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- [发明专利]可同时标记多根光纤的光纤内线缆打标机-CN201610529867.5在审
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吕耀安
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无锡宏纳科技有限公司
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2016-07-06
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2016-11-09
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B41J3/00
- 本发明公开了一种可同时标记多根光纤的光纤内线缆打标机，包括光纤信号发出端和光纤信号接收端；所述光纤信号接收端包括多个线缆固定位，每个线缆固定位对应一个信号接收灯；光纤的一端为束好状态，连接与光纤信号发出端，另一端为分散状态，内部的每根线缆固定于线缆固定位，且与信号接收灯连接；还包括位于光纤信号发出端和光纤信号接收端之间的打标装置；所述打标装置包括可控制其上下移动的臂杆；打标装置还包括排列为一排的形状为倒置U形的压纸装置，每个压纸装置的侧段设置有标签纸输送装置。本发明可自动同时对光纤中的多根线缆进行信号测试，并根据需要，自动对需要标记的某些线缆贴上标记纸，有利于加快测试速度，提高生产效率。
- 同时标记光纤线缆打标机
- [发明专利]多晶硅栅过分刻蚀的P型MOS管结构-CN201610540169.5在审
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吕耀安
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无锡宏纳科技有限公司
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2016-07-08
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2016-11-09
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H01L29/78
- 一种多晶硅栅过分刻蚀的P型MOS管结构，包括硅衬底，硅衬底之上设置有经P型掺杂的源极和漏极；所述源极和所述漏极之上都生长有一层钛硅化物；所述源极和所述漏极之间有一下凹的刻蚀区，刻蚀区上生长有多晶硅栅；所述多晶硅栅和所述硅衬底之间有一层氧化硅隔离层；所述多晶硅栅的上表面覆盖有一层钛多晶硅化物；所述多晶硅栅的左右两侧有侧墙；在所述源极和所述漏极的外侧有下凹状的隔离氧化硅；所述隔离氧化硅和所述硅衬底之间设置有一层衬垫氧化硅。本发明在硅氧化栅的生长处设置有一个过刻蚀的下凹陷区，则硅氧化栅生长位置相对于源极和漏极处更靠下方，在相同的栅极尺寸下，栅极电压控制的灵敏度更大。
- 多晶过分刻蚀mos结构
- [发明专利]一种可保护刀刃的晶圆切割刀-CN201610462655.X在审
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吕耀安
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无锡宏纳科技有限公司
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2016-06-23
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2016-11-09
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B28D5/02
- 本发明公开了一种可保护刀刃的晶圆切割刀，包括工作台，工作台上设置有保护层，晶圆放置在所述保护层之上；还包括安装在所述工作台上方的刀轴；刀轴之上安装有可绕所述刀轴旋转的晶圆切割刀；所述晶圆切割刀两侧设置有突起圆环；所述突起圆环与所述晶圆切割刀为同轴心固定；还包括传感器安装支架；所述传感器安装支架固定于工作台之上、刀轴的正前方；所述传感器安装支架之上安装有两个超声波传感器；晶圆切割刀位于两个超声波传感器的正中间；本发明可在晶圆切割刀进行切割的过程中，实时监测晶圆切割刀的切割位置，防止晶圆切割刀的刀刃切割的深度超出晶圆的厚度，对晶圆切割刀的刀刃造成损坏。延长了切割刀的寿命。
- 一种保护刀刃切割
- [发明专利]光器件用锯齿接口状热沉-CN201610480778.6在审
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吕耀安
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无锡宏纳科技有限公司
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2016-06-28
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2016-10-26
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F21V29/70
- 本发明公开了一种光器件用锯齿接口状热沉，包括多个最小单位热沉；每个最小单位热沉包括基板，基板的正面为安装面，基板的背面为散热面；所述散热面上设置有多个排列整齐的垂直状的散热板；基板的四周侧边沿均为均匀排布的锯齿状，锯齿状的凸起处的厚度比基板的厚度薄，锯齿状的凹陷处处设置有厚度与所述凸起处相匹配的凹陷空洞；多个最小单位热沉可通过凹陷处和凸起处相互插接。本发明设计了最小单位热沉的概念，在此基础上，任意大小的热沉均可通过最小单位热沉拼接而来，以适合不同型号的光器件的散热，使用更加灵活。
- 器件锯齿接口状热沉
- [发明专利]在芯片制造过程中跳过晶圆破裂处的方法-CN201610576954.6在审
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吕耀安
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无锡宏纳科技有限公司
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2016-07-21
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2016-10-26
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H01L21/66
