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[发明专利]一种Al掺杂的氧化锌透明导电薄膜的制备方法-CN201010214412.7有效
发明人：刘学超;陈之战;宋力昕;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明属于透明导电薄膜领域，涉及Al掺杂的ZnO透明导电薄膜的制备方法，尤其涉及电感耦合等离子体增强物理气相沉积法(ICP-PVD)。该ICP-PVD法先制备Zn1-xAlxO(0.01≤x≤0.05)靶材；将清洁干燥衬底放入ICP-PVD系统中，控制ICP-PVD系统各工艺参数进行薄膜沉积得到Al掺杂的ZnO透明导电薄膜。该方法设备简单、易操作、可实现大面积、规模化的镀膜生产。该ICP-PVD系统与传统薄膜设备相比对等离子体中各种带电粒子起到约束和加速作用，从而提高了薄膜的结晶质量、施主掺杂的可控性，易得电阻率低、透过率高、重复性和稳定性好的ZnO薄膜，该薄膜可应用于光电子器件中。
一种 al 掺杂氧化锌透明导电薄膜制备方法

[发明专利]一种弛豫SiGe虚拟衬底及其制备方法-CN201010214666.9有效
发明人：刘学超;陈之战;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L29/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种弛豫高锗含量的SiGe虚拟衬底及其制备方法。该SiGe虚拟衬底包括Si衬底、在Si衬底上由内而外依次外延生长的Ge晶籽层、Ge缓冲层、组份渐变的SiGe缓冲层和组分恒定的SiGe层；所述Ge晶籽层和所述Ge缓冲层组成Ge驰豫缓冲层。该SiGe虚拟衬底具有高Ge含量、完全弛豫、位错密度低、厚度薄、表面平整等特性。该SiGe虚拟衬底的制备方法为采用减压化学气相沉积法在Si衬底上依次生长各外延层。本发明所制备的弛豫高锗含量的SiGe虚拟衬底，可广泛应用于CMOS工艺中Ge沟道应变工程和高迁移率沟道材料制备上，进一步提高CMOS器件的性能。
一种 sige 虚拟衬底及其制备方法

[发明专利]一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法-CN201110031688.6有效
发明人：刘学超;陈之战;杨建华;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明属于半导体薄膜材料技术领域，涉及一种高质量、低电阻率、具有内禀铁磁性的稀土金属离子掺杂ZnO稀磁半导体薄膜及其制备方法。本发明的薄膜，其化学成份符合化学通式Zn1-x-yErxAlyO，0＜x≤0.03，0＜y≤0.02。本发明以稀土金属离子Er和Al施主掺杂的方式，以陶瓷靶材为基础，采用ICP-PVD技术，制得具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜。本发明ICP-PVD技术可使Er均匀掺杂到ZnO晶格中，同时Al的掺杂可以显著提高ZnO薄膜中的载流子浓度，有效地调节Er2+离子间的铁磁交换，所得薄膜具有室温以上的内禀铁磁性和反常霍尔效应，可广泛应用于自旋电子器件中。
一种具有铁磁性 zno 基稀磁半导体薄膜及其制备方法

[发明专利]一种高质量应变的Ge/SiGe超晶格结构及其制备方法-CN201110032202.0无效
发明人：刘学超;杨建华;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C30B29/68 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，涉及Ge/Si1-xGex超晶格结构及其制备。本发明的高质量应变Ge/Si1-xGex超晶格结构，包括Si衬底、在Si衬底上依次外延生长的Si0.2Ge0.8虚拟衬底层、B掺杂Si0.2Ge0.8外延层、Si0.2Ge0.8阻挡层、Ge/Si1-xGex超晶格层、P掺杂Si0.2Ge0.8外延层、Si0.2Ge0.8阻挡层和Si保护层，且0.6≤x≤0.7。本发明采用减压化学气相沉积法在Si衬底上依次生长各外延层，所得超晶格结构具有位错缺陷密度低、厚度薄、界面/表面平整、Ge/Si1-xGex超晶格处于应变状态等特性；且质量高，特别适于制作硅基激光器和波导调制器。
一种质量应变 ge sige 晶格结构及其制备方法

