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[发明专利]一种氮化硅粉体的合成方法-CN202310049031.5有效
发明人：王斌;葛荘;丁颖颖;崔梦德;余祖森 -专利权人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅粉体技术领域，具体为一种氮化硅粉体的合成方法；本发明所提供的氮化硅合成工艺首先使用了球磨处理，降低原料的粒径，去除表面氧化层，加速氮气的渗入速率，加速氮化反应，之后使用金属催化剂与熔融盐，在高温下吸附在硅粉表面，加速氮气的吸附，进一步地提高氮化速率，且本发明所使用的金属催化剂与熔融盐，均可溶于浓度为20‑30wt％的硝酸溶液，进一步地去除了杂质元素；之后本申请进一步地在其表面接枝氨基活性基团，生成活性自由基，从而接枝甲基丙烯酸甲酯，增加氮化硅的分散性能。
一种氮化硅粉体合成方法

[发明专利]一种用于银烧结的复合焊片结构及其制备方法-CN202211735959.0有效
发明人：王斌;欧阳鹏;朱凯;张进;葛荘 -专利权人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于银烧结的复合焊片结构及制备方法，涉及半导体制备技术领域，旨在解决目前纳米银浆制备成本高，可靠性低的问题，其技术方案要点是：一种用于银烧结的复合焊片结构，包括自上而下依次设置的银盐复合膜层、银箔层、银盐复合膜层。本发明的一种用于银烧结的复合焊片结构及制备方法，制备成本低，能够提高Ag连接的可靠性。
一种用于烧结复合结构及其制备方法

[发明专利]一种用于芯片烧结时表面压力测量装置及测量方法-CN202310513972.X有效
发明人：王斌;陈慧龙;周轶靓;季成龙;张鹏 -专利权人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于芯片烧结时表面压力测量装置及测量方法，涉及压力测量领域，旨在解决芯片烧结时的压力测量，其技术方案要点是：至少有上加热板和下加热板，位于上加热板和下加热板四周的限位板，由限位板和上加热板以及下加热板形成用于放置具有芯片的基板的腔室，基板位于下加热板上，在基板与上加热板之间安置有装有液态金属的塑胶袋，所述塑胶袋密封连接溢流管，溢流管依次连接有止回阀、冷却装置、液体流量计、回收泵、止回管，止回管的另一端连接至塑胶袋使其形成回路；上加热板连接有驱动装置下压塑胶袋。本发明的一种用于芯片烧结时表面压力测量装置及测量方法能够准确测量芯片烧结时其表面压力并且能够反复使用。
一种用于芯片烧结表面压力测量装置测量方法

[发明专利]一种电路元件的散热模块-CN202211699021.8有效
发明人：王斌;周轶靓;季成龙;陈慧龙;张鹏 -专利权人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明公开了一种电路元件的散热模块，涉及水冷散热领域，旨在解决芯片发热即时温度过高的问题，其技术方案要点是：一种电路元件的散热模块，包括整体形成密封结构的顶部盖板、中间热缓冲层以及底板，所述顶部盖板为平面结构用于直接与电路元件接触接收热量，所述中间热缓冲层具有若干凹槽结构，所述底板与中间热缓冲层之间形成冷却通道，所述冷却通道两端设置有出入口用于进行水循环冷却流动；所述凹槽内置有固液相变材料，所述固液相变材料由固态到液体相互转变，伴随相变潜热，固液相变材料温度在完全溶解前保持不变。本发明的一种电路元件的散热模块，能够先对局部进行降温，平缓温度梯度。
一种电路元件散热模块

[发明专利]一种砂磨机与球磨机联用制备陶瓷浆料的方法-CN202210807940.6有效
发明人：王斌;贺贤汉;葛荘;崔梦德;王榕;张进 -专利权人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明公开一种砂磨机与球磨机联用制备陶瓷浆料的方法。将干燥的陶瓷粉体和烧结助剂与单一有机溶剂混合加入砂磨机研磨；研磨的同时进行胶体预溶，节省了时间；研磨结束后，将陶瓷浆料脱泡到所需固含量；再根据固含量将所需的陶瓷浆料送入球磨罐中，加入预溶的胶体、塑化剂和溶剂放入球磨机中球磨。这样联用砂磨机和球磨机一起制备陶瓷浆料，不再受限于浆料粘度，适用范围广；能够将制备时间缩短30％以上，得到的陶瓷浆料窄的粒度范围、D50可达到200nm左右，大大提高了效率，同时制得的陶瓷浆料更加均匀；通过在特定的真空环境下脱泡来代替干燥后破碎，能有效避免杂质的引入。
一种砂磨球磨机联用制备陶瓷浆料方法