- 本发明公开了一种在芯片制造过程中跳过晶圆破裂处的方法，将晶圆分割为多个间距相等的测量等分，作为测量坐标；单片机通过变频器对步进电机进行控制，步进电机每转动一次，丝杆控制滑动块移动一个测量坐标的位移距离；滑动块带动支撑架以及安装在支撑架的红外线装置移动一个测量坐标的位移距离，单片机控制红外线发射仪和红外线接收仪开始工作；红外线接收仪将此测量坐标的红外接收数据传至单片机，单片机对此红外接收数据进行判断，如果数据异常，则将此测量坐标储存于储存器本发明通过红外线入射到晶圆完好表面和晶圆破损表面的发射率不同，可有效检测晶圆的破损处，并对晶圆破损处的坐标进行检测、记录，并在制造过程中跳过晶圆破损处。
- 芯片制造过程跳过破裂方法
- [发明专利]光器件用弧形卡位状热沉-CN201610473594.7在审
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吕耀安
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无锡宏纳科技有限公司
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2016-06-24
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2016-10-26
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F21V29/70
- 本发明公开了一种光器件用弧形卡位状热沉，包括多个最小单位热沉；每个最小单位热沉包括基板，基板的正面为安装面，基板的背面为散热面；散热面上设置有多个排列整齐的垂直状的散热板；基板的四周侧边沿设置有弧状卡位结构；弧状卡位结构包括最外侧的直线段、连接在直线段之上的第一弧线段以及连接在第一弧线段和边沿之间的第二弧线段；第一弧线段向外突出；第二弧线段向内凹陷；第一弧线段和第二弧线段的圆心角与半径均相等；第一弧线段和第二弧线段的圆心角均大于180°。在本发明中，多个最小单位热沉通过在上下平面的方向上卡位的方式相互连接，则在热沉所在的平面上，相邻的热沉之间即使受到相反方向的力，也不易互相滑脱，固定更加牢固。
- 器件弧形卡位状热沉
- [发明专利]多晶硅栅过分刻蚀的N型MOS管结构-CN201610539062.9在审
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吕耀安
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无锡宏纳科技有限公司
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2016-07-08
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2016-10-26
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H01L29/78
- 本发明公开了一种多晶硅栅过分刻蚀的N型MOS管结构，包括硅衬底，硅衬底之上设置有经N型掺杂的源极和漏极；所述源极和所述漏极之上都生长有一层钛硅化物；所述源极和所述漏极之间有一下凹的刻蚀区，刻蚀区上生长有多晶硅栅；所述多晶硅栅和所述硅衬底之间有一层氧化硅隔离层；所述多晶硅栅的上表面覆盖有一层钛多晶硅化物；所述多晶硅栅的左右两侧有侧墙；在所述源极和所述漏极的外侧有下凹状的隔离氧化硅；所述隔离氧化硅和所述硅衬底之间设置有一层衬垫氧化硅。本发明在硅氧化栅的生长处设置有一个过刻蚀的下凹陷区，则硅氧化栅生长位置相对于源极和漏极处更靠下方，在相同的栅极尺寸下，栅极电压控制的灵敏度更大。
- 多晶过分刻蚀mos结构
- [发明专利]提高铜间隙填充能力的电镀方法-CN201610481937.4在审
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吕耀安
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无锡宏纳科技有限公司
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2016-06-28
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2016-10-12
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C25D5/18
- 本发明公开了一种提高铜间隙填充能力的电镀方法，包括：步骤1、制造种子层；步骤2、在电镀腔内充满硫酸铜溶液；将硅片固定于阴极，将铜块固定于阳极；步骤3、在阴极和阳极之间加一震荡电场；所述震荡电场为多个循环的方波周期，每个方波周期T依次被分为第一时段t1、第二时段t2和第三时段t3；在第一时段t1，方波的频率为f1；在第二时段t2，方波的频率为f2；在第三时段t3，方波的频率为f3，则满足：f1：f2：f3＝5：20：4。本发明震荡电场，使得镀铜的过程为，先沉积，再轻微刻蚀，最后再沉积，并反复这一过程的方法。这样增加了轻微的刻蚀过程，可以调整沉积过程中的不均匀部分，使之重新沉积，最后达到均匀沉积的目的。
- 提高间隙填充能力电镀方法
- [发明专利]晶粒移动夹具-CN201610557247.2在审
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吕耀安
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无锡宏纳科技有限公司
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2016-07-14
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2016-10-12
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H01L21/687
- 本发明公开了一种晶粒移动夹具，包括电机控制杆；所述电机控制杆的下端固定有圆片状的夹具固定盘；所述夹具固定盘的下表面边缘处设置有多个间距相等的安装槽；还包括夹具爪；所述夹具爪包括固定于所述安装槽之上的第一臂杆；所述第一臂杆的末端安装有第二臂杆且所述第二臂杆可相对于第一轴绕所述第一臂杆末端转动；所述第二臂杆的末端安装有第三臂杆且所述第三臂杆可相对于第二轴绕所述第二臂杆的末端转动；所述第三臂杆的末端为扁平状结构，且此扁平状结构末端为尖端。本发明公开了一种晶粒移动夹具，通过配合电机组，此夹具可以灵活抓起面积小，厚度薄的晶粒，且抓取精确度高，抓取之后固定牢固，不易掉落。
- 晶粒移动夹具
- [发明专利]多针脚芯片引脚打线针-CN201610569336.9在审
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吕耀安
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无锡宏纳科技有限公司
