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[发明专利]一种粉末涂料生产用高效粉磨设备-CN202011269686.6有效
发明人：夏连心;方志望;朱满子;李时雨 -专利权人：湖南连心科技有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： B02C2/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种粉末涂料生产用高效粉磨设备，包括底座、自上而下设置在底座上端的初步磨粉机构、选粉机构、超细研磨机构和设置于底座下端用于驱动上述机构运动的驱动机构；所述初步磨粉机构包括初级研磨腔、转动设置于初级研磨腔内的转轴和设置于转轴上的研磨辊，所述初级研磨腔的侧壁固定安装有与研磨辊配合的磨辊环，通过初步磨粉机构和超细研磨机构的相互配合使得粉末能够研磨的更加细致，通过在初步磨粉机构和超细研磨机构之间增加了选粉机构能够对较粗的原料进行筛选的同时也能对进料进行控制，不会产生堆积的情况，实现了均匀进料的功能，而且三个机构都是由同一个驱动机构驱动，经济性较高。
一种粉末涂料生产高效设备

[发明专利]单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体晶片-CN202111284481.X在审
发明人： 李时雨;金炳鈗 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供用于单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体CMOS晶片以用于形成竖直三维3D存储器的系统、方法和设备。一种用于形成用于存储器单元的形成的竖直堆叠层的阵列的实例方法包含：提供硅衬底；将单晶硅锗层形成到所述衬底的表面上；外延地生长所述硅锗以形成较厚的硅锗层；将单晶硅层形成到所述硅锗的表面上；外延地生长所述硅锗以形成较厚的硅层；以及在重复叠加中，形成硅锗层和硅层以形成交替的硅层和硅锗层的竖直堆叠。
单晶硅堆叠形成接合互补金属氧化物半导体晶片

[发明专利]用于环保型涂料粉末定量分装设备-CN202010936581.5有效
发明人：夏连心;方志望;朱满子;李时雨 -专利权人：湖南连心科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： B65B43/52 文献下载
摘要：本发明公布了用于环保型涂料粉末定量分装设备，属于涂料粉末包装技术领域，它包括包装件输送机构、分装机构和转运机构，包装件输送部分包括第一输送带和第二输送带，第一输送带将空的包装件输送到分装机构进行装料，装料完成的包装件通过转运机构转运到第二输送带并被输送到下一工序；分装机构包括分装下料件，分装下料件内设置有可振动的筛板，分装下料件下端设置有下料通道，下料通道处设置有电磁阀门，下料通道下方设置有电子秤；转运机构包括底板，底板上设置有步进电机，步进电机竖直向上的输出轴连接有转轴，转轴上环形阵列设置有第一连接件，第一连接件外端通过电磁铁连接有第二连接件并可随时断开连接，第二连接件一端连接支撑。
用于环保涂料粉末定量分装设备

[发明专利]用于垂直三维(3D)存储器的单晶水平存取装置-CN202111112907.3在审
发明人：刘海涛;李时雨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请案涉及用于垂直三维(3D)存储器的单晶水平存取装置。一种垂直堆叠的存储器单元阵列具有水平定向的存取装置，所述水平定向的存取装置具有通过沟道区分离的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区及与所述沟道区对置的栅极，所述垂直定向的存取线耦合到所述栅极且通过栅极电介质与沟道区分离。所述存储器单元具有外延生长单晶硅以填充第一水平开口且收容与导电材料电接触的第一源极/漏极且形成整体水平定向的导电数字线的部分。所述存储器单元还具有耦合到所述第二源极/漏极区的水平定向的存储节点及耦合到所述第一源极/漏极区的水平定向的数字线。垂直主体接点经形成为与所述水平定向的存取装置中的一或多者的主体区直接电接触且通过电介质与所述第一源极/漏极区及所述水平定向的数字线分离。
用于垂直三维存储器水平存取装置

[发明专利]一种环保型涂料研磨分散设备-CN202010934731.9有效
发明人：夏连心;方志望;朱满子;李时雨 -专利权人：湖南连心科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B02C17/16 文献下载
摘要：本发明公布了一种环保型涂料研磨分散设备，它包括机架底座和设置在机架底座下方的支脚，机架底座上方设置有研磨外筒，研磨外筒内同心设置有研磨内筒；研磨内筒开口朝下，且其上部中心连接有旋转轴，旋转轴另一端设置在旋转驱动机构上；研磨外筒顶部与研磨内筒上部之间设置有密封边，研磨外筒一侧设置有进料口，进料口与泵浦相连；研磨外筒内壁上设置有外筒研磨边，研磨内筒外壁设置有与外筒研磨边相配合的内筒研磨边；本发明装置可以实现研磨分散一体同步加工，在研磨的过程中还能对已经研磨完成的涂料进行搅拌分散，最后通过落料管自动出料，实现整个过程持续化加工，大大提高了涂料的加工效率。
一种环保涂料研磨分散设备

