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[发明专利]针脚、功率器件、功率器件的制造方法和封装模具-CN202010209711.5在审
发明人： 敖利波;史波;曾丹;曹俊;江伟 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种针脚、功率器件、功率器件的制造方法和封装模具。其中，针脚包括顺序排列的第一节、第二节和第三节，其中第二节由旋转体构成，旋转体的旋转曲面上的点到旋转体的旋转轴的距离在轴向方向上递增或递减，第一节由第一柱状体构成，第一柱状体的底面与第二节的面积小的底面相连，且第一柱状体的横截面积小于或等于旋转体的面积小的底面的面积。针脚在处于中间部位的第二节构造成旋转体，使得针脚可以通过该旋转体与封装模具的避让孔的内表面进行密封接触，在这种情况下即使已有的圆形避让孔的实际尺寸大于设计尺寸，该针脚也可以防止塑封材料在功率器件的封装过程中通过避让孔从封装模具中溢出。
针脚功率器件制造方法封装模具

[发明专利]一种芯片的封装方法、一种芯片及电子器件-CN202010164755.0在审
发明人：江伟;史波;曾丹;敖利波;肖婷;曹俊;马颖江 -专利权人：珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请涉及智能功率模块技术领域，公开了一种芯片的封装方法、一种芯片及电子器件，封装方法包括：提供已切割的晶圆以制备功率半导体芯片，功率半导体芯片包括栅极、第一发射极和第二发射极；在栅极和第一发射极表面贴附高温胶膜；将功率半导体芯片安装于电子封装基板上；将电子封装基板与导线框架进行组装，实现各部件之间的电连接；在导线框架上安装驱动控制芯片，并实现电连接；去除高温胶膜；实现驱动控制芯片的驱动电极与栅极的连接、以及第一发射极与导线框架的连接；进行塑封、后固化、去胶、电镀以及切筋。本申请公开的封装方法，够防止导线框架与芯片结合过程中产生的污染栅极问题，增强了栅极焊线的可靠性。
一种芯片封装方法电子器件

[发明专利]半导体器件、芯片、设备和制造方法-CN202010111560.X在审
发明人：陈道坤;史波;曾丹;敖利波 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件、芯片、设备和制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：碳化硅衬底；在碳化硅衬底上的碳化硅漂移层，该碳化硅漂移层包括具有第一导电类型的第一掺杂区、和在第一掺杂区中的具有第二导电类型的第二掺杂区和第三掺杂区，其中，第二导电类型与第一导电类型相反，第三掺杂区与第二掺杂区邻接，第三掺杂区的掺杂浓度小于第二掺杂区的掺杂浓度；与第二掺杂区连接的第一金属层；与第一金属层连接的第一电极；以及在碳化硅衬底的远离碳化硅漂移层的一侧的第二电极。该半导体器件具有比较低的导通压降和较强的抗浪涌电流能力。
半导体器件芯片设备制造方法

[发明专利]一种IGBT模块封装结构和封装方法-CN202010010609.2有效
发明人：马浩华;曹俊;敖利波;史波 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT模块封装结构和封装方法，IGBT模块封装结构，其特征在于包括：基板(3)，能够承载IGBT芯片(7)于其上；壳体(11)，罩设于所述基板(3)上且在所述壳体(11)内部形成容纳所述IGBT芯片(7)的空腔，且所述IGBT芯片(7)被设置于所述空腔内；在所述空腔内还填充设置有塑封料(9)，且所述壳体(11)的顶盖(101)的下端面上设置有朝下延伸的至少一个隔板(12)、将所述塑封料(9)进行分隔。通过本发明将模块的顶盖内部设计为栅栏式隔断结构，内部栅栏将塑封料分隔为多个狭小空间，塑封料振动空间小，摆动幅度小，对键合线的拉扯力度降低，减小失效率，大大提高可靠性。
一种 igbt 模块封装结构方法

