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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]蚀刻组合物、蚀刻方法、半导体器件的制造方法和全环绕栅极型晶体管的制造方法-CN202180086742.9在审
发明人： 原田宪;铃木龙畅;阿部麻理 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种蚀刻组合物，其包含碳原子数为8以上的四级铵盐(A)，相对于硅锗，选择性地溶解硅。可以进一步包含螯合剂(B)。一种蚀刻方法，其使用该蚀刻组合物对包含硅和硅锗的结构体进行蚀刻。本发明提供可抑制硅锗的溶解、促进硅的溶解、硅相对于硅锗的选择性溶解性优异的蚀刻组合物；使用了该蚀刻组合物的蚀刻方法；半导体器件的制造方法和全环绕栅极型晶体管的制造方法。
蚀刻组合方法半导体器件制造环绕栅极晶体管

[发明专利]聚(3-羟基烷酸酯)的制造方法-CN202180069851.X在审
发明人： 原田宪;佐藤俊辅 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：在产生聚(3‑羟基烷酸酯)的微生物的培养中，使用油脂A及油脂B作为碳源，在上述培养整体中，油脂B的用量相对于油脂A与油脂B的合计用量为10重量％以上。油脂A：是指上述产生聚(3‑羟基烷酸酯)的微生物中的聚(3‑羟基烷酸酯)蓄积量达到16重量％为止所使用的油脂的总体，在油脂A整体中，作为构成脂肪酸的不饱和脂肪酸的平均含有比例为25重量％以上且小于75重量％。油脂B：油脂B中的作为构成脂肪酸的不饱和脂肪酸的含有比例该与油脂A整体中的不饱和脂肪酸的上述平均含有比例。
羟基烷酸酯制造方法

[发明专利]清洗液、清洗方法和半导体晶片的制造方法-CN201980055634.8在审
发明人：柴田俊明;河瀬康弘;原田宪;伊藤笃史;草野智博;竹下祐太朗 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及清洗液，其包含成分(A)：下述通式(1)所表示的化合物、成分(B)：烷基胺、成分(C)：多元羧酸、成分(D)：抗坏血酸，其中，成分(A)的质量相对于成分(B)和成分(C)的合计质量之比为1～15。(所述通式(1)中，R1、R2、R3分别与说明书中所记载的定义相同。)。
清洗方法半导体晶片制造

[发明专利]半导体器件用基板的清洗液、半导体器件用基板的清洗方法、半导体器件用基板的制造方法和半导体器件用基板-CN201880019482.1在审
发明人：柴田俊明;原田宪;草野智博;竹下祐太朗;河瀬康弘 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件用基板的清洗液，该清洗液的pH为8以上11.5以下，该清洗液含有：成分(A)：含有选自由下述通式(1)～(3)所表示的化合物组成的组中的至少一种的化合物；成分(B)：抗坏血酸；成分(C)：多元羧酸或羟基羧酸；成分(D)：pH调节剂；以及成分(E)：水。(所述式中，R¹～R⁶、R¹¹～R¹⁷和R²¹～R²⁸分别与说明书中记载的定义相同。)
半导体器件清洗液基板化合物组成多元羧酸抗坏血酸羟基羧酸式中清洗制造自由

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