[发明专利]一种光控碳化硅光电导开关-CN201010108982.8无效
发明人：黄维;常少辉;陈之战;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种光控碳化硅(SiC)光电导开关，其包括如下部件：光电导晶片，所述光电导晶片为碳化硅晶片，具有以下抛光良好的晶面：至少一个(1100)m面；至少两个(1120)a面；其中(1100)m面或(1120)a面是与激发光源光学连接的朝光面，以及与所述(1120)a面或(1120)m面具有良好电学性质的电极，且当所述(1100)m面作为朝光面时，所述电极与所述(1120)a面电学连接；当所述(1120)a面作为朝光面时，所述电极与所述(1100)m面电学连接。
一种光控碳化硅电导开关

[发明专利]一种大尺寸钙-稀土硼酸盐晶体的制备方法-CN201110029308.5无效
发明人：武安华;徐军;郑燕青;施尔畏;钱国兴 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸钙-稀土硼酸盐晶体的制备方法，所述方法是坩埚下降法，是首先将初始原料按Ca4RO(BO3)3化学式配料混合均匀，预烧，再次混匀，和晶种放入铂坩埚，密封坩埚，置入Bridgman单晶炉内，熔化原料和晶种顶部，控制生长界面温梯在30～40℃/cm，径向温梯小于1℃/cm，以≤1mm/小时的速度下降坩埚；生长结束后，进行原位退火，再缓慢降至室温，即得与铂坩埚形状相同的Ca4RO(BO3)3完整晶体。本发明具有温场稳定，组份不易挥发，生长的晶体完整性好，无宏观及微观缺陷；晶体的生长方向、尺寸和外形容易控制，大尺寸晶体不易开裂，成品率高；工艺设备简单，操作方便，能耗及成本低，适合规模化生产等优点。
一种尺寸稀土硼酸盐晶体制备方法

[发明专利]双室结构碳化硅晶体生长装置-CN200910053568.9有效
发明人：陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种双室结构碳化硅晶体生长装置，属于晶体生长装置领域。本发明采用进样室和晶体生长室，进样室和晶体生长室通过真空挡板阀连接分离，进样室和晶体生长室连接真空系统。本发明的晶体生长装置，能够克服现有技术的固有缺陷，保证了晶体生长室中的保温材料不和空气接触，最大程度减少了保温材料和生长室对氮及污染物的吸附，提高碳化硅晶体的纯度以及实现对杂质的精确控制，生长出高质量的导电型、掺杂半绝缘或高纯半绝缘等碳化硅晶体。
结构碳化硅晶体生长装置

[发明专利]压电晶体元件-CN200910047335.8有效
发明人：郑燕青;孔海宽;涂小牛;陈辉;施尔畏 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-03-10 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种压电晶体元件，属于晶体元件领域。本发明的压电晶体元件包括压电晶体材料(1)，电极层(2)，引线(3)。所述的压电晶体材料，其化学式为A3+xB1+yAl3+zSi2+mO14+n，其中，-0.2≤x≤0.2，-0.2≤y≤0.2，-0.2≤z≤0.2，-0.2≤m≤0.2，-1.4≤n≤1.4，A为Ca、Sr或者两者的组合，B为Ta、Nb或Sb三种元素中的一种，也可以是三种元素中的几种元素的组合。本发明的压电晶体元件最高使用温度可达1000℃，具有大的高温电阻率、大的压电系数、高的机电耦合系数、室温至熔点没有相变、价格便宜等特性。
压电晶体元件

[发明专利]基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置-CN201010152392.5有效
发明人：陈博源;陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-04-20 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置。本发明的基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法中，籽晶位于坩埚底部，且位于低温区，原料位于坩埚顶部，且位于高温区；生长过程中籽晶放置在坩埚底部，不需粘贴或固定籽晶至坩埚盖上。本发明具有如下特点：使用碳化硅多晶晶锭作为原料，并固定在坩埚顶部。采用本方法及装置，可以有效地避免由于籽晶粘贴或固定不当，导致生长过程中籽晶脱落或者生长得到的晶体应力过大，同时，由于采用多晶晶锭作为原料，气相组分在生长腔内分布更加均匀，生长得到的晶体均匀性更好，生长重复性更高。
基于物理相传技术生长碳化硅体单晶方法及其装置