[发明专利]一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法-CN202010055038.4在审
发明人：陈道坤;史波;曾丹;敖利波 -专利权人：珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法，该终端结构包括：N型碳化硅衬底；形成于N型碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底的一侧形成有沿平行N型碳化硅衬底方向排列的P+区、第一JTE区以及第二JTE区，第一JTE区与第二JTE区不同层设置；形成于N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底一侧的介质钝化层，第一JTE区或者第二JTE区与介质钝化层接触。上述终端结构中第一JTE区与第二JTE区位于不同层，第一JTE区与第二JTE区中的一个与介质钝化层接触，减小了JTE区与介质钝化层之间的接触面积，可降低介质钝化层界面电荷对JTE终端耐压的影响。
一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅功率二极管及其制作方法-CN202010059519.2在审
发明人：陈道坤;史波;曾丹;敖利波 -专利权人：珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开一种碳化硅功率二极管及其制作方法，包括：碳化硅衬底；形成于碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层表面具有有源区以及围绕有源区的场限环终端区；有源区包括多个间隔设置的N型区以及位于相邻两个N型区之间的P+区；N型区的掺杂浓度高于N型碳化硅外延层的掺杂浓度；场限环终端区包括多个间隔设置的P+区；形成于至少一个N型区的第一肖特基接触金属；形成于N型碳化硅外延层的阳极金属层，阳极金属层包括阳极金属和第二肖特基接触金属，第一肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒低于第二肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒，用于降低碳化硅功率二极管的正向导通压降。
一种碳化硅功率二极管及其制作方法

[发明专利]一种功率半导体芯片及其制备方法-CN202010060417.2在审
发明人：刘勇强;曾丹;江伟;敖利波;史波 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：涉及半导体技术领域，本申请提供一种功率半导体芯片及其制备方法，所述一种功率半导体芯片制备方法，包括：在半导体基材正面形成第一金属层，在所述第一金属层上形成金属连接层，回刻平坦化处理所述金属连接层，在所述金属连接层上形成第二金属层，对得到的所述半导体正面金属做金属合金成型处理，本申请还包括所述功率半导体芯片制备方法制备的半导体芯片。相较于现有技术，本申请的技术方案可改善现有技术中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致与引线连接时的正面金属层脱落现象，同时改进传统和结构中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致性差异，进而提高半导体整体性能的可靠性。
一种功率半导体芯片及其制备方法

[发明专利]一种智能功率模块及其制备方法-CN202010064223.X在审
发明人：陈茂麟;敖利波;史波 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种智能功率模块，包括上桥逆变桥、下桥逆变桥以及连接所述上桥逆变桥和所述下桥逆变桥的控制器，所述上桥逆变桥及所述下桥逆变桥分别垂直设置在所述控制器的相对的两侧，且所述上桥逆变桥与所述下桥逆变桥对称设置，本发明的智能功率模块为立体结构，减少了模块所占的面积，增加模块的散热效率。同时其类似插片式的散热器的外观结构，既提高了散热效果，又免去了散热器，解决了IPM模块和散热器热粘合不好的问题，同时节约了散热器的成本。本发明提出了上述智能功率模块的制备方法，不仅可以制备DIP封装，还可以制备SOP的封装形式。
一种智能功率模块及其制备方法

[实用新型]监测组件及智能设备-CN202020642572.0有效
发明人：郑楠楠;马颖江;史波;敖利波;曾丹 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： A61B5/0205 文献下载
摘要：本实用新型涉及智能穿戴的技术领域，具体涉及一种监测组件及包含其的智能设备。监测组件包括基板和形成在基板同一侧的第一腔室、第二腔室和第三腔室，第一腔室与基板相对的一端为覆盖有保护玻璃的开口，第二腔室与基板相对的一端为覆盖有第一滤光片的开口，第三腔室与基板相对的一端为覆盖有第二滤光片的开口，第一腔室内设置有第一芯片，第二腔室内设置有第二芯片，第三腔室内设置有体温检测芯片。本方案采用在智能设备中的原有监测组件内集成体温检测芯片的方式，可以使得智能设备具有温度检测功能，从而满足人们随时使用的需求，并且体温检测组件没有占用智能设备的内部空间，无需在智能设备表面开孔，从而提高智能设备内部空间的利用率。
监测组件智能设备