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2016-07-18
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2016-10-12
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H01L23/49
- 本发明公开了一种多针脚芯片引脚打线针，包括引脚基座打线针；所述引脚基座上横向排布有多个引脚针组件；相邻的引脚针组件的间隔距离相等，且此距离与芯片引脚的最小间隔距离相等；所述引脚针组件包括滑针导轨打线针；所述滑针导轨打线针为横向的凹字形，包括互相连通的上端横向凹槽、纵向凹槽和下端横向凹槽；所述引脚针组件还包括引脚针基座打线针和引脚针打线针；所述引脚针基座打线针卡在滑针导轨打线针之中且可沿所述滑针导轨打线针滑动；所述引脚针打线针的端头固定于所述引脚针基座打线针之上。本发明提供了一种可同时对多个芯片引脚进行打线的工作，所以使用本发明可大大提高工作效率。
- 针脚芯片引脚打线针
- [发明专利]图形可变的电子束光刻机-CN201610566309.6在审
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吕耀安
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无锡宏纳科技有限公司
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2016-07-18
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2016-10-12
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G03F7/20
- 本发明公开了一种图形可变的电子束光刻机，包括由上至下依次安装的：一电子发射枪；用于发射电子；以电子发射枪发射电子的方向为系统参考轴心；一约束孔径；安装于所述电子发射枪的电子发射方向，与轴心与系统参考轴心相重合；多个约束磁块；围绕所述系统参考轴心间隔均匀的分布；一磁场偏转线圈；其轴心与系统参考轴心相重合；一偏转电场产生装置；包括互相垂直的x轴方向电场装置和y轴方向电场产生装置；一光刻掩膜；一晶圆放置台；其轴心与所述系统参考轴心重合。本发明在晶圆放置台和电子发生装置之间设置有光刻掩膜，阻挡了不在光刻图案路径上的电子束，可有效增加光刻精度。
- 图形可变电子束光刻
- [发明专利]光器件用插针接口状热沉-CN201610472124.9在审
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吕耀安
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无锡宏纳科技有限公司
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2016-06-24
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2016-10-12
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F21V29/503
- 本发明公开了一种光器件用插针接口状热沉，包括多个最小单位热沉；每个最小单位热沉包括基板，基板为长方形；基板的正面为安装面，基板的背面为散热面；所述散热面上设置有多个排列整齐的垂直状的散热板；基板的四周包括公状边沿和母状边沿；所述公状边沿上包括固定于基板侧边的排布整齐的多根插针；所述母状边沿上包括设置在基板侧边的排布整齐的多个孔洞；所述插针的位置、数量与所述孔洞相同。本发明由于插针数量多，所以摩擦面积加大，摩擦力加大，则一旦插接完成之后，及其不容易松脱，可随意移动。且固定之后可以随意拆散，使用更加方便。
- 器件用插针接口状热沉
- [发明专利]电容数值更大的深沟槽硅电容-CN201610576164.8在审
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吕耀安
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无锡宏纳科技有限公司
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2016-07-20
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2016-10-12
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H01L23/64
- 本发明公开了一种电容数值更大的深沟槽硅电容，包括硅衬底；所述硅衬底的最上层为一层第一硅氧化物；所述硅衬底上表面由竖直方向开设有沟槽；沟槽的侧面为倾斜状；由沟槽的开口处到沟槽底端，沟槽的横截面越来越小；沟槽的高度大于沟槽的宽度最宽处；沿沟槽最内层为一层重掺杂硅；重掺杂硅之外为一层第二硅氧化物；第二硅氧化物的上表面与沟槽开口处的第一硅氧化物的内表面对齐；在第二硅氧化物的上表面之上、沟槽内部，填充有多晶硅。在相同的沟槽深度下，本发明的结构中的电容面积大于现有技术，由基本的电路的原理中的电容定义可知，本发明的电容数值更大。
- 电容数值更大深沟
- [发明专利]一种偏振不敏感阵列波导光栅结构-CN201510119193.7在审
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吕耀安;翟继鑫
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无锡宏纳科技有限公司
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2015-03-18
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2016-10-05
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G02B6/42
- 本发明公开了一种偏振不敏感阵列波导光栅结构，包括超辐射二极管、第一耦合器、第二耦合器、光圈环圈、相位调制器、偏振器、保偏光纤、探测器、光纤、光路和光隔离器；所述超辐射二极管通过保偏光纤与第一耦合器连接，并且在超辐射二极管与第一耦合器连接同侧第一耦合器通过保偏光纤与探测器连接；所述第一耦合器和第二耦合器通过保偏光纤与偏振器两端连接；所述第二耦合器一端通过保偏光纤与光纤环圈连接，并且在第二耦合器和光纤环圈之间通过保偏光纤连接相位调制器；所述光纤从光路传递到光隔离器中，并且从光隔离器另一端传出；该结构性能优良，重量轻，具有良好的偏振不敏感性能，实用性强，适合推广使用。
- 一种偏振敏感阵列波导光栅结构
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