[发明专利]一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置-CN201010152394.4有效
发明人：陈博源;陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-04-20 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长领域，具体涉及一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置。该生长装置包括真空室、石墨坩埚和感应线圈。本发明的生长装置基于物理气相传输(PVT)技术生长高纯半绝缘碳化硅体单晶，无需特殊的生长工艺。其主要特点为：生长炉的侧壁使用多层(至少三层)结构，侧壁内具有两个以上的相互独立的空间，分别用于通冷却水和高纯惰性气体(一般是高纯氩气)，或通冷却水和抽真空。采用本发明的生长装置可以有效地将石墨坩埚和空气隔绝，避免生长过程中空气中的氮气进入石墨坩埚，有效地控制氮元素掺入生长的碳化硅晶体，得到高纯半绝缘碳化硅体单晶。
一种高纯绝缘碳化硅体单晶生长装置

[发明专利]一种大功率光电导开关测试装置及其应用-CN200910247731.5有效
发明人：黄维;常少辉;陈之战;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率光电导开关测试装置及其应用，本发明的测试装置包括：脉冲激光器、光源引入部分、光孔、高压测量主体电路、高压电源、示波器、光电管；脉冲激光器产生的激光脉冲由光源引入部分接收后形成光斑，光源引入部分调整光路并调控光斑的单位面积光强；光斑被光源引入部分内设置的分光镜分为测试用光斑和参考用光斑；光孔接收测试用光斑，并调整测试用光斑的光强；光电管接收参考用光斑，并将参考用光斑转化为电信号后传输至示波器；高压测量主体电路将待测光电导开关经测试用光斑照射后产生的电信号输出；高压电源施加电压于高压测量主体电路；示波器分析和显示来自高压测量主体电路的电信号。
一种大功率电导开关测试装置及其应用

[实用新型]一种晶片清洗干燥架-CN200920209718.6无效
发明人：黄维;陈之战;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-09-15 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶片清洗干燥架，包括基座、方槽和通孔，基座沿竖直方向切去一部分作为定向面，方槽开在基座上表面，通孔连接方槽，方槽最宽面与基座的定向面平行。本实用新型的晶片清洗干燥架能保证整个晶片得到有效的清洗，并且不会在沸煮过程中发生晶面的翻转；通孔的设置使清洗过程中方槽内的清洗液体能有效流动，避免了清洗下的颗粒沉积在方槽内对晶片产生二次污染，同时，在清洗结束时能让清洗液体快速流出方槽；使用提杆可方便地将基座从清洗液中取出。
一种晶片清洗干燥

[发明专利]高品质大碳化硅单晶的制备方法及用其制备的碳化硅单晶-CN200910199338.3有效
发明人：严成锋;陈之战;施尔畏;肖兵;陈义 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-11-25 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高品质大碳化硅单晶的制备方法以及以此方法制备的碳化硅单晶。制备方法包括如下步骤：把籽晶放置在涂覆富碳聚合物的籽晶架上，加热使富碳聚合物热固化；在惰性气氛中加热，使富碳聚合物热解碳化；采用籽晶引导气相输运技术(PVT)，在碳化粘接好的籽晶上生长碳化硅晶体。本发明通过富碳聚合物紧密粘接籽晶和籽晶架，固化后热解碳化，形成致密中间碳层，有效提高碳化硅籽晶的温场均匀性，避免由于温度分布不匀而引起的多晶、多核共生、多型夹杂等问题；生长出的碳化硅晶体晶型单一，且晶体尺寸大于2英寸，通过在籽晶生长过程中掺杂杂质，还可制备n型或p型掺杂的碳化硅晶体。
品质碳化硅制备方法

[实用新型]晶体生长炉-CN200920076795.9无效
发明人：陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体生长炉，属于晶体生长装置领域。本实用新型采用进样室和晶体生长室，进样室和晶体生长室连接真空系统和进气系统。本实用新型的晶体生长装置，能够克服现有技术的固有缺陷，保证了晶体生长室中的保温材料不和空气接触，最大程度减少了保温材料和生长室对氮及污染物的吸附。
晶体生长

[发明专利]碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法-CN200910053571.0有效
发明人：储耀卿;陈之战;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法，属于晶体材料加工技术领域。本发明对碳化硅单晶采用多级化学机械抛光、调控不同pH值、抛光压力及转速，使得在保持低翘曲，低弯曲，高平整度，厚度均匀性好的前提条件下，有效地降低了晶片的表面损伤，改善了晶片表面粗糙度水平。
碳化硅表面多级化学机械抛光方法