[发明专利]一种陶瓷覆铝基板的制备方法及其制备的陶瓷覆铝基板-CN202310799689.8在审
发明人：唐冬梅;窦正旭;王斌;贺磊 -专利权人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷覆铝基板的制备方法及其制备的陶瓷覆铝基板，涉及半导体领域，旨在解决陶瓷覆铝基板制备复杂的问题，其技术方案要点是：步骤一：采用CAPD工艺，在真空炉内将靶材和铝箔作为双阴极，在铝箔上施加偏压，挡板将靶材遮挡，接通电源后产生辉光放电，使氩气电离成等离子状态，轰击铝箔，铝箔的氧化层在氩离子轰击下发生破碎去除；将挡板移除，以钛靶作为阴极，氩离子轰击靶材溅射出的钛沉积至铝箔表面形成钛层；步骤二：将铝箔沉积钛活性金属层的一面与陶瓷表面贴合叠片，加压烧结，使陶瓷与铝箔焊接。本发明的一种陶瓷覆铝基板的制备方法及其制备的陶瓷覆铝基板工艺简单成本低，质量高。
一种陶瓷覆铝基板制备方法及其

[发明专利]一种双面冷却激光器芯片封装结构及其制备方法-CN202310628428.X在审
发明人：王斌;张鹏;周轶靓;朱凯;季成龙 -专利权人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明属于工业设计领域，尤其涉及高功率芯片散热改善，具体是一种双面冷却激光器芯片封装结构及其制备方法。本发明通过将激光器芯片嵌入陶瓷基板，得到了一种激光器芯片用双面冷却封装设计。本发明设计的双面冷却封装结构能够将激光器芯片所产生的热量经过与其接触的双面基板芯片扩散到热沉，显著增强激光器芯片的散热能力。另外，这种无引线键合结构，可以做到无需打线键合就能进行线路导通使激光器发光，能够消除因为键合线工艺产生的疲劳效应，从而提高封装的可靠性。
一种双面冷却激光器芯片封装结构及其制备方法

[发明专利]一种基于DPC工艺的电子烟加热片及其制备方法-CN202211030344.8有效
发明人：王斌;贺贤汉;余祖森;葛荘;孙泉 -专利权人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： A24F40/46 文献下载
摘要：本发明提供一种基于DPC工艺的电子烟加热片及其制备方法，通过引入DPC工艺中的磁控溅射、采用激光调阻法及自制保护膜，有效解决现有的电子烟加热片中加热膜层厚度不均、印刷线路不够精细等问题，从而解决了加热片发热不均匀的问题；在自制保护膜的制备中，苯甲酰甲酸甲酯为引发剂，二缩三丙二醇二丙烯酸酯为稀释剂，酚醛环氧树脂与脂肪族聚氨酯丙烯酸酯为预聚物，光伏晶硅废料为填料，制备一种耐高温易剥离的保护膜，大幅提升保护膜与铜面的结合力，同时兼具易剥离效果，得到高精度的电镀尺寸；在预聚物中加入酸酐修饰的壳聚糖；用光伏晶硅废料为原料，变废为宝，添加高导热氮化硼，通过冰模板法、高温烧结的方法构建三维的网络骨架，得到填料。
一种基于 dpc 工艺电子加热及其制备方法

[发明专利]一种功率半导体器件热压烧结装置-CN202211077210.1有效
发明人：周轶靓;贺贤汉;陈慧龙;王斌;朱凯;张鹏 -专利权人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件热压烧结装置，包括电控柜，所述压合结构由压合板和形变元件组成，所述形变元件位于压合板内部，所述可形变元件一侧设有隔热层，所述可形变元件外壁固定连接有限位点，所述隔热层顶部固定连接有第一压力传感器，所述压合板顶部固定连接有金属层。本发明通过在压合板内部设置形变元件，在压合板内部设置隔热层，在形变元件底端设置冷却层，在载物台内部设置冷区槽，在冷区槽内部设置可拔插式导热支撑柱，使冷区槽内部温度可传导到可拔插式导热支撑柱上，本发明中，可以实现烧结过程中施加均匀、稳定的压力，并实现加热、冷却功能。设备一体化，简化了烧结流程，提高了作业效率。
一种功率半导体器件热压烧结装置

[发明专利]一种陶瓷发热体及其制备方法-CN202310457672.4在审
发明人：王斌;窦正旭;唐冬梅;贺磊 -专利权人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H05B3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷发热体及其制备方法，涉及陶瓷发热片领域，旨在解决目前陶瓷发热片制备工艺和材料选型比较受限的问题，其技术方案要点是：一种陶瓷发热体，包括两片通过钎焊工艺烧结成一体的陶瓷绝缘基板，两片陶瓷绝缘基板与钎焊料之间形成密封线路且内置有发热线路。本发明的一种陶瓷发热体及其制备方法在保证发热金属和陶瓷之间优良的结合强度以及发热金属密封性的前提下，拓宽了发热金属的材质选择性并减少了工艺流程。
一种陶瓷发热及其制备方法

