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[发明专利]包括堆叠电极的半导体装置-CN201710110205.9有效
发明人：李铉民;梁宇成;金宽容 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：提供了半导体装置。一种半导体装置包括电极的第一堆叠件和第二堆叠件。此外，所述半导体装置还包括连接电极的第一堆叠件和第二堆叠件的第一连接线和第二连接线。在一些实施例中，第一连接线具有第一长度，第二连接线具有比第一连接线的第一长度长的第二长度。在一些实施例中，第一连接线使电极的第一堆叠件的内部部分连接到电极的第二堆叠件的内部部分。在一些实施例中，第二连接线使电极的第一堆叠件的外部部分连接到电极的第二堆叠件的外部部分。
包括堆叠电极半导体装置

[发明专利]一种考虑风剪切作用的风机最大功率点跟踪控制方法-CN202310711039.3在审
发明人：马凯;赵子琰;恒宇康;黄云蔚;梁宇成;李明睿 -专利权人：江苏蔚风能源科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： F03D7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种考虑风剪切作用的风机最大功率点跟踪控制方法。考虑到风剪切作用会影响不同高度叶片叶元气动性能，进而导致风机风能捕获效率低。本发明在传统最优转矩曲线的基础上进行改进，离线遍历不同剪切因子下的最优转矩曲线，并建立剪切因子与最优转矩曲线的函数关系；在此基础上，通过在线采用激光雷达测风仪测量风轮盘面风速，并计算剪切因子值，依据上述离线建立的剪切因子值与最佳转矩曲线函数关系动态优化转矩曲线，实现最大功率点跟踪阶段考虑风剪切作用的最优转矩曲线动态修正。本发明克服了风剪切导致的风机风能捕获效率低现象，相比于传统OT方法，本发明能够显著提高风能捕获效率。
一种考虑剪切作用风机最大功率跟踪控制方法

[发明专利]一种适用于低压气体的脱硫脱碳溶剂及其应用-CN202310318052.2在审
发明人：汤国军;赵启龙;周明宇;程林;梁宇成;郭成华;韩敏;曹文浩;杜通林;兰林;王非;汤晓勇;陈运强;肖秋涛;何红莲;阮红;谢晓玲;刘勇;邱星城;游龙;邹鹏飞;陈莉;万娟;吴巧;贺健 -专利权人：四川精事达科技有限公司;中国石油工程建设有限公司西南分公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01D53/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于低压气体的脱硫脱碳溶剂及其应用，涉及环境保护和气体净化的技术领域，所述脱硫脱碳溶剂包括主脱硫脱碳组分、助脱硫脱碳组分和水；所述主脱硫脱碳组分为有机胺类化合物，所述助脱硫脱碳组分为离子液体；以重量分数计，所述主脱硫脱碳组分的重量百分数为20wt％～40wt％；以重量分数计，所述助脱硫脱碳组分的重量百分数为10wt％～20wt％。本发明提供的脱硫脱碳溶剂实现了在低压低温下对含硫气体、二氧化碳的高效吸收以及低压中高温下的高效解吸，有效解决了现有脱硫脱碳溶剂存在的对二氧化碳、含硫气体的吸收能力差和对二氧化碳、含硫气体的吸收与解吸过程能耗高等问题。
一种适用于低压气体脱硫脱碳溶剂及其应用

[发明专利]半导体器件和包括所述半导体器件的电子系统-CN202211381679.4在审
发明人：具池谋;金志荣;梁宇成;成锡江;李昌燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：公开了半导体器件和包括所述半导体器件的电子系统。一种半导体器件，包括：衬底，包括单元阵列区和连接区；电极结构，包括以交替方式堆叠的电极和介电层，多个电极中的每一个电极包括在单元阵列区上的电极部和在连接区上的焊盘部；虚设竖直结构，在连接区上并贯穿每一个电极的焊盘部；以及单元接触插塞，在连接区上并耦接到每一个电极的焊盘部。焊盘部的厚度大于电极部的厚度。焊盘部具有与电极部连接的下部和在下部上的上部。在相邻的虚设竖直结构之间，上部的宽度不小于下部的宽度。
半导体器件包括电子系统

[发明专利]基于轻量级卷积神经网络的古籍汉字识别方法-CN202211283747.3在审
发明人：周俊伟;梁宇成;向剑文;夏喆;赵冬冬;熊盛武;杨焱超 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G06V30/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于轻量级卷积神经网络的古籍汉字识别方法。通过集成多个专家模型，在训练过程中将预测概率分布差异项加入损失函数，降低在全体类别上的预测偏差和方差，从而提高在所有类别上的识别精度，同时引入模型轻量化技术降低了集成模型的计算开销和参数量，实现轻量级的古籍汉字长尾样本识别模型。本发明得到的模型在样本严重不均衡的古籍汉字数据集上能够有效提升在生僻字样本集上的识别精度，并与常规轻量级模型的计算复杂度和参数量相近。
基于轻量级卷积神经网络古籍汉字识别方法

