化1]R1表示甲基、乙基、丙基、烯丙基、炔丙基，R2表示氢原子、乙酰基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、苯甲酰基、萘甲酰基、蒽甲酰基，R3表示甲基、乙基、丙基、烯丙基、炔丙基、或下列通式(A‑2)表示的基团。[化2]虚线表示原子键，R1、R2与前述相同。
抗蚀剂下层形成组成以及图案方法

[发明专利]含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法-CN202010979904.9在审
发明人： 甲斐佑典;渡边武;美谷岛祐介;荻原勤 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法。本发明的课题是为了提供在多层抗蚀剂法中，抑制超微细图案崩塌的效果高，且具有适当的蚀刻速度的含硅的抗蚀剂下层膜。该课题的解决手段为一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，至少含有下述通式(A‑1)表示的季铵盐中的1种或2种以上、及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]式中，Ar1表示碳数6～20的芳香族基、或碳数4～20的杂芳香族基。R11表示碳数1～12的烷基、烯基、氧代烷基或氧代烯基、碳数6～20的芳基、或碳数7～12的芳烷基或芳基氧代烷基，且这些基团的一部分或全部的氢原子也可经取代。Z‑表示成为季铵阳离子的反荷离子的有机或无机阴离子。
抗蚀剂下层形成组合图案方法