专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]接合结构-CN202310048239.5在审
  • 葛西谅平;渡边贵志;谷口晋;水户瀬智久;堀田裕平 - TDK株式会社
  • 2023-01-31 - 2023-08-04 - H05K1/11
  • 本发明提供一种接合结构,将电子部件和配线基板接合,其中,具备:第一层,其设置于电子部件及配线基板的一侧,由含有Sn的第一金属构成;第二层,其设置于电子部件及配线基板的另一侧,由与Sn形成金属间化合物的第二金属构成;以及第三层,其设置于第一层和第二层之间的接合界面,由第一金属和第二金属的金属间化合物构成,第三层的平均厚度为0.1μm以上且0.5μm以下。
  • 接合结构
  • [发明专利]R-T-B系永磁体-CN202080081135.9在审
  • 藤川佳则;古田敦;神宫美香;渡边贵志 - TDK株式会社
  • 2020-11-26 - 2022-07-12 - H01F1/057
  • 本发明提供一种提高了磁特性、特别是残留磁通密度Br和矫顽力Hcj的R-T-B系永磁体。该R-T-B系永磁体为包含R2T14B主相结晶颗粒和晶界的R-T-B系永磁体。R为一种以上的稀土元素,T为以Fe或者Fe和Co为必要元素的一种以上的铁族元素,B为硼。在R-T-B系永磁体的与取向方向平行的截面上,R2T14B主相结晶颗粒的包覆率为50.0%以上,且R2T14B主相结晶颗粒的面积比例为92.0%以上。
  • 永磁体
  • [发明专利]永久磁铁-CN201980010647.3有效
  • 富田将来;桥本龙司;渡边贵志 - TDK株式会社
  • 2019-01-29 - 2022-04-05 - H01F1/055
  • 本发明提供一种具有高矫顽力和高剩余磁通密度的永久磁铁。是包含R和T的永久磁铁。R是稀土元素。以Sm为必须。以选自Y和Gd中的一种以上为必须。T是单独的Fe,或者是Fe和Co。T的一部分也可以被M置换,M是选自Ti、V、Cr、Mo、W、Zr、Hf、Nb、Ta、Al、Si、Cu、Zn、Ga和Ge中的一种以上。R整体中Sm的含量为60at%以上且95at%以下。Y和Gd的合计含量为5at%以上且35at%以下。包含具有ThMn12型晶体结构的主相结晶颗粒。
  • 永久磁铁
  • [发明专利]液体喷出装置-CN201580017491.3有效
  • 上田伦久;本田真澄;森本直之;井上孝德;渡边贵志;滨田大地;高桥良辅 - 积水化学工业株式会社
  • 2015-09-18 - 2020-03-03 - B05C5/00
  • 本发明提供一种不会过度地快速加热固化性组合物且在短时间内升温至可从喷头喷出的温度,由此可以稳定且高效地对高特性的固化性组合物进行涂敷的液体喷出装置。液体喷出装置(1)具备:第一罐(2),其贮存液状的组合物;喷头(3),其喷出组合物;第一加热机构(4),其对第一罐(2)内的组合物进行加热;第一流路(5),其从第一罐(2)向喷头(3)供给组合物;第二加热机构(6),其以比第一加热机构(4)高的加热温度对通过第一流路(5)内的组合物进行加热;第二流路(7),其使组合物从喷头(3)回流至第一罐(2);第二泵(8),其设于第一流路(5);和第一泵(9),其设于第二流路(7),第二加热机构(6)的加热温度与第一加热机构(4)的加热温度的温度差为65℃以下。
  • 液体喷出装置
  • [发明专利]R-T-B系永久磁铁-CN201710104730.X有效
  • 石山保;三轮将史;渡边贵志 - TDK株式会社
  • 2017-02-24 - 2019-05-07 - H01F1/057
  • 本发明提供一种R‑T‑B系永久磁铁,其特征在于:具有由R2T14B型化合物构成的主相颗粒,其中,R为稀土元素,T为以Fe或者Fe和Co作为必需元素的铁族元素,B为硼,上述主相颗粒的平均粒径为2.8μm以下,除R、T、B以外,至少含有C和Ga,B的含量为0.71质量%以上且0.86质量%以下,C的含量为0.13质量%以上且0.34质量%以下,Ga的含量为0.40质量%以上且1.80质量%以下,并且满足下述式(1)。0.14≤[C]/([B]+[C])≤0.30(1)其中,[B]是以原子%表示的B含量,[C]是以原子%表示的C含量。
  • 永久磁铁

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