[发明专利]半导体装置及包括其的数据存储系统-CN202210779263.1在审
发明人：柳慧旼;梁宇成;成锡江;李雅凛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：提供了半导体装置及数据存储系统。半导体装置包括：第一结构，具有第一存储区域、第二存储区域、位于二者之间的扩展区域、以及字线；以及第二结构，具有与扩展区域交叠的电路区域。字线包括位于不同水平高度处的第一公共字线和第二公共字线以及位于相同水平高度处且间隔开的第一中间单独字线和第二中间单独字线。第一公共字线和第二公共字线均位于第一存储区域、第二存储区域和扩展区域中。第一中间单独字线在第一公共字线与第二公共字线之间的水平高度处位于第一存储区域中并且延伸到扩展区域中。第二中间单独字线位于第二存储区域中并且延伸到扩展区域中。电路区域包括连接到字线的传输晶体管。传输晶体管在扩展区域中与字线交叠。
半导体装置包括数据存储系统

[实用新型]一种MCA阻燃剂生产用干燥设备-CN202220963217.2有效
发明人：韩敏;梁宇成;蔡业华 -专利权人：四川精事达科技有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： F26B11/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MCA阻燃剂生产用干燥设备，包括罐体和输送筒，罐体底部外壁的轴心处焊接有出料管，且出料管的底部焊接有分料筒，分料筒底部外壁的中心处焊接有连接管，且分料筒的内部通过轴承活动连接有转辊，转辊的外壁与分料筒的内壁之间相贴合，且分料筒一侧外壁的轴心处通过螺栓安装有第二电机，第二电机与转辊之间呈传动连接，且转辊的外侧壁上开设有等距离呈环形结构分布的料槽。本实用新型第二电机带动转辊在分料筒的内部进行转动，使得转辊可通过料槽将罐体内部预加热干燥后的MCA阻燃剂原料均匀的输送至输送筒的内部进行二次干燥，很好的提升了MCA阻燃剂原料的干燥效率和干燥效果。
一种 mca 阻燃生产干燥设备

[实用新型]一种MCA阻燃剂生产用干法捏合装置-CN202220971811.6有效
发明人： 梁宇成;何红莲;赵启龙 -专利权人：四川精事达科技有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： B01F27/92 文献下载
摘要：本实用新型公开一种MCA阻燃剂生产用干法捏合装置，包括底座，底座的顶部外壁上分别安装有捏合组件与安装架，且捏合组件位于安装架的内侧，安装架的一侧壁上安装有筛选组件，安装架的顶部外壁上分别安装有捏合筒与固定架，固定架的顶部外壁上分别安装有第一电机与防堵组件，且第一电机位于防堵组件的一侧，第一电机的输出端穿过固定架的一侧壁固定连接有齿轮，捏合筒的顶部外壁上安装有环形滑轨，环形滑轨通过滑块连接有H形固定筒，H形固定筒的侧壁上安装有外齿圈，通过设置的第一电机、齿轮、环形滑轨、H形固定筒、外齿圈、空心管与加热管，使得捏合筒中的材料能够受热均匀，进而大大的提高了原料混合的速度与效率。
一种 mca 阻燃生产用干法捏合装置

[实用新型]一种液压缓冲合页-CN202220167466.0有效
发明人：梁文锐;梁民钧;梁宇成 -专利权人：肇庆市高要区华利德五金科技有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： E05D3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种液压缓冲合页，包括两个页片、活塞、弹簧、插针，两个所述页片侧面设置有轴套，所述轴套与两个所述页片相互匹配形成一通道，且内部安装有套筒，所述套筒为中空设置，且一端两侧面开设有插槽，所述弹簧安装在所述套筒的中空内部，所述套筒靠近所述插槽的一端且在所述弹簧的上方安装有活塞，所述活塞的一端两侧开设有与所述插槽相对应的通孔，所述插针插入所述插槽并延申贯穿通孔。套筒为中空设置，弹簧设置在套筒的空腔中，并且活塞的与套筒之间通过插针连接，起到对活塞保护的作用。
一种液压缓冲合页

[实用新型]一种盲孔闭门器压铸模具-CN202220168241.7有效
发明人：梁文锐;梁民钧;梁宇成 -专利权人：肇庆市高要区华利德五金科技有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： B22D17/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种盲孔闭门器压铸模具，包括上模架与下模架，上模架与下模架的内部安装有上模心和下模心；下模架内端面开设有安装槽，下模心安装于安装槽的内部，下模心的端面开设有两个嵌槽，两个嵌槽的内部安装有压模槽，上模心安装于上模架的下端面，上模心的下端面固定连接有与压模槽相匹配的压模块；下模架的一侧开设有第一滑槽，下模架与第一滑槽垂直的一侧开设有第二滑槽，第一滑槽和第二滑槽的内部分别安装有第一滑块和第二滑块。采用双导柱设计，压铸生产时，喷脱模水冷却抽芯时不会有大量的脱模水流入到模具的型腔，模具型腔的温度稳定，不会对铝液流动产生大的影响，开模、合模，滑块、抽芯的工作同时同步进行，减少时间。
一种闭门压铸模具