[发明专利]一种加热不燃烧电子烟陶瓷发热片及其制备方法-CN202210777082.5有效
发明人：窦正旭;贺贤汉;唐冬梅;王斌;孙泉;苏世根;朴延瑢;余祖森 -专利权人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： A24F40/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种加热不燃烧电子烟陶瓷发热片及其制备方法，包括陶瓷底片、电阻浆料、保护釉、金属电极。本发明中通过创新性的工艺搭配，改变了发热层和陶瓷的结合原理，避免了多次的丝网印刷和隧道炉烧结，简化了工艺流程；同时因电阻层中未使用钯、钌、铂、金等贵金属以及常规的玻璃粉粘结相，大幅降低了生产成本；可将导电性能优良的金属镍、铜、金等镀至指定位置作为电极；可直接通过活性金属钎焊技术紧密结合在陶瓷基板上，该方法突破了用空气烧结耐氧化贵金属作为电阻层的设计思路，并省去了常规电阻层中的粘结相材料，为开发更多价格低廉的合金电阻体系提供了可能，对陶瓷发热材料的设计和制造具有重要意义。
一种加热燃烧电子陶瓷发热及其制备方法

[发明专利]一种SiC器件模块封装的制备方法-CN202211127666.4有效
发明人：欧阳鹏;贺贤汉;王斌;武威;刘洋;丁慕禹 -专利权人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC器件模块封装的制备方法。包括以下步骤：步骤一：制备一种具有镶嵌式的Cu‑Sn封装焊片，步骤二：覆铝氮化铝陶瓷基板表面处理，步骤三：冷却板TLP连接，步骤四：碳化硅芯片TLP连接，步骤五：灌封。本发明通过制备一种具有镶嵌式的Cu‑Sn封装焊片来作为连接材料以及使用覆铝氮化铝陶瓷基板来替代传统的DBC或AMB陶瓷基板，解决了功率模块在高温恶劣的环境下工作可靠性不足，导致器件难以位置正常工作的问题；同时，制备的环氧树脂具有较强的耐高温性能，抗冲击性能，进一步提高了功率模块器件的可靠性。
一种 sic 器件模块封装制备方法

[发明专利]一种铝-金刚石封装基板的制备方法及其复合材料-CN202310683343.1有效
发明人：王斌;欧阳鹏;高远;张进 -专利权人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B32B37/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝‑金刚石封装基板的制备方法及其复合材料，涉及半导体领域，旨在提供一种强散热的铝‑金刚石封装基板，其技术方案要点是：S1、涂覆金刚石预制体制备：取铝硅合金箔单面涂覆胶黏剂，将金刚石粉的单颗粒通过丝网网孔粘附在胶黏剂上，制备单面涂覆单层金刚石铝硅合金箔预制体记为A，取铝片清洗备用，记为B；S2、铝‑金刚石复合体制备：将步骤S1的A与B相互间隔，按照B/A/B/A…/B进行多片叠合，置于冷压机中进行垂直方向加压冷压；S3、铝‑金刚石复合体低温排胶；S4、致密化钎焊烧结；S5、表面镀。本发明的一种铝‑金刚石封装基板的制备方法及其复合材料制备的材料散热性能好。
一种金刚石封装制备方法及其复合材料

[发明专利]一种IGBT用铝-金刚石封装底板的制备方法-CN202310683301.8有效
发明人：蹇满;欧阳鹏;高远;王斌;刘井坤 -专利权人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT用铝‑金刚石封装底板制备方法，涉及半导体制备领域，旨在解决铝‑金刚石封装底板制备困难的问题，其技术方案要点是：（1）单层铝‑金刚石薄片制备：制备铝‑金刚石浆料，采用刮涂工艺将浆料均匀的填充于石墨刮板槽中，热风烘干，整体置于真空炉中进行固化烧结，随炉冷却取出；（2）多层复合烧结：取单层铝‑金刚石薄片上下表面微米级镀层涂覆，将多片铝‑金刚石薄片叠合，置于加压烧结炉中进行多层复合烧结；（3）表面处理：进行冷喷涂铝层、表面研磨、清洗烘干备用；（4）表面镀：化学镍金。本发明的一种IGBT用铝‑金刚石封装底板制备方法能够制备高散热、高可靠性的封装底板。
一种 igbt 用铝金刚石封装底板制备方法

[发明专利]一种氮化硅生坯的干燥方法-CN202310589263.X在审
发明人：王斌;葛荘;丁闯;丁颖颖;何竟宇 -专利权人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： F26B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅生坯的干燥方法，涉及氮化硅制备领域，旨在解决干燥质量不高的问题，其技术方案要点：测量初始高度H1，升温速率V1升温，固定时间t，测量生坯高度，数据为H2、H3、H4、…、Hn，生坯高度变化率K1＝(H2‑H1)/t；K2＝(H3‑H2)/t；K3＝(H4‑H3)/t；Kn‑1＝(Hn‑Hn‑1)/t；当Kn‑1＞Kn时，用时T＝nt；升温速率V2升温，记录生坯变化值，生坯在固定时间t内不发生变化，维持温度保温，半小时取出，多次实验，取均值后获得干燥曲线，同批次的生坯采用干燥曲线干燥。本发明的干燥方法能够准确获得干燥温度曲线，干燥效果好，效率高。
一种氮化生坯干燥方法

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