专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种槽式湿法设备下料除水装置-CN202122983515.6有效
  • 李增彪;华毓玮 - 横店集团东磁股份有限公司
  • 2021-11-30 - 2023-01-06 - H01L21/67
  • 本实用新型涉及晶体硅太阳能电池制造技术领域,公开一种槽式湿法设备下料除水装置。该槽式湿法设备下料除水装置包括:平台;输送组件,设置在所述平台上,所述输送组件能够沿第一方向输送花篮;除水组件,设置在所述平台上,所述花篮沿所述第一方向移动过程中能够与所述除水组件的上表面抵接,并相对滑动,以去除所述花篮底部的水珠。该槽式湿法设备下料除水装置结构简单,便于操作,能够有效去除承载硅片的花篮底部横杆的残留水滴,提高电池片生产良率。
  • 一种湿法设备装置
  • [发明专利]一种硼扩散制结的方法-CN202211056805.9在审
  • 李增彪;华毓玮;胡克喜;任勇;周东;何悦;彭宏杰 - 横店集团东磁股份有限公司
  • 2022-08-31 - 2022-12-13 - H01L31/18
  • 本发明提供了一种硼扩散制结的方法,所述方法包括以下步骤:(1)制绒后的硅片在扩散装置中通入O2进行表面氧化;随后在扩散装置中通入携带硼源的小N2与O2反应,同时通入大N2将硼源和O2运输到硅片表面,在硅片表面进行BSG预沉积,完成后调整O2、小N2和大N2的流量,继续在硅片表面进行BSG沉积和推进,完成后,对扩散装置中的硅片进行吹扫;(2)将吹扫完成后的硅片转移至链式氧化装置中,在保护气氛下进行快速热处理,去除背面BSG层后完成硼扩散;所述方法在管式扩散中快速完成BSG沉积和短时间预推进,又借助快速热处理装置完成推结,保证了硅片均匀性的同时又大大节约了硼扩散制结时间,提高了生产效率。
  • 一种扩散方法
  • [实用新型]一种防倒灌的补液装置-CN202220047717.1有效
  • 李增彪;何悦;方超炎;华毓玮;郝铭;任勇;陈德爽 - 横店集团东磁股份有限公司
  • 2022-01-10 - 2022-06-07 - H01L31/18
  • 本实用新型属于PERC电池钝化技术领域,具体公开了一种防倒灌的补液装置,该防倒灌的补液装置包括补液罐和反应槽,补液罐上设有进液管和出液管,进液管与补液罐连通且进液管上设有进液口,出液管与补液罐连通且出液管设有出液口,出液管内设置有单向阀,出液口与反应槽连通。上述防倒灌的补液装置通过单向阀的设置,能够避免在补液过程中某些液体分解产生的气体造成液体在补液罐中倒灌的情况发生,避免了物料等的浪费,同时安全性能较高,保证了使用人员的健康和安全。
  • 一种倒灌补液装置
  • [发明专利]一种单晶电池及其制备方法-CN202110411718.X在审
  • 任勇;李增彪 - 横店集团东磁股份有限公司
  • 2021-04-16 - 2021-07-16 - H01L31/18
  • 本发明提供了一种单晶电池及其制备方法。所述制备方法包括:1)对单晶基片进行腐蚀制绒,在制绒后的单晶基片上制备PN结,得到带有PN结的基片;2)在带有PN结的基片表面制备掩膜,去除部分PN结,得到处理后的基片;3)在处理后的基片正面制备氧化层,在处理后的单晶基片背面制备减反射膜,在所述氧化层上制备减反射膜,得到含减反射膜的基片;4)根据背面电极图形对含减反射膜的基片的背面减反射膜进行烧蚀,得到烧蚀产品;5)在烧蚀产品的正反面印刷接触电极,进行烧结,进行电注入,得到所述单晶电池。本发明的方法成本低廉,产品转换效率高,光致衰减低。
  • 一种电池及其制备方法
  • [实用新型]用于改善电注入温度均匀性的风刀-CN201921909870.5有效
  • 张磊;任勇;王艺;何悦;周东;李增彪 - 尚德太阳能电力有限公司
  • 2019-11-07 - 2020-04-24 - H01L31/18
  • 本实用新型涉及一种用于改善电注入温度均匀性的风刀,所述的风刀具有第一出风口和与所述的第一出风口间隔的第二出风口,所述的风刀设置第三出风口,使得所述的第二出风口位于所述的第一出风口和第三出风口之间,所述的第三出风口相对于所述的第一出风口或第二出风口具有预设倾斜角度。采用了该实用新型的用于改善电注入温度均匀性的风刀,在原来的风刀位置增加第3道出风口,通过此设计、改善,经测量,电注入时整体温度的偏差从原来的20℃降低到5℃,对于电注入后电池的光衰中由原来的1.8%改善至1.1%,改善效果明显。
  • 用于改善注入温度均匀
  • [发明专利]太阳能电池酸腐返工方法及使用的链式设备-CN201610115204.9有效
  • 李增彪;何悦;荣道兰;杨保平;李志刚 - 尚德太阳能电力有限公司
  • 2016-03-01 - 2017-05-10 - H01L31/18
  • 本发明涉及一种太阳能电池酸腐返工方法及使用的链式设备,其中所述的返工方法包括如下步骤一次酸洗子步骤、一次漂洗子步骤、碱洗子步骤、二次漂洗子步骤、二次酸洗子步骤、三次漂洗子步骤及吹干步骤;镀膜后的返工片在链式设备酸腐处理之前,还包括氢氟酸去膜步骤;酸腐处理步骤后还包括制备步骤;其中所述的酸腐处理步骤的硅片的腐蚀总重量为0.2~0.3g。采用该种结构的太阳能电池酸腐返工方法及使用的链式设备,用于太阳能电池生产过程中,解决手指印、脏污色斑、镀膜色差、制程异常返工和原始硅片来料异常返工,使用该方法返工,电池片外观正常,达到合格品要求,效率与正常电池片相比持平或低0.1%以内,工艺路线简单可批量生产。
  • 太阳能电池酸腐返工方法使用链式设备
  • [实用新型]单晶硅片制绒托架-CN201621188069.2有效
  • 吴应华;李增彪;何悦;任勇;王在发;王银 - 尚德太阳能电力有限公司
  • 2016-11-04 - 2017-04-26 - H01L31/18
  • 本实用新型涉及一种单晶硅片制绒托架,所述的托架用以装载底部两侧具有硅片卡槽的承载盒,所述的托架包括底面和垂直于底面的四个侧面,所述的两相对的侧面分别设有钢板,所述的两钢板之间设有固定的相平行的两圆杆,所述的圆杆距底面的高度高于承载盒底部卡槽的最高点距承载盒最低点的高度。采用了该实用新型中的单晶硅片制绒托架,通过将PVDF材质的圆杆放置在承载盒底部位置,并保持横杆高度高于承载盒底部卡槽,在硅片插入承载盒后,底部先接触PVDF圆杆,硅片不再接触承载盒卡槽底部,制绒过程中,由于硅片底部不再陷入承载盒卡槽内,药液交换快速,反应副产物可以快速脱离接触点,从而避免硅片底部发白色斑。
  • 单晶硅片制绒托架

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