[实用新型]一种羰基硫高效脱硫的系统-CN202120614434.6有效
发明人：刘棋;梁宇成;韩敏;汤国军;赵启龙;赵兴涛;祁亚玲;曹文浩;兰林;陈娟;张玉明;赵海龙 -专利权人：中国石油集团工程股份有限公司;中国石油工程建设有限公司;中国石油天然气集团有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C10L3/10 文献下载
摘要：本实用新型属于天然气中高羰基硫含量的脱除装置技术领域，具体为一种羰基硫高效脱硫的系统。该系统包括吸收塔、闪蒸罐、贫富液换热器、解析塔和再沸器，其中，原料气装置与分离器一连接后进入吸收塔的下端，吸收塔的底部通过管道与闪蒸罐连接后再与过滤器连接；过滤器的另外一端与贫富液换热器进入解析塔的上端；解析塔下部一侧通过管道与再沸器连接；再沸器通过管道与贫富液换热器连接；贫富液换热器的出口管道依次通过升压泵与冷却器后进入吸收塔的上部，吸收塔顶部出来的管道与分离器二连接等。该系统不需要额外采用羰基硫水解装置，可减少生产成本。该系统可较好的进行脱硫处理，使满足净化后天然气中残硫小于20mg/m3的国家标准。
一种羰基高效脱硫系统

[发明专利]半导体存储器件-CN202110828263.1在审
发明人：金志荣;梁宇成;黄盛珉;成锡江;任峻成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种半导体存储器件，包括：第一堆叠结构、第一支撑层、第二堆叠结构、块切割结构、以及在所述第二堆叠结构上并且由第二切割图案分开的第二支撑层。所述第一堆叠结构包括第一堆叠和第二堆叠，所述第二堆叠结构包括由所述块切割结构分开的第三堆叠和第四堆叠，所述第一支撑层在所述第一堆叠和所述第二堆叠上，所述第二支撑层在所述第三堆叠和所述第四堆叠上，第一切割图案包括所述块切割结构上并且连接所述第一支撑层和所述第二堆叠的第一连接，并且所述第二支撑层的所述第二切割图案包括所述块切割结构上并且连接设置在所述第三堆叠和所述第四堆叠上的所述第二支撑层的第二连接。
半导体存储器件

[发明专利]一种羰基硫高效脱除溶剂及其制备方法-CN202010662120.3有效
发明人：刘棋;梁宇成;韩敏;汤国军;赵启龙;赵兴涛;祁亚玲;曹文浩;兰林;陈娟;张玉明;赵海龙 -专利权人：中国石油集团工程股份有限公司;中国石油工程建设有限公司;中国石油天然气集团有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： B01D53/48 文献下载
摘要：本发明为一种羰基硫高效脱除溶剂及其制备方法，该脱硫溶剂包括以下质量百分含量的原料：20％～50％的醇胺溶剂、10％～40％的特效溶剂、1％～6％的活化剂、0.2％～3％的由消泡剂、抗氧化剂和缓蚀剂按质量比3～10：6：3～4的比例组成的其他助剂。与传统脱硫溶剂相比较，该脱硫溶剂不仅能用于硫化氢、硫醇等常规含硫物的脱除，而且针对较高含量羰基硫气体也能保证直接采用溶剂脱除后，不仅能使含高羰基硫天然气中羰基硫脱除率95％以上，而且能保证净化气总硫含量低于19mg/m3以下，实现了高羰基硫气体在不采用羰基硫水解装置的情况下，也能完全满足净化后天然气中残硫小于20mg/m3的国家标准。
一种羰基高效脱除溶剂及其制备方法

[发明专利]半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法-CN201710202971.8有效
发明人： 梁宇成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明提供了制造半导体存储器件的方法和半导体存储器件，该方法包括：制备具有单元阵列区和接触区的衬底；在衬底上形成薄膜结构，其包括形成由下部隔离区水平地隔离的牺牲膜图案，以及形成顺序地堆叠在牺牲膜图案上的牺牲膜；以及形成两个或更多个开口，所述两个或更多个开口穿透薄膜结构以在暴露单元阵列区的下部隔离区的一部分的同时在一个方向上延伸，下部隔离区形成于包括在所述两个或更多个开口之间的区域的区域中。
半导体存储器件制造方法

[发明专利]三维半导体存储器件及其制造方法-CN202011265112.1在审
发明人： 梁宇成;成晧准;李俊熙;任峻成;郑恩宅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器件，包括：在第一基板上的第二基板，并且该第二基板包括下半导体层和在下半导体层上的上半导体层；在上半导体层上的电极结构，并且该电极结构包括多个堆叠的电极；竖直沟道结构，其穿透电极结构并连接到第二基板；层间介电层，其覆盖电极结构；以及切割结构，其穿透层间介电层和上半导体层。上半导体层具有由切割结构限定的第一侧壁。下半导体层具有与第一侧壁相邻的第二侧壁。第一侧壁和第二侧壁彼此水平地偏移。
三维半导体存储器件及其制造方法

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