专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种CdSe/CdS纳米棒、偏振薄膜及其制备方法-CN201610904391.9有效
  • 覃辉军;刘政;杨一行 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2016-10-18 - 2020-06-23 - G02B5/30
  • 本发明公开一种CdSe/CdS纳米棒、偏振薄膜及其制备方法,其中,所述偏振薄膜的制备方法包括步骤:预先制备好CdSe/CdS纳米棒溶液,再采用匀浆机将CdSe/CdS纳米棒溶液旋涂在ITO玻璃片衬底上,最后将所述旋涂样品放在真空干燥箱中进行干燥后,制得偏振薄膜。本发明制备的基于CdSe/CdS纳米棒的偏振薄膜,具有量子产率高、发光效率高以及稳定性好等优点,并且CdSe/CdS纳米棒的过度偶极子沿着纳米棒的长轴排列,能使光产生偏振发射,因而可作为一种较佳的偏振光源,通过采用本发明的基于CdSe/CdS纳米棒的偏振薄膜来作为背光源,使得量子点电视可有效实现光输出,不需要通过增加偏振片来控制光的输出,从而避免能量损失并且简化背光源组件结构。
  • 一种cdsecds纳米偏振薄膜及其制备方法
  • [发明专利]一种水溶性量子点及其制备方法-CN201611179115.7有效
  • 程陆玲;杨一行 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2016-12-19 - 2020-06-23 - C09K11/88
  • 本发明公开一种水溶性量子点及其制备方法,包括步骤:首先将表面含有油溶性配体的油溶性量子点溶解到非极性溶剂中,得到油溶性量子点溶液;然后将油溶性量子点表面的油溶性配体加入到油溶性量子点溶液中,并搅拌至油溶性配体充分溶解在油溶性量子点溶液中;接着将水加入到上述含有油溶性配体的油溶性量子点溶液中,溶液分层;最后对分层的溶液进行超声,直到油溶性量子点溶于水中,对水中的油溶性量子点进行离心分离、过滤,得到水溶性量子点。利用本发明上述方法不仅可以解决常规方法引起的量子点的荧光强度下降、稳定性不好以及电化学特性受到破坏等问题,而且还可以提高量子点本身的荧光强度以及稳定性。
  • 一种水溶性量子及其制备方法
  • [发明专利]一种量子点的制备方法-CN201811432312.4在审
  • 程陆玲;杨一行 - TCL集团股份有限公司
  • 2018-11-28 - 2020-06-05 - C09K11/02
  • 本发明公开一种量子点的制备方法,其中,包括步骤:提供一种复合材料,所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子;对所述复合材料中的PAMAM树形分子末梢官能团进行改性处理,使PAMAM树形分子中的胺基转变为油溶性基团,得到油溶性复合材料;将所述油溶性复合材料和初始量子点在非极性溶剂中混合,使油溶性复合材料中的金属离子电离后与初始量子点表面的阳离子空位配位结合,得到所述量子点。通过本发明方法能够制得表面阳离子缺陷较少的量子点,将所述量子点作为量子点发光二极管的量子点发光层材料,可以有效提高量子点发光二极管的荧光强度。
  • 一种量子制备方法
  • [发明专利]一种量子点的制备方法-CN201811432402.3在审
  • 程陆玲;杨一行 - TCL集团股份有限公司
  • 2018-11-28 - 2020-06-05 - C09K11/02
  • 本发明公开一种量子点的制备方法,其中,所述量子点的制备方法包括步骤:提供复合材料,所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子;对所述复合材料中的PAMAM树形分子末梢官能团进行改性处理,使PAMAM树形分子中的胺基转变为油溶性基团,得到油溶性复合材料;将所述油溶性复合材料加入到量子点生长反应体系中混合,得到所述量子点。本发明能够实现将金属离子均一地掺杂到量子点中,制得未发生晶格错位且质量较佳的量子点,所述金属离子的均一掺杂能够有效改善量子点的能级宽度进而改变量子点的吸收光谱和发光光谱。
  • 一种量子制备方法
  • [发明专利]一种合金纳米材料、制备方法及半导体器件-CN201611257332.3有效
  • 杨一行;刘政;钱磊 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2016-12-30 - 2020-05-26 - H01L51/50