[发明专利]一种用于粉末涂料制备的挤出机进料装置-CN202010936582.X有效
发明人：夏连心;方志望;朱满子;李时雨 -专利权人：湖南连心科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B29B7/60 文献下载
摘要：本发明适用于挤出机领域，提供了一种用于粉末涂料制备的挤出机进料装置，包括电机、送料箱、外罩以及内罩，电机输出端连接有转轴，转轴贯穿送料箱、外罩以及内罩并固定连接内罩；送料箱上设置有倒料口与下料口，内罩上端靠近下料口下方位置设置有环形通孔；内罩内壁具备可让涂料沿内罩内壁滚落向下的倾斜角度，内罩设置在外罩之中且两者之间转动设置有多圈滚动件，转轴处于内罩中一段还连接设置有挤压部，挤压部贴近内罩内壁设置，靠近内罩下方位置设置有进料口；外罩外壁设置有振动装置，振动装置可使内罩产生振动，本发明中提供的装置可以避免挤出机进料口堵死，并进一步提升对结块物料的捣碎效率。
一种用于粉末涂料制备挤出机进料装置

[发明专利]关于垂直3D存储器的三节点存取装置形成的栅极电介质修复-CN202110994278.5在审
发明人： J·A·斯迈思三世;G·S·桑胡;A·赛伊迪·瓦赫达;李时雨;S·E·西里斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本公开涉及关于垂直3D存储器的三节点存取装置形成的栅极电介质修复，提供一种用于形成具有水平定向的存取装置及垂直定向的存取线的垂直堆叠的存储器单元阵列的方法，其包含沉积电介质材料及牺牲材料的交替层以形成垂直堆叠。形成多个第一垂直开口以在该垂直堆叠中形成伸长垂直立柱。在该多个第一垂直开口中保形地沉积栅极电介质，并在其上形成导电材料。移除该导电材料的部分以形成多个存取线。修复该栅极电介质的第一侧。形成第二垂直开口以暴露邻近该牺牲材料的第一区的侧壁。选择性移除该第一区中的该牺牲材料以形成第一水平开口。修复该栅极电介质的第二侧。在该第一水平开口中沉积第一源极/漏极区、沟道区及第二源极/漏极区。
关于垂直存储器节点存取装置形成栅极电介质修复

[发明专利]一种预制楼梯构件生产线及其生产方法-CN202111536142.6在审
发明人：鲁先辉;阎红;曾诚;王彪;张民春;李时雨;喻威;谷香;吴亚萍;周昌 -专利权人：湖南东方红新型建材有限公司;湖南东方红装配式建筑科技有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： B28B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种预制楼梯构件生产线及其生产方法，生产线包括模台、固定于模台上的支撑架、沿支撑架宽度反向固定的踏步成型模和其两端的盖模、固定侧模、调节侧模、伸缩装置和振动器；模台包括底架和其宽度方向两侧的侧架；支撑架固定于模台的底架上，踏步成型模以踏步面倒扣于支撑架上，固定侧模连接固定于踏步成型模一侧，调节侧模滑动连接于踏步成型模另一侧；伸缩装置设置于调节侧模和模台的侧架之间，振动器固定于踏步成型模底面。本发明可进行楼梯自动化生产，自动振捣，自动抹面，可减少由于个人技术差异而引起的楼梯质量缺陷；极大的提高了楼梯的生产效率；能生产不同尺寸的楼梯。
一种预制楼梯构件生产线及其生产方法

[实用新型]一种建筑工程用测量装置-CN202121761074.9有效
发明人： 李时雨;欧勇;卢江;李锦浩;郭强;刘岸 -专利权人：湖南东方红建设集团有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G01C15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种建筑工程用测量装置，包括有支撑板，所述支撑板上安装有固定箱，还包括有定位组件，定位组件安装在固定箱内，用于提测量时的稳定性，以及测量组件，测量组件包括有驱动电机，驱动电机与主动卷轮连接，所述测量绳卷绕在主动卷轮上，测量绳通过多个从动卷轮的导向延伸至固定箱外，所述牵引块安装在测量绳的一端，所述支撑板上安装有水平仪，可在测量前保证测量的准确性，在测量时，通过拉动测量绳子，主动卷轮通过防线即可实现对建筑场地的测量，测量结束后通过驱动电机驱动主动卷轮转动即可实现完成对测量绳的收卷，通过将测量绳收卷至固定箱内，可以对测量绳起到保护作用，避免测量绳丢失。
一种建筑工程测量装置

[发明专利]包含半导电柱结构的微电子装置以及相关方法和电子系统-CN202110916747.1在审
发明人： 李时雨;S·L·莱特;郭松 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请案涉及包含半导电柱结构的微电子装置以及相关方法和电子系统。微电子装置包括半导电柱结构，所述半导电柱结构各自个别地包括横向安置在两个存储节点接触区之间的数字线接触区。所述半导电柱结构中的至少一个半导电柱结构包括：包括第一存储节点接触区的第一末端部分、包括第二存储节点接触区的第二末端部分，以及在所述第一末端部分与所述第二末端部分之间且包括数字线接触区的中间部分，所述第一末端部分的纵向轴线相对于所述中间部分的纵向轴线成角度地定向。还描述相关的微电子装置、电子系统和方法。
包含导电结构微电子装置以及相关方法电子系统

