专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种转炉和/或高炉煤气的脱碳方法-CN201810826875.5有效
  • 杨勇;戴乐亭;汪武平;侯俊平 - 戴乐亭;杨勇;汪武平;侯俊平
  • 2018-07-25 - 2020-08-21 - B01D53/047
  • 一种转炉和/或高炉煤气的脱碳方法,包括如下步骤:粗脱碳:采用变压吸附的方式对转炉和/或高炉煤气粗脱碳和去磷化氢;使经过变压吸附的转炉和/或高炉煤气的二氧化碳的体积分率为5.8‑6.2%,磷化氢的含量为1‑5PPM;精脱碳:使用MDEA溶液对经过步骤S1的转炉和/或高炉煤气脱碳,使转炉和/或高炉煤气的二氧化碳的体积分率为0.0015‑0.0019%。本发明的转炉和/或高炉煤气的脱碳方法,创造性的通过变压吸附粗脱碳和MDEA溶液精脱碳两步工序完成转炉和/或高炉煤气的脱碳,实现了转炉和/或高炉煤气脱碳的突破,对推动我国炼钢工业的技术进步和经济发展具有十分重要的意义。
  • 一种转炉高炉煤气脱碳方法
  • [发明专利]一种焦炉煤气与转炉和/或高炉煤气的脱碳方法-CN201810829336.7有效
  • 杨勇;戴乐亭;汪武平;侯俊平 - 戴乐亭;杨勇;汪武平;侯俊平
  • 2018-07-25 - 2020-08-04 - C10K1/00
  • 一种焦炉煤气与转炉和/或高炉煤气的脱碳方法,包括如下步骤:S1)、焦炉煤气与转炉和/或高炉煤气过滤、除杂,MDEA贫液加压;S2)、CO2分离;S3)、焦炉煤气与转炉和/或高炉煤气净化;S4)、MDEA贫液循环再生。本发明的焦炉煤气与转炉和/或高炉煤气的脱碳方法,具有吸收速率快、吸收能力大和净化度高等优点,不仅可用于脱除二氧化碳,也可用于脱除硫化物,因此有着广泛的应用及发展前景,同时,创造性的通过变压吸附粗脱碳和MDEA溶液精脱碳两步工序完成转炉和/或高炉煤气的脱碳,实现了转炉和/或高炉煤气脱碳的突破,对推动我国炼化工业的技术进步和经济发展具有十分重要的意义。
  • 一种焦炉煤气转炉高炉煤气脱碳方法
  • [发明专利]一种焦炉煤气除氧精脱硫的方法-CN201810829320.6有效
  • 杨勇;戴乐亭;汪武平;侯俊平 - 戴乐亭;杨勇;汪武平;侯俊平
  • 2018-07-25 - 2020-06-23 - B01D53/48
  • 一种焦炉煤气除氧精脱硫的方法,包括如下步骤:S1)、换热升温,S2)、预加氢转化和一级加氢转化,S3)、一级脱硫,S4)、二次换热升温,S5)、二级加氢转化,S6)、二级精脱硫。本发明的焦炉煤气除氧精脱硫的方法,采用两级焦炉煤气加氢除氧精脱硫工艺,利用一级加氢除氧脱硫工段将焦炉煤气中的大部分有机硫转化成H2S,将大部分氧加氢脱除,将大部分不饱和烃加氢饱和,同时将其它杂质进行处理;经过处理的焦炉煤气再进入二级加氢除氧精脱硫工段,将残余的有机硫、不饱和烃、微量氧等杂质进行二次深度加氢转化及处理,实现焦炉煤气深度净化。
  • 一种焦炉煤气脱硫方法
  • [发明专利]一种掩膜板及孤立孔寻址图形在测量中的应用方法-CN201510367319.2有效
  • 王艳云;毛智彪;罗华明;汪武平;陈晓强 - 上海华力微电子有限公司
  • 2015-06-29 - 2018-02-27 - G06F17/50
  • 本发明公开了一种掩膜板及孤立孔寻址图形在测量中的应用方法,通过在掩膜板上制作一系列间距变化、大小变化、样式变化的孤立孔寻址图案以及密集孔寻址参考图案,可建立适合于不同节点、不同尺寸、能够借助在孤立孔图形区域设置优选寻址方式的孤立孔自动测量方法,优化了包括孤立孔自动测量过程中寻址图形距离、样式、大小等工艺条件,以满足孤立孔测量的精确性、稳定性要求,可配合密集孔像散矫正图形,提高测量的清晰度,同时,配合密集孔图形寻址间距、尺寸作为参考,通过比较数据找到孤立孔图形最优测量方式,可在线监控光刻工艺孤立孔尺寸情况,以提高线宽测量扫描电镜自动测量成功率,减少产品因孔洞尺寸测量失真而造成的风险。
  • 一种孤立寻址图形设计及其测量中的应用
  • [发明专利]光刻工艺曝光焦距的监测方法-CN201510680498.5在审
  • 汪武平;毛智彪;杨正凯 - 上海华力微电子有限公司
  • 2015-10-19 - 2015-12-09 - G03F7/20
  • 本发明提供了一种光刻工艺曝光焦距的监测方法,包括:第一步骤:提供具有相位转移特性的基准套刻标记的掩模版;第二步骤:通过光刻工艺,将所述基准套刻标记转移到产品晶圆的光刻胶上以形成光阻图形;第三步骤:通过掩模版的相位转移特性,把曝光机的焦距变化转移到与曝光机焦距方向正交的方向上的距离变化;第四步骤:量测光阻图形的与曝光机焦距方向正交的方向上的距离变化;第五步骤:根据掩模版的相位转移特性确定的所述焦距变化与所述距离变化之间的对应关系,利用第四步骤量测到的距离变化确定光阻图形的套刻精度的偏移,从而确定曝光机曝光过程中的焦距的偏移情况。
  • 光刻工艺曝光焦距监测方法

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