  • 本发明公开一种合金纳米材料、制备方法及半导体器件,所述合金纳米材料包含N个在径向方向上依次排布的合金纳米结构单元,其中N≥2;所述合金纳米结构单元包括A1和A2类型,所述A1类型为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构;所述A2类型为径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构;所述合金纳米材料中,各合金纳米结构单元的分布为A1类型的合金纳米结构单元和A2类型的合金纳米结构单元交替分布;且相邻的合金纳米结构单元的能级是连续的。本发明不仅实现了更高效的发光效率,同时也更能满足QLED器件及相应显示技术对合金纳米材料的综合性能要求,是一种适合QLED器件及显示技术的理想材料。
  • 一种合金纳米材料制备方法半导体器件
  • [发明专利]一种纳米晶体、制备方法及半导体器件-CN201611255821.5有效
  • 刘政;杨一行;钱磊 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2016-12-30 - 2020-05-22 - H01L33/06
  • 本发明公开一种纳米晶体、制备方法及半导体器件。所述纳米晶体包含S个位于中心的中心结构单元和N个位于中心外的环绕结构单元,所述中心结构单元与环绕结构单元均为量子点结构单元;所述中心结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构;所述N个环绕结构单元由M个第一环绕结构单元以及(N‑M)个第二环绕结构单元组成,所述M个第一环绕结构单元为径向方向上能级宽度一致的均一组分结构,第二环绕结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构;至少有一个第一环绕结构单元位于第二环绕结构单元与中心结构单元之间,相邻的中心结构单元的能级是连续的,相邻的第二环绕结构单元也是连续的。
  • 一种纳米晶体制备方法半导体器件
  • [发明专利]一种量子点及其制备方法-CN201610801814.4有效
  • 覃辉军;杨一行 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2016-09-05 - 2020-05-22 - C09K11/56
  • 本发明公开一种量子点及其制备方法,方法包括步骤:首先制备固态纤维膜,然后将制备好的固态纤维膜放入阳离子前驱体溶液中进行交联,接着将阴离子前驱体注入交联后的固态纤维膜中进行反应,得到量子点;其中,所述固态纤维膜的尺寸为纳米级或微米级。本发明以固态纳米纤维作为微反应器,反应温度较低,量子点能在固‑液界面处迅速形核并生长,量子点的尺寸可以通过控制固态纤维膜的尺寸或者反应温度来进行调节。另外,用作微反应器的固态纳米纤维膜还可以反复被利用,大大地节约了成本。此外,该方法操作简单,易于重复并且可用于制备油溶性量子点。
  • 一种量子及其制备方法
  • [发明专利]量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件-CN201710464477.9有效
  • 向超宇;钱磊;曹蔚然;杨一行 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2017-06-19 - 2020-05-05 - H01L51/50
  • 本发明公开量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件,方法包括步骤:将量子点与载体混合于溶剂中,得到混合液;通过溶液法将混合液制成含量子点与载体的混合薄膜;在混合薄膜完全干燥前,进行抽真空处理;在抽真空过程中进行HHIC处理,使得量子点与载体之间发生交联,得到量子点与载体交联的混合薄膜;其中,所述载体为聚合物和小分子中的一种或两种。本发明在溶液成膜过程中,进行抽真空处理(为常规的慢速抽真空)。在抽真空过程中,薄膜完全干燥前,进行HHIC交联处理,固定溶质的相对位置。增加相分离所需要的能量,可以制备均匀的薄膜,减小抽速的要求,有效避免了传统加热交联方法使混合薄膜出现分布不均的问题。
  • 量子载体交联混合薄膜制备方法qled器件

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