[发明专利]QFN框架结构、QFN封装结构及制作方法-CN202010022416.9在审
发明人：黄玲;史波;曾丹;敖利波 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种QFN框架结构、一种QFN封装结构以及它们的制作方法。QFN框架结构的制作方法包括：对基板背面焊盘以外的区域进行半蚀刻，形成凹陷的半蚀刻区；封装半蚀刻区形成第一封装体；对基板正面焊盘以外的区域进行全蚀刻，形成凹陷的全蚀刻区，制得QFN框架结构。QFN封装结构的制作方法包括：在QFN框架结构上进行半导体器件装配和打线；对QFN框架结构进行封装形成第二封装体，第二封装体包埋QFN框架结构的正面。采用“半蚀刻—封装—全蚀刻‑封装”的工艺方法可解决焊盘不可悬空的问题，无需将焊盘引出至框架结构四周即可以实现支撑，从而可降低QFN器件的面积及焊盘布局的难度。
qfn 框架结构封装结构制作方法

[发明专利]一种用于控制器的电路板及控制器-CN202010026505.0有效
发明人：张宏强;敖利波;史波;曹俊 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于控制器的电路板及控制器，该电路板包括：电路板本体；第一功率半导体器件和第二功率半导体器件，其全部设置在所述电路板本体上且彼此相邻；以及能够输送冷却液的冷却构件，其与所述第一功率半导体器件和第二功率半导体器件均接触。该电路板不但解决了如何降低控制器出现永久失灵的可能性的问题，而且可以降低功率半导体器件产生的热量在控制器内累积的程度，改善了功率半导体器件的性能。
一种用于控制器电路板

[发明专利]一种低成本高散热智能功能模块-CN202110304055.1在审
发明人：林志坚;王海;敖利波;谢景亮;曾新勇 -专利权人：康惠（惠州）半导体有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本高散热智能功能模块，包括有DBC基板，所述DBC基板由上到下依次连接有铜走线层、陶瓷层、铜散热层，所述铜走线层包括有设于陶瓷层一端上方的第一铜走线层、设于陶瓷层另一端上方的第二铜走线层；第一侧引脚，所述第一侧引脚的一端与所述第一铜走线层设有第一键合线电性连接；IC芯片，所述IC芯片焊接于所述第一铜走线层上，所述IC芯片与所述第一铜走线层之间设有第一焊料层，通过将IC芯片焊接于第一铜走线层，解决了智能功能模块引脚虚焊、成本高、散热性能较差的问题，实现了智能功能模块引脚不易脱焊，焊接稳定，散热性良好，有效保障智能功能模块的质量，同时有效降低制造成本。
一种低成本散热智能功能模块

[发明专利]一种元胞结构及其制造方法以及功率器件-CN201911102156.X在审
发明人：曾丹;史波;肖婷;敖利波 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种元胞结构及其制造方法以及功率器件，涉及功率半导体领域。元胞结构，包括：第一绝缘部，第一绝缘部具有一端开口的容纳槽；第一介质部，第一介质部设置于容纳槽的底部；第二介质部，第二介质部设置于容纳槽内，且位于第一介质部远离底面的一侧；第二绝缘部，设置于第一介质部和第二介质部之间。本发明提供的元胞结构，在容纳槽内设有被第二绝缘部隔开且相互绝缘的第一介质部和第二介质部。如此，第一介质部相当于在容纳槽的底部设置了一个额外的电极板，使整个沟槽底部区域的电场分布较为平缓，有效的解决了沟槽底部电场集中的问题，使得此处发生电场击穿的概率大大降低，有效的提高了器件的可靠性和稳定性。
一种结构及其制造方法以及功率器件

[发明专利]一种注塑模具-CN201911158920.5在审
发明人： 敖利波;史波;曾丹;肖婷 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： B29C45/26 文献下载
摘要：本申请涉及注塑成型技术领域，特别涉及一种注塑模具。包括：下模；所述下模包括多个侧壁，多个所述侧壁围成的空间内设有用于支撑基板的浮动板；上模，所述上模位于所述下模的上方，并与所述侧壁及所述浮动板之间形成有注塑空间；弹性组件，所述弹性组件用于为所述浮动板提供向所述上模方向的弹力。本申请中的塑模具，在弹性组件弹力的作用下，使浮动板能够与设置于该浮动板上方的基板紧密贴合时，即不影响基板的散热，不会对基板产生损坏。
一种注塑模具

[发明专利]基于功率半导体器件的散热结构及安装方法-CN201911339951.0有效
发明人：何柱进;史波;曹俊;廖勇波;敖利波;马浩华;张宏强;林志龙;苏梨梨 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
基于功率半导体器件散热结构安装方法