[发明专利]包含半导电支柱结构的微电子装置与相关方法及电子系统-CN202110923596.2在审
发明人： F·D·菲什伯恩;李时雨;S·L·莱特;郭松 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及包含半导电支柱结构的微电子装置与相关方法及电子系统。一种微电子装置包括：半导电支柱结构，其包括中央部分、第一末端部分及在所述中央部分的与所述第一末端部分相对的侧上的第二末端部分，所述第一末端部分相对于所述中央部分成一定角度定向且基本上平行于所述第二末端部分延伸；数字线触点，其在所述半导电支柱结构的所述中央部分上；第一存储节点触点，其在所述第一末端部分上；及第二存储节点触点，其在所述第二末端部分上。还描述相关微电子装置、电子系统及方法。
包含导电支柱结构微电子装置相关方法电子系统

[发明专利]用于半导体装置的数字线及主体接触件-CN202110585269.0在审
发明人： 李时雨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请案涉及用于半导体装置的数字线及主体接触件。提供用于具有水平定向的存取装置、垂直定向的存取线的垂直堆叠的存储器单元阵列的系统、方法及设备，其中所述水平定向的存取装置具有通过沟道区分离的第一源极/漏极区及第二源极漏极区、及与所述沟道区对置的栅极，所述垂直定向的存取线耦合到所述栅极且通过栅极电介质与沟道区分离。所述存储器单元具有耦合到所述第二源极/漏极区的水平定向的存储节点及耦合到所述第一源极/漏极区的水平定向的数字线。垂直主体接触件经形成与所述水平定向的存取装置中的一或多者的主体区直接电接触且通过电介质与所述第一源极/漏极区及所述水平定向的数字线分离。
用于半导体装置数字主体接触

[发明专利]竖直三维(3d)存储器的三节点存取装置-CN202110654935.1在审
发明人： 李时雨;J·A·斯迈思三世;S·E·西里斯;G·S·桑胡;A·赛伊迪·瓦赫达 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于形成竖直堆叠式存储器单元的阵列的方法，阵列具有水平取向的存取装置和竖直取向的存取线，其包括：在重复迭代中沉积电介质材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠，其中牺牲材料的第一部分位于竖直堆叠的、在其中形成通过沟道区域横向分隔开的第一和第二源/漏区域的第一区域中；使用蚀刻剂工艺形成第一竖直开口，暴露出竖直堆叠中与牺牲材料的第一部分相邻的竖直侧壁；选择性地蚀刻牺牲材料的第一部分以形成第一水平开口，从而去除第一区域中从第一竖直开口向后第一水平距离的牺牲材料；以及在第一水平开口中沉积第一和第二源/漏材料和沟道材料，以在竖直堆叠式存储器单元的阵列之中形成用于存储器单元的三节点存取装置。
竖直三维存储器节点存取装置

[发明专利]竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置形成后的存储节点-CN202110720082.7在审
发明人： A·赛伊迪·瓦赫达;J·A·斯迈思三世;李时雨;G·S·桑胡;S·E·西里斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：提供了用于在用于竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置形成后的存储节点的系统、方法和设备。示例方法包含一种用于形成竖直堆叠的存储器胞元的阵列的方法，所述阵列具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线。所述方法包含沉积介电材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠。穿过所述竖直堆叠形成多个第一竖直开口以在所述竖直堆叠中形成具有侧壁的细长竖直柱列。在所述第一竖直开口中在栅极介电材料上保形地沉积第一导电材料。去除所述第一导电材料的各部分，以沿所述细长竖直柱列的所述侧壁形成多条单独的竖直存取线。穿过所述竖直堆叠形成第二竖直开口以暴露所述牺牲材料的第一区域。
竖直三维存储器节点存取装置形成存储

[发明专利]竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置中的源极/漏极集成-CN202110724573.9在审
发明人： S·E·西里斯;J·A·斯迈思三世;李时雨;G·S·桑胡;A·赛伊迪·瓦赫达 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请涉及竖直三维3D存储器的三节点存取装置中的源极/漏极集成。实例方法包含用于形成竖直堆叠的存储器单元的阵列的方法，所述阵列具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线。所述方法包含以重复迭代沉积介电材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠。使用蚀刻过程来形成第一竖直开口，从而暴露所述竖直堆叠中邻近所述牺牲材料的第一区的竖直侧壁。所述第一区经选择性蚀刻以形成去除所述牺牲材料且与所述第一竖直开口相隔第一水平距离的第一水平开口。在所述第一水平开口中沉积多层第一源极/漏极材料、沟道材料和第二源极/漏极材料以形成所述竖直堆叠的存储器单元的阵列当中的存储器单元的三节点存取装置。
竖直三维存储器节点